9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将在云南昆明举办。
大会设有：开幕大会及主旨报告，以及化合物半导体单晶衬底及外延材料（Ⅰ、Ⅱ），硅、高纯锗及锗基材料，光电子与射频器件工艺与应用，高纯金属、原辅料制备及晶体外延生长与加工关键装备，测试评价及AI for Science主题分会。目前，会议最新演讲嘉宾报告如下（不分先后）：
▶刘纪美-美国工程院外籍院士、香港科技大学讲席教授
《III-V Devices on Silicon for integration》
▶惠峰-云南锗业首席科学家
《锗、三五族化合物半导体单晶生长技术和产业发展》
▶王新强-北京大学博雅特聘教授、北大东莞光电研究院院长
《氮化物半导体的大失配外延及其器件研究》
▶陈秀芳-山东大学特聘教授、晶体材料全国重点实验室副主任
《碳化硅单晶材料及应用》
▶肖志国-华夏芯智慧光子科技(北京)有限公司首席科学家、路明科技集团总工程师
《固体发光技术引领产业变革》
▶张韵-中国科学院半导体研究所副所长、研究员
《镓体系半导体材料与集成电路发展展望》
▶刘春俊-北京天科合达股份有限公司CTO
《大尺寸碳化硅衬底和外延产业进展》
▶杨晓光-中国科学院半导体研究所研究员
《硅基III-V族材料外延及异质集成研究进展》
▶孙聂枫-中电科集团首席专家、第十三研究所研究员
《高质量、大尺寸磷化铟单晶制备技术及应用》
▶谢添乐-中电科第四十八研究所半导体装备研究部工艺负责人
《宽禁带化合物半导体外延关键装备解决方案》
▶宁静-西安电子科技大学教授
《超宽禁带半导体范德华异质结构及器件研究》
▶解楠-赛迪研究院集成电路研究所分立器件与化合物半导体研究室主任
《氮化铝宽禁带材料发展现状及技术演进趋势研究》
▶史衍丽-云南大学物理与天文学院研究员
《1550nm InP/InGaAs 单光子探测器》
▶黄永光-河南仕佳光子科技有限公司副总经理
《CW DFB 激光器研究进展》
▶邓家云-昆明理工大学副教授
《磷化铟晶圆力学性能与加工性能研究：理论计算、分子动力学仿真、实验验证》
▶修向前-南京大学教授
《氮化镓衬底生长工艺及设备技术研究》
▶胡动力-连科半导体总经理
《8/12吋碳化硅长晶炉技术进展及发展方向》
▶刘新科-深圳大学研究员
TBD
▶王国斌-江苏第三代半导体研究院材料生长平台主任
《基于新型MOCVD反应器的低缺陷GaN材料的外延生长》
▶邱锋-云南大学材料与能源学院副研究员、鑫耀半导体科技副总
《晶体本征缺陷的理论研究及晶片表面非故意缺陷的性能调控》
▶李沛旭-山东华光光电子股份有限公司战略行业部总经理
《高功率半导体激光器集成技术研究》
▶韩学峰-浙江大学杭州国际科创中心百人计划研究员
《PVT法生长4H-SiC晶体的缺陷形成与掺杂机理研究》
▶南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
TBD
▶王茺-云南大学材料与能源学院研究员
《GaSb基异质薄膜的磁控溅射生长机理及其光电探测性能研究》
▶伍绍腾-中国科学院半导体研究所研究员
TBD
▶李宝学-昆明云锗高新技术有限公司总经理
