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新洁能延期包括第三代半导体SiC/GaN
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器件及封测等三个募投项目
总投资超5亿元!赛英电子
功率
半导体模块散热基板项目正式开工
IEEE电力电子学会(PELS)国际宽禁带
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半导体技术路线图委员会(ITRW)会议在北京成功举办
镓未来完成亿元级B++轮融资,专注氮化镓
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器件研发
北京大学在IEEE ISPSD发表2项宽禁带半导体
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器件重要技术进展
英飞凌在马投资300亿令吉,建全球最大200毫米碳化硅
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半导体工厂
重磅议程更新 | IPF 2025
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器件制造测试与应用大会最新议程揭晓,速来围观!
广东致能:全球首发硅基垂直 GaN HEMT
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器件技术
国产
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半导体研发商,中晶微电再获融资!
标准 | “基于感性负载的SiC
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模块老化筛选试验方法”形成委员会草案
标准/“GaN HEMT开关可靠性试验、
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器件用硅衬底GaN外延片”2项标准形成委员会草案
中科院微电子所黄森、刘新宇团队在GaN外延位错传导载流子及其导致
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电子器件可靠性退化机制方面取得重要进展
YOLE:2030年碳化硅
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器件市场规模将破百亿美元
晶能与中车时代半导体签署战略合作协议,推动
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半导体技术创新突破
厦门士兰微8英寸碳化硅
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器件芯片制造生产线项目(一期)首台设备提前搬入
飓芯科技获3亿元B轮融资 加速大
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蓝绿光激光芯片国产化
[诚邀英才]新加坡科技研究局(A*STAR)微电子研究所(IME)
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半导体团队
西交利物浦大学刘雯课题组招收氮化镓
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器件方向博士生(英国利物浦大学学位)
斯达半导体车规级
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器件全球制造总部项目签约落户南湖
南邮郭宇锋教授团队首次在
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器件领域国际顶级学术会议发表论文
国家重点研发计划“氧化镓单片
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电子集成器件研究”项目启动会暨实施方案论证会成功召开
辉宏激光完成千万级的融资,系国产高
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超快激光器的整机系统和核心器件厂商
标准 | 《三电平SiC MOSFET
功率
模块开关动态特性测试方法》立项
南京大学团队在国际
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半导体会议ISPSD上发布两项宇航用氮化镓
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器件辐照效应研究成果
科研成果| 硅基金刚石热沉在GaN
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放大器中的应用
浙江大学电气工程学院PEDL团队五项重要成果在
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器件顶级会议ISPSD发表
芯聚能自主碳化硅主驱芯片成功搭载整车,树立国产车规
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半导体新标杆!
新成果!深圳大学在宽禁带半导体
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器件领域取得突破性进展
集成电路学院
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集成技术实验室第9次斩获IEEE ISPSD 发表论文数全球第一
Wolfspeed参考设计:25kW高效率高
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密度双向T-型逆变器
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