2025年7月18日，由厦门市三安集成电路有限公司牵头起草的T/CASAS 057—202X《高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法》以及由苏州晶湛半导体有限公司牵头起草的T/CASAS 060—202X《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》已形成委员会草案（CD），两项标准委员会草案按照CASAS标准制定程序，反复斟酌、修改、编制而成，根据CASAS相关管理办法，现面向CASAS正式成员发起委员会草案投票，截止时间2025年8月1日。请联盟标委会正式成员关注秘书处邮件。
非联盟成员及联盟普通成员如有需要，可发邮件至casas@casa-china.cn。
T/CASAS 057—202X《高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法》规定了用于评估高频开关应用下（频率≥100kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效，以确保其以快充适配器代表的典型应用领域下稳定运行，实现系统整体性能的提升。 本文件适用于进行GaN 功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： 1） GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件； 2） GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件； 3） 以上的晶圆级及封装级产品。 T/CASAS 060—202X《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》规定了用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片（以下简称“氮化镓外延片”）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。适用于在硅衬底上生长的用于功率电子领域的具有复合结构的氮化镓外延片的研发生产，测试分析及质量评价。 (来源：第三代半导体产业技术创新战略联盟)