《大尺寸红外锗单晶的研究进展》
▶徐驰-中国科学院半导体研究所研究员
《从气体源到器件：面向下一代信息技术的硅-锗-锡类半导体全流程研究》
▶陈端阳-杭州富加镓业科技有限公司外延器件部部长
《氧化镓单晶衬底及外延技术研发进展》
▶蒋科-中国科学院长春光机所研究员
TBD
▶包世涛-云南临沧鑫圆锗业股份有限公司COO
《中国锗产业发展现状与高质量发展路径展望》
▶郭杰-云南师范大学副教授
《锗硫属化合物Ge-VIA（GeS/GeSe/GeTe）二维材料的电子结构和光学特性研究》
▶刘汉保-云南鑫耀半导体材料有限公司副总经理
《基于VGF法的低氧含量半绝缘砷化镓单晶生长工艺优化及电学性质研究》
▶韦华-云南鑫耀半导体材料有限公司技术副总经理
《VGF法磷化铟热场优化控制对单晶缺陷形成的影响》
▶陶鸿昌-西安电子科技大学
《氧化镓异质外延成核调控及肖特基二极管（SBD）势垒均匀性研究》
▶卢卫芳-厦门大学副教授
《GaN/InGaN基核-壳纳米结构选区外延及其Micro-LED器件制备研究》
▶王巍-河北同光半导体股份有限公司副总经理
《挑战与机遇并存 -- 碳化硅材料市场发展现状及展望》
▶李强-西安交通大学副教授
《单晶六方氮化硼薄膜异质外延及其剥离特性》
▶王嘉铭-北京大学特聘副研究员
《III族氮化物AlGaN基紫外发光器件结构堆垛研究》
▶殷红--吉林大学教授
TBD
▶赵茂旭-云南鑫耀半导体材料有限公司市场部副经理
《化合物半导体InP单晶衬底的应用及市场发展趋势》
▶梅洋-厦门大学副研究员
TBD
▶杨杰-云南大学副研究员、云南锗业科技副总
《III-V族和IV族半导体晶片及其外延材料的缺陷溯源分析》
▶天通控股股份有限公司
TBD
▶张紫辉-广东工业大学教授
《GaN功率半导体器件仿真建模与制备研究》
▶沈桂英-中国科学院半导体研究所副研究员
《InP、GaSb与InAs单晶生长、衬底制备及缺陷研究最新进展》
▶赵有文-珠海鼎泰芯源晶体有限公司总经理
TBD
▶林光杨-厦门大学助理教授
《锗锡物理气相沉积及其光电器件应用》
▶孙素娟-山东华光光电子股份有限公司激光二部副总经理
《高功率叠阵激光器产品及相关技术》
▶马宏平-复旦大学副研究员
TBD
▶广州南砂晶圆半导体技术有限公司
TBD
……
（报告顺序不分先后，最终以现场日程为准）
附会议信息：
【会议时间】 2025年9月26-28日
【会议地点】云南·昆明
【指导单位】
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）
【主办单位】
云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
极智半导体产业网（www.casmita.com）
半导体照明网(www.china-led.net)
第三代半导体产业
【承办单位】
云南鑫耀半导体材料有限公司
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
【支持单位】
赛迪智库集成电路研究所
中国科学院半导体研究所
云南大学
山东大学
云南师范大学
昆明理工大学
晶体材料全国重点实验室
.....
