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南砂晶圆碳化硅项目建设取得新
进展
无锡总投资40亿的半导体项目迎来新
进展
【CASICON 2021】苏州晶湛半导体向鹏:用于新型GaN功率器件的外延技术
进展
【CASICON 2021】中电科五十五所刘强:碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发
进展
【CASICON 2021】厦门大学梅洋:氮化镓基VCSEL技术
进展
【CASICON 2021】北京大学杨学林:Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究
进展
【CASICON 2021】南京大学陈鹏:低开启/超高压GaN肖特基功率器件研究新
进展
【CASICON 2021】启迪半导体钮应喜:碳化硅外延装备及技术
进展
【CASICON 2021】东南大学教授刘斯扬:SiC功率MOSFET器件可靠性研究
进展
株洲国创越摩先进封装项目取得阶段性
进展
总投资26.8亿
CASICON 2021前瞻:碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发
进展
CASICON 2021前瞻:碳化硅外延装备及技术
进展
芜湖启迪半导体
钮应喜
南京功率
射频半导体
应用峰会,
碳化硅外延
装备
CASICON 2021前瞻:SiC功率MOSFET器件可靠性研究
进展
CASICON 2021前瞻:南京大学电子科学与工程学院陈鹏教授将出席南京功率与射频半导体应用峰会
南京大学
陈鹏教授
GaN基
肖特基
功率器件
研究
新进展
中科院上海微系统所程新红研究员将出席南京功率与射频应用峰会,将带来“SOI基GaN材料及功率器件集成技术
进展
”
中科院上海微系统所
程新红
研究员
南京功率
射频应用峰会,SOIGaN材料
功率器件
集成技术
电子科技大学教授邓小川将出席南京功率与射频应用峰会 分享极端应力下SiC MOSFET器件动态可靠性研究
进展
半绝缘碳化硅单晶衬底的研究
进展
Si基GaN 射频器件研究
进展
半导体所等在半导体材料“异构外延”研究中获
进展
比亚迪半导体IPO
进展
“神速”,已获深交所受理
青铜剑第三代半导体产业基地项目最新
进展
专利被宣告无效!鉴定结果显示不侵权!歌尔敏芯专利战最新
进展
官宣投产!露笑科技,山东国宏中能碳化硅项目新
进展
东京大学公路充电系统研发最新
进展
48家科创板上市企业公布股权激励
进展
中芯国际、利扬芯片等在列
中国科大在硅基半导体量子芯片的自旋调控上取得重要
进展
中电南方国基集团李士颜:功率碳化硅MOSFET芯片及模块研究
进展
及应用
中电南方国基集团
李士颜
功率
碳化硅
MOSFET
芯片
模块
晶湛半导体陈宇超:应用于功率器件的GaN外延片
进展
苏州
晶湛半导体
科技
陈宇超
功率器件
硅基GaN
外延片
三安光电发布2020年报、1Q21季报,透露了诸多新
进展
!
三安光电
2020年报
1Q
21季报
三安集成
氮化镓
砷化镓
微波射频
电力电子
英诺赛科邹艳波:GaN快充技术趋势及
进展
英诺赛科
邹艳波
GaN
快充技术
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