牛津仪器 | 硅基芯片研发加速器:物性测量与显微表征一站式服务

日期:2025-08-20 阅读:555
核心提示:当前硅基半导体研发面临制程微缩极限、材料缺陷导致良率下降等挑战,研发周期长、试错成本高成为关键瓶颈。本次讲座将介绍显微表

 当前硅基半导体研发面临制程微缩极限、材料缺陷导致良率下降等挑战,研发周期长、试错成本高成为关键瓶颈。

本次讲座将介绍显微表征(EDS、EBSD、Raman)和物性测量(NI、AFM)在硅基半导体中的应用,通过多维度数据实现从材料组分、结构、工艺与物性间的全面表征,帮助研发团队快速定位工艺瓶颈(如界面缺陷、应力集中或成分偏析等),显著缩短研发周期,降低试错成本,最终提升芯片良率与市场竞争力。

讲座时间:2025年8月21日 14:00-15:00

报告主题:硅基芯片研发加速器:物性测量与显微表征一站式服务

分享嘉宾:马岚,牛津仪器应用科学家

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