【关键材料】
1、锗、硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
2、氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
3、氮化铝、金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
【主要方向】
1.化合物半导体单晶与外延材料
（砷化镓，磷化铟，氮化镓，碳化硅，氮化铝，氧化镓，氮化硼，蓝宝石，铌酸锂等晶体、外延生长及模拟设计等）
2. 硅、高纯锗及锗基材料
（大硅片生长及及应用，直拉法或区熔法等单晶生长，原料提纯，GeSi、GeSn、GeC 等多元单晶薄膜，切片与机械抛光，掺杂调控离子注入等）
3.高纯金属、原辅料制备及晶体外延生长与加工关键装备
（高纯前驱体，高纯试剂，高纯气体，高纯粉体， 长晶炉，MOCVD, MBE, LPE，PVT 等外延生长装备，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及抛光设备与材料，检测设备等）
4.测试评价及AI for Science
（AI 驱动的测试评价革新， 缺陷工程与掺杂策略、晶体生长智能调控、缺陷实时检测与修复，多尺度建模，绿色制造优化 等）
5.光电子器件工艺与应用
（发光二极管，激光二极管，光电探测器件，太阳能电池，照明与显示，激光雷达，光通信，量子技术等）
6.通讯射频器件工艺与应用
（功率放大器，低噪声放大器，滤波器，开关器件，移动通信，卫星通信，低空飞行器，无人机，射频能量等）
7.能源电子及应用
（风电&光伏&储能新能源，电动汽车，数据中心，工业电源，电机节能，轨道交通，智能电网，航空航天，工业控制，变频家电，消费电子，仪器仪表等）
8.绿色厂务及质量管控
（洁净厂房，高纯水制备，化学品供应，特气供应，废气处理及排放，废液处理，大宗气体供应及质量管控等）
【程序委员会】
大会主席：惠峰 （云南锗业）
副主席：陈秀芳（山东大学）、赵璐冰（CASA)
委员：赵德刚（中科院半导体所）、康俊勇（厦门大学）、 徐宝强（昆明理工）、皮孝东（浙江大学）、耿博（CASA)、王军喜（中科院半导体所）、孙钱（中科院苏州纳米所）、王垚浩（南砂晶圆)、 涂洁磊（云师大）、王宏兴（西交大）、彭燕（山东大学）、李强（西交大）、宁静（西电）、修向前（南京大学）、郭杰（云师大）、王茺（云南大学）、邱峰（云南大学）、杨杰（云南大学）、谢自力（南京大学）、葛振华（昆明理工大学）、田阳（昆明理工大学）、魏同波（中科院半导体所）、许福军（北京大学）、徐明升（山东大学）、孙海定（中国科学技术大学）、田朋飞（复旦大学）、刘玉怀（郑州大学）、朱振（浪潮华光）、杨晓光（中科院半导体所）、高娜（厦门大学）、陈飞宏（云南锗业）、康森（天通控股）、解楠（赛迪研究院 )、房玉龙（中电科十三所）、邓家云（昆明理工大学）、李宝学（云锗红外） ......等
【日程安排】
【拟参与单位】
中科院半导体所、鑫耀半导体，南砂晶圆，蓝河科技，天通控股，中电科十三所，南京大学，厦门大学，士佳光子，云锗红外，昆明理工大学，西安电子科技大学，中科院物理所，中电科四十八所，陕西源杰，九峰山实验室，中微公司，矢量集团，晶盛机电，连科半导体，晶澳太阳能 美科太阳能 高景太阳能 中研科精密 华夏芯智慧光子，国联万众，凝慧电子，晶湛半导体，英诺赛科，中光睿华，连城数控，云南大学，阿特斯阳光电力，山东大学，云南师范大学，中科院技物所，隆基电磁， 晶镓半导体，南砂晶圆、西安聚能超导，苏州纳维，中科院物理所，浙江大学，云南锗业，通美晶体，三安光电，电子科技大学，深圳平湖实验室，中科院长春光机所，广东工业大学，南方科技大学， 隆基绿能，合盛硅业，中光睿华，复旦大学，中国科学技术大学， 西安交通大学，江苏第三代半导体研究院， 光迅科技，镓和半导体 全磊光电 新易盛 昆明物理所，科友半导体，STR，河北同光，香港科技大学，深圳纳设 中科院苏州纳米所，中科院上海光机所，哈工大等等
【活动参与】
1、注册费：会议通票2800元；早鸟票：9月20日前注册报名2600元；（含会议资料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。
2、缴费方式：
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②在线注册
扫码注册报名
③现场缴费（微信+支付宝）
【论文投稿及报告咨询】
贾老师:18310277858，jiaxl@casmita.com
李老师:18601994986，linan@casmita.com
【参会参展及商务合作】
贾先生:18310277858,jiaxl@casmita.com
张女士:13681329411,zhangww@casmita.com
【会议酒店】
酒店名称：昆明亿壕城堡温德姆至尊酒店
酒店地址：中国（云南）自由贸易试验区昆明片区经开区枫丹白露花园
协议价格：430元/晚（含双早）
酒店预定联系: 陈经理，13759452505(微信同号）
邮箱：13759452505@139.com
