邀请函|润新微电子邀您共赴第六届全国宽禁带半导体学术会议

日期:2025-08-04 阅读:350
核心提示:8月10日-13日,我国宽禁带半导体领域的行业盛会——第六届全国宽禁带半导体学术会议将在大连举办。润新微电子将携最新产品方案亮相本次学术盛会,诚挚邀请行业专家学者、业界同仁交流与探讨。

大连活动头图

2025年8月10日-13日,我国宽禁带半导体领域的行业盛会——第六届全国宽禁带半导体学术会议将在大连举办。大会由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会共同主办,大连理工大学、东北师范大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟联合承办。

本届大会设置开闭幕大会,材料生长、材料物性与辐照测试、光电子器件及其应用、电子器件及其应用、新型宽禁带材料与器件5个平行分会,来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生、企业家代表等,将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流,促进产学研用的交流合作。这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展起到有力的推动作用。

届时,润新微电子(大连)有限公司作为华润微电子旗下专注第三代半导体材料和电子元器件技术开发及产品应用的半导体高新技术企业,将携最新产品方案亮相本次学术盛会(展位号:A13)。并且,润新微电子副总经理王荣华博士将出席会议,并分享《高压氮化镓功率电子材料与器件关键技术》主题报告。诚挚邀请行业专家学者、业界同仁莅临大会现场,进行深入的交流与探讨,共同探索未来进一步合作的可能性。

润新微电子

嘉宾简介

王荣华

王荣华博士现任润新微电子(大连)有限公司副总经理,负责氮化镓电子器件的产品开发。王荣华博士在化合物半导体领域深耕十余年,在氮化镓射频与功率电子器件研发与产业化方面积累了丰富的经验,与全球射频产品的领导厂商Qorvo和外延片制造商IQE开展了广泛的合作。王荣华博士在IEEE EDL、IEEE TED、IEEE JESTPE、J of Applied Physics D等国际学术期刊发表论文数十篇,在电子器件界顶级学术会议IEDM和国际氮化物学术论坛IWN、ICNS等作多次专题报告;科研成果多次被国际权威半导体媒体Semiconductor Today等报道,并受邀担任多家国际学术期刊的审稿人。

主题报告

主题:高压氮化镓功率电子材料与器件关键技术

摘要:氮化镓功率器件因其卓越的开关性能,在经过十余年的商业化发展后逐渐获得了市场的认可,在消费类电子领域实现了批量出货,并逐步积累了在工业电子和汽车电子方面的市场数据。击穿电压与导通电阻是功率器件需要重点关注的设计平衡之一,早期的氮化镓功率器件往往留有足够裕量的耐压设计;而激烈的市场竞争加速了器件的迭代升级,氮化镓功率器件尺寸的缩减与可靠性的平衡所遇到的挑战愈发突出。氮化镓异质外延电子材料中的缺陷密度、掺杂浓度与外延层厚度决定了功率器件的极限耐压,但过多的Fe或C掺杂会带来器件在应力条件下导通电阻的上升和阈值电压的漂移等不利影响。除受外延材料的影响以外,器件的导通电阻还受到场板设计、介质沉积条件和介质层厚度等影响,表现出随应力电压、电流和时间的依赖关系。本文重点关注高压氮化镓功率电子材料、器件设计与制造工艺中的关键技术,以及相关技术对器件性能和可靠性的影响。

公司简介

润新微广告

润新微电子(大连)有限公司是华润微电子旗下专注第三代半导体材料和电子元器件技术开发及产品应用的半导体高新技术企业。前身大连芯冠科技有限公司由海外归国团队2016年3月创立于大连高新区。公司采用整合设计与制造(IDM)的商业模式,涵盖“设计、外延、制造、可靠性测试、应用”全产业链,主要从事第三代半导体氮化镓外延材料及功率器件的研发、设计、生产和销售,产品主要应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。润新微电子致力于推动国内第三代半导体产业发展,通过技术创新为业界带来高性能、高可靠性的硅基氮化镓外延材料与器件产品以及应用解决方案,助力5G通讯、新能源汽车、光伏及高端装备等战略产业飞速发展。

润新微电子团队成员技术积累深厚,直接参与了全球第一颗200伏和650伏器件产品的开发。公司于2019年3月在国内率先推出成熟650伏氮化镓器件产品,也是国内率先推出900伏和1100伏器件产品并实现规模化应用的企业。截至2025年5月,公司氮化镓器件产品总出货量突破一亿颗,失效率<50ppm,可靠性数据业界领先。润新微电子是目前全球网通适配器领域和电视机显示屏领域氮化镓器件产品头部供应商,在比PD充电器性能要求更高的应用领域率先取得突破,彰显公司技术在行业内的领先位置。

