[诚邀英才]新加坡科技研究局(A*STAR)微电子研究所(IME)功率半导体团队

日期:2025-06-30 阅读:212
核心提示:[诚邀英才]新加坡科技研究局(A*STAR)微电子研究所(IME)功率半导体团队

 

IME在前不久宣布建成全球首条8英寸碳化硅工业级开放研发产线,整合材料生长、缺陷分析、器件制造与测试全链条,加速SiC/GaN功率器件在电动汽车、智能电网及工业电源领域的突破。为支撑该战略平台的加速发展,现欲招募具备以下领域专长的技术人才:

1.SiC/GaN器件设计与工艺开发

o精通的半导体器件知识,同时具备工艺整合能力,能协同设计器件结构与工艺、制造流程

o熟悉SiC/GaN功率器件制造工艺流程,包括外延生长、离子注入、介质沉积与界面处理、接触优化、高温退火工艺等关键节点

o掌握针对8寸晶圆工艺的均匀性控制、缺陷抑制技术

o精通各类半导体制造设备的操作或维护,有产线量产或良率提升经验

2.功率器件测试与可靠性

o具备扎实的功率半导体器件物理知识,精通SiC/GaN器件的可靠性测试标准及方法

o掌握失效物理分析技术(电学/热学/结构分析),熟练操作各类电学分析等设备

o具备晶圆级测试(IV/CV/双脉冲DPT)及特殊测试系统开发经验

o熟悉相关仿真工具及缺陷分析技术

3.功率器件和模块的封装集成

o了解先进材料和封装技术,包括评估和应用以及相应的设计和优化

o熟悉应用于不同功率等级的模块设计、开发和优化

o具备模块级电气表征能力以及可靠性测试技术

o系统级集成技术,熟悉热管理和电磁兼容性等方面的问题及解决方案

o无源器件的设计和优化以及片上集成技术

4.高压功率电路与系统设计

o精通功率拓扑结构原理,拥有高压、大电流功率系统设计和优化的经验,包括但不限于各类交直流功率变换器、电机控制系统、电池管理系统

o精通SiC/GaN功率器件的栅极驱动设计,能进行器件-电路协同设计并优化损耗及EMC/EMI性能

o熟练使用电路仿真工具,具备高压PCB/模块布局设计以及验证调试能力,理解寄生参数影响

o丰富的功率硬件测试经验,熟练使用相应设备进行功能验证和问题诊断

如果您希望加入我们,请将简历和相关材料发送至:Gong_Xiao@ime.a-star.edu.sg (邮件请注明【功率器件应聘】+ 技术方向 + 姓名”)

 

新加坡科技研究局(A*STAR)微电子研究所(IME)功率半导体团队相关网址介绍:

<https://www.a-star.edu.sg/ime/Research/SiC>

<https://www.youtube.com/watch?v=hO32e58sKhE>

<https://www.a-star.edu.sg/News/astarNews/news/press-releases/innovate-together-semiconductor-singapore-astar>

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