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解析 Wolfspeed 顶部散热 (TSC) 碳化硅
功率
器件
2025云南晶体大会前瞻|广东工业大学张紫辉:GaN
功率
半导体器件仿真建模与制备研究
SiC 新型
功率
MOS 器件结构以及栅驱动电路的设计与研究
英诺赛科宣布第三代700V GaN增强型氮化镓
功率
器件系列全面上市
深圳大学宽禁带半导体
功率
器件刘新科研究员团队:通过PEALD-GaOₓ界面工程实现高性能垂直氮化镓MOS电容器
重庆新陵微6寸
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半导体厂房及配套设施项目10月完工
总投资规模20亿元,重庆新陵微6寸
功率
半导体厂房及配套设施项目将于10月投用
碳化硅
功率
器件的性能与应用前景-国晶微半导体
派瑞股份与西电所签署合作协议,研发制造中高压IGBT
功率
器件
悉智科技宽禁带
功率
模组生产基地项目签约落户!
标准 | 《用于HEMT
功率
器件的硅衬底氮化镓外延片》发布
总投资20亿元 悉智科技宽禁带
功率
模组生产基地项目签约杭州
新洁能延期包括第三代半导体SiC/GaN
功率
器件及封测等三个募投项目
总投资超5亿元!赛英电子
功率
半导体模块散热基板项目正式开工
IEEE电力电子学会(PELS)国际宽禁带
功率
半导体技术路线图委员会(ITRW)会议在北京成功举办
镓未来完成亿元级B++轮融资,专注氮化镓
功率
器件研发
北京大学在IEEE ISPSD发表2项宽禁带半导体
功率
器件重要技术进展
英飞凌在马投资300亿令吉,建全球最大200毫米碳化硅
功率
半导体工厂
重磅议程更新 | IPF 2025
功率
器件制造测试与应用大会最新议程揭晓,速来围观!
广东致能:全球首发硅基垂直 GaN HEMT
功率
器件技术
国产
功率
半导体研发商,中晶微电再获融资!
标准 | “基于感性负载的SiC
功率
模块老化筛选试验方法”形成委员会草案
标准/“GaN HEMT开关可靠性试验、
功率
器件用硅衬底GaN外延片”2项标准形成委员会草案
中科院微电子所黄森、刘新宇团队在GaN外延位错传导载流子及其导致
功率
电子器件可靠性退化机制方面取得重要进展
YOLE:2030年碳化硅
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器件市场规模将破百亿美元
晶能与中车时代半导体签署战略合作协议,推动
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半导体技术创新突破
厦门士兰微8英寸碳化硅
功率
器件芯片制造生产线项目(一期)首台设备提前搬入
飓芯科技获3亿元B轮融资 加速大
功率
蓝绿光激光芯片国产化
[诚邀英才]新加坡科技研究局(A*STAR)微电子研究所(IME)
功率
半导体团队
西交利物浦大学刘雯课题组招收氮化镓
功率
器件方向博士生(英国利物浦大学学位)
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