公司自成立以来得到了国家、省、市各级政府的认可和支持,包括2017年第八批中国海创工程I类项目、2017年大连市科技人才创业支持计划、2017年辽宁省第十一批“百千万人才工程”、2018年第七届中国创新创业大赛先进制造行业总决赛优秀企业以及国际第三代半导体专业赛南部赛区第一名、2018年“兴辽英才计划”创新领军人才、2018年国家人社部“最具成长潜力的留学人员创业企业”、2019年国家科技部海外引智专项、2019年辽宁省专业技术创新中心、2019年辽宁省科技重大专项、2019年大连市重点实验室、2019年大连市科技重大专项、2022年辽宁省潜在独角兽企业、2024年辽宁省专精特新中小企业、2024年大连市科技技术发明一等奖、2024年工信部2030重大专项等。

氮化镓功率器件是全球功率半导体最前沿的热点和产业焦点,未来5年将会全面替代第一代硅材料器件主导的功率器件市场。通过整合华润微电子现成的规模化产线平台以及成熟的销售渠道,抓住千载难逢的行业机遇,充分发挥润新微电子团队的技术领先优势,快速形成年销售超10亿元净利率超30%营收规模,目标打造氮化镓功率器件世界知名百亿级别企业。 

附:会议信息

会议时间:2025年8月10日-13日

会议地点:中国·大连

主办单位:

中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会

中国电子学会电子材料学分会

承办单位:

大连理工大学

东北师范大学

第三代半导体产业技术创新战略联盟

协办单位:

集成光电子全国重点实验室

宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室

国家第三代半导体技术创新中心(苏州)

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所特种发光科学与技术全国重点实验室

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

一、组织机构

名誉主席:甘子钊、王占国、郑有炓

顾问委员会(按姓氏首字母排序):褚君浩、杜国同、顾  瑛、关白玉、郝  跃、黄  如、贾明星、江风益、李爱珍、李晋闽、李树深、刘纪美、刘  明、刘  胜、罗  毅、申德振、孙祥桢、王立军、许宁生、杨德仁、叶志镇、俞大鹏、张国义、张  荣、张  跃、郑婉华

大会主席:刘益春

共同主席:沈  波、杨  辉、吴  玲

程序委员会

主  席: 徐  科

副主席:黎大兵、张源涛、朱嘉崎

委  员(按姓氏首字母排序):敖金平、蔡树军、陈长清、陈敦军、陈  弘、陈  敬、陈堂胜、陈万军、陈小龙、陈秀芳、程  凯、迟  楠、单崇新、丁琪超、董博宇、冯士维、冯志红、顾书林、贺东江、黄伯宁、黄  丰、黄  凯、康俊勇、赖占平、李国强、梁  建、刘  斌、刘国友、刘建平、刘木清、刘  榕、刘斯扬、刘新宇、刘  扬、龙世兵、陆  海、罗小蓉、马晓华、毛  维、欧  欣、潘  毅、裴  轶、彭俊彪、皮孝东、邱宇峰、盛  况、孙  钱、孙伟锋、孙小卫、孙晓娟、唐  宁、陶绪堂、万成安、万玉喜、汪  莱、王德君、王  钢、王宏兴、王建峰、王江波、王军喜、王来利、王  立、王新强、吴毅锋、肖国伟、徐海阳、徐士杰、徐现刚、许福军、薛玉雄、闫建昌、杨富华、叶建东、伊晓燕、于洪宇、云  峰、张保平、张  波、张国旗、张进成、张金风、张  龙、张乃千、张清纯、郑雪峰、张玉明、赵德刚、赵丽霞、郑晨焱

组织委员会

主  席: 梁红伟

副主席:陈志涛、阮军、张书明

委  员(按姓氏首字母排序):蔡端俊、曹峻松、陈  鹏、陈义强、陈志忠、程红娟、方  方、方文饶、房玉龙、和巍巍、黄少华、黄文海、耿  博、龚  政、郭  清、郭世平、郭  炜、郝茂盛、胡卫国、化梦媛、黄火林、黄  森、何晨光、贺致远、纪志坡、贾  锐、贾志泰、蒋  科、矫淑杰、江  灏、鞠光旭、孔月蝉、李炳生、李金钗、李述体、李忠辉、梁剑波、刘  超、刘军林、刘可为、刘  雯、刘新科、刘玉怀、刘召军、刘志强、刘宗亮、陆  敏、吕元杰、梅云辉、马剑钢、苗振林、母凤文、牛萍娟、潘尧波、齐红基、全知觉、任国强、赛青林、桑立雯、宋  波、孙海定、孙文红、孙永强、田朋飞、王光绪、王嘉铭、王茂俊、王  琦、王荣华、王鑫华、王英民、魏同波、汪炼成、吴  亮、吴嘉伟、吴雅苹、谢志国、徐明升、杨  霏、杨兰芳、杨  树、杨学林、殷  红、于彤军、张佰君、张  峰、张  辉、张纪才、张建立、张景文、张苇杭、张  嵩、张  雄、张宇昊、张  韵、张紫辉、赵璐冰、赵  维、周春华、周  弘、周  琦

