为贯彻国家创新驱动发展战略，积极培育和发展新质生产力，聚焦发掘我国第三代半导体产业重要科技进展，进一步扩大优秀科研成果的影响力和辐射面，助推优秀技术成果转化为新质生产力，实现高水平科技自立自强，赋能我国产业不断攀升全球价值链的最高端。
第十一届国际第三代半导体论坛暨第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2025）将于2025年11月11-14日在厦门举办！作为大会备受关注的‘年度中国第三代半导体技术十大进展’评选，去年一经公布，受到了行业的广泛关注。经大会程序委员会合议，启动“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”的征集和评选工作。现将具体事项通知如下：
一、申报主体
（一）在中国大陆、香港和澳门地区注册，技术研发和企业管理以华人为主体的企业；
（二）具备自主研发能力的高等院校、科研院所等机构或团队；
二、成果申报条件
（一）在2024年10月至2025年10月期间，从事第三代半导体领域相关研究的科研院所、高校、企业等取得的重要科技进展，且为项目的主要完成单位，或科研人员为项目的主要完成人。
（二）参选成果具有创新性、突破性和引领性，或在国际（国内）顶级学术期刊发表论文；
（三）新技术、新产品等在年度内引发热点或产生重大影响力；
（四）技术、产品、解决方案等突破创新，解决了产业关键问题；
三、成果征集方式
采用公开征集方式，面向国内科研院所、高等院校及企事业单位广泛征集，设有自荐、推荐和定向征集三种方式。
四、评审程序
（一）材料审核。由秘书处汇总各渠道推荐成果，对推荐材料进行形式审查，确定进入初评的有效候选成果。
（二）初评。由程序委员会专家在线对申报材料集中初评，投票产生30项拟入选候选成果。
（三）终评。由终评专家组对30项正式候选成果进行打分，根据打分结果产生10项“2025年度第三代半导体产业技术十大进展”。
五、表彰及宣传
（一）发布。最终结果将在IFWS&SSLCHINA2025论坛开幕大会上重磅发布。
（二）荣誉证书。十大进展入选成果将现场颁发荣誉证书。
（三）宣传。所有征集成果都将在大会官网及相关媒体宣传。
六、评审程序及时间安排
（一）须填写《十大进展申报表》（见附件），成果简介300-500字左右且要突出重点、简明扼要，并提交相关指标图片及附件材料。
（二）请务必于2025年10月20日前提交电子版申报材料，包括申报表word文件、有关证明材料pdf文件、成果汇报视频。请一并邮件发送至邮箱：paper@casmita.com，或提供网盘下载地址，文件注明：2025年度十大进展申报/推荐，逾期不予受理。
（三）时间安排：征集（9月20日-10月20日）——>初评（10月21-23日）——>终评（10月24-31日）——>发布&颁发证书（11月12日）
七、联系咨询
联系人：陈关升
电话：010-82387600-616，18401540216
邮箱：paper@casmita.com
附件：2025年度中国第三代半导体技术十大进展申请表、十大进展汇报PPT模板等
扫码下载申请表&PPT模板
附：2024年度中国第三代半导体技术十大进展
（排名不分先后）
1、6-8英寸蓝宝石基氮化镓中高压电力电子器件技术实现重大突破
2、垂直注入铝镓氮基深紫外发光器件的晶圆级制备
3、基于铟镓氮红光Micro-LED芯片的全彩显示技术
4、高功率密度、高能效比深紫外Micro-LED显示芯片
5、氮化镓缺陷引起的局域振动的原子尺度可视化
6、千伏级氧化镓垂直槽栅晶体管
7、2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底实现国产化
8、8英寸碳化硅材料和晶圆制造实现产业化突破
9、国产车规级碳化硅MOSFET器件实现新能源汽车电驱应用
10、氮化镓基蓝光激光器关键技术取得产业化突破
——>证书示例<——