大会秘书处

秘书长: 张振中 黄火林

副秘书长: 赵  红 张克雄 张赫之

成  员: 贾欣龙、马浩然、夏晓川、孙雨周、代建勋、柳阳、李鹏、王月飞、杨霖等

三、主要日程

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四、大会主题

绿色能源与智能时代的宽禁带半导体技术

五、会议征文方向:

1.材料生长(氮化物半导体、氧化物半导体、碳化硅、金刚石等)

2.材料物性和表征技术(光、电、磁、热性质、缺陷物理等)

3.光电子器件及其应用(LED、Micro-LED、LD、光电探测器等)

4.电子器件及其应用(射频电子器件、功率电子器件、传感器及集成电路等)

5.新型宽禁带材料与器件(超宽禁带半导体、二维宽禁带半导体、有机宽禁带半导体等)

6.辐射及高能粒子探测器件

征文要求:

1.符合上述内容的论文摘要;

2.论文摘要主题突出、内容层次分明、数据准确、论述严谨、结论明确、采用法定计量单位;

3.论文摘要须以WORD文档格式,包含标题、作者及其单位地址、正文、图表、参考文献等在内不超过一页A4纸;

4.提交截止日前,以电子邮件方式(投稿邮箱: kxzhang@dlut.edu.cn、hez.zhang@dlut.edu.cn、zhangzhenzhong@nenu.edu.cn)提交至会议组委会秘书组;相关模板可登录大会官网(http://www.wbsc.org.cn)或查询附件;

5.所有论文摘要均编入会议文集。

、会议注册费

1.普通代表(A类票):

2800元(含会议文集、日程等会议资料及会议期间相关服务)

2.学生代表(B类票):

2300元(与普通代表会议待遇相同,但须提交相关证件)

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七、注册费缴费方式

1.通过银行汇款

开户行:中国工商银行北京市分行百万庄支行

账  号:0200001409014413573

名  称:中国有色金属学会

注:银行汇款请务必备注“宽禁带会议+参会代表姓名”

2.线上缴费,登录官网,

3.现场缴费(接受扫码、刷卡)

八、会议信息及联系人

1.会议官网:http://www.wbsc.org.cn

官网二维码

(会议详细信息请扫码关注大会官网)

2.论文征集联系人

张克雄:15382208398;Email: kxzhang@dlut.edu.cn

张赫之:13478911634;Email: hez.zhang@dlut.edu.cn

张振中:18626668329;Email: zhangzhenzhong@nenu.edu.cn

3.合作咨询

参会咨询:

芦老师:13601372457,E:lul@casmita.com

商务合作:

贾先生:18310277858,E:jiaxl@ casmita.com

张小姐:13681329411,E:zhangww@ casmita.com

参会代表财务咨询:

庞老师:15010359809

热烈欢迎相关领域的专家、学者、行业企事业单位参会交流!

4、酒店信息

会议酒店:大连香格里拉大酒店

位于人民路商业街,与中山广场相邻(大连市中山区人民路66号)。

房间价格:高级房:1000元/间夜(含单早),豪华房:1100元/间夜(含单早)

扫码跳转酒店官网预定链接:

大连会议酒店二维码

住宿协议酒店:

·大连心悦大酒店(中山区人民路81号)

商务大床房:420元间/夜(含单早)

商务双人房:420元间/夜(含双早)

订房联系方式:宋经理18640869188

距离会议酒店:477米

·大连新嘉信酒店(中山区五五路53号)

大床房:468元间/夜(含双早)

双床房:468元间/夜(含双早)

订房联系方式:任经理18940991977

距离会议酒店:约1公里

·桔子水晶酒店(大连中山广场店)

高级大床房:500元间/夜(含单早)

订房联系方式:朱经理18642677723

距离会议酒店:约1.1公里

·大连渤海明珠酒店(中山区胜利广场8号)

标准大床房:440元间/夜(含双早)

标准双床房:440元间/夜(含双早)

订房联系方式:张经理15840631085

备注:10间以上价格为420元

距离会议酒店:约1.9公里

注:大连旅游城市正值旅游旺季,酒店实际价格有可能调整,以酒店公布为准。

5.交通信息

交通信息

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