9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将在云南昆明举办。届时，杭州富加镓业科技有限公司外延器件部部长陈端阳将受邀出席论坛，并带来《氧化镓单晶衬底及外延技术研发进展》的主题报告，敬请关注！
嘉宾简介
陈端阳，上海光机所高级工程师，博士，氧化镓材料专家。针对功率电子对超宽禁带半导体氧化镓材料的需求，主持开发氧化镓MOCVD和MBE同质外延技术，制备大厚度、电学性能可控的高品质氧化镓同质外延薄膜，致力于实现高品质氧化镓材料的国产化突破，并积极参与布局和促进国内氧化镓产业链从单晶衬底、同质外延片、功率器件及下游应用的全流程迭代。制备出厚度超过10微米的氧化镓同质外延薄膜，外延薄膜的背景载流子浓度控制低至3.6E15 cm-3；通过精确调控MOCVD外延的掺杂浓度，进一步实现了10微米级高质量MOCVD同质外延片，载流子浓度为4.2 E16 cm-3时迁移率达到181.6 cm2/V·s。累计授权中国发明专利18项，授权美国发明专利8项、日本发明专利7项、俄罗斯发明专利1项。
单位简介
杭州富加镓业科技有限公司成立于 2019年 12 月 31 日，是杭州光学精密机械研究所注册成立的第一家“硬科技〞企业，公司以“让世界用上好材料”为愿景，开展宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，核心产品为氧化镓单晶衬底、MOCVD外延片、MBE外延片、氧化镓晶体生长及加工装备，产品主要服务于功率器件、微波射频及光电探测等领域。
报告前瞻
报告题目：氧化镓单晶衬底及外延技术研发进展
报告摘要：自2019年成立以来，富加镓业以“让世界用上好材料”为愿景，持续突破氧化镓关键技术瓶颈，现已构建起“装备-衬底-外延-器件验证”全链条产业化体系，成为国内少数实现氧化镓材料与装备双线自主可控的企业。在核心产品端，富加镓业已实现6英寸氧化镓单晶衬底规模化制备，产品达到半导体器件工艺线产业化门槛；4英寸MOCVD同质外延片性能优异，外延薄膜厚度突破10μm、迁移率超180 cm²/V·s，6英寸范围内厚度均匀性稳定优于±2%，为下游功率器件制造提供高适配性基础材料。同时，公司自主研发的氧化镓EFG设备、VB设备，不仅支持2-6英寸晶体生长，更率先实现“一键长晶”智能化操作，解决了氧化镓产业化的装备“卡脖子”问题。当前，富加镓业正加速推进6英寸氧化镓单晶及外延片产线建设，未来将达成“年产万片”的产能规模，进一步打通“材料-器件-应用”链路，为光伏、储能、新能源汽车等领域提供高能效半导体解决方案。
附会议信息：
【会议时间】 2025年9月26-28日
【会议地点】云南·昆明
【指导单位】
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）
【主办单位】
云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
极智半导体产业网（www.casmita.com）
半导体照明网(www.china-led.net)
第三代半导体产业
【承办单位】
云南鑫耀半导体材料有限公司
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
【支持单位】
赛迪智库集成电路研究所
中国科学院半导体研究所
云南大学
山东大学
云南师范大学
昆明理工大学
晶体材料全国重点实验室
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【关键材料】
1、锗、硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
2、氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
3、氮化铝、金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
【主要方向】
1.化合物半导体单晶与外延材料
（砷化镓，磷化铟，氮化镓，碳化硅，氮化铝，氧化镓，氮化硼，蓝宝石，铌酸锂等晶体、外延生长及模拟设计等）
2. 硅、高纯锗及锗基材料
（大硅片生长及及应用，直拉法或区熔法等单晶生长，原料提纯，GeSi、GeSn、GeC 等多元单晶薄膜，切片与机械抛光，掺杂调控离子注入等）
3.高纯金属、原辅料制备及晶体外延生长与加工关键装备
（高纯前驱体，高纯试剂，高纯气体，高纯粉体， 长晶炉，MOCVD, MBE, LPE，PVT 等外延生长装备，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及抛光设备与材料，检测设备等）
4.测试评价及AI for Science
（AI 驱动的测试评价革新， 缺陷工程与掺杂策略、晶体生长智能调控、缺陷实时检测与修复，多尺度建模，绿色制造优化 等）
5.光电子器件工艺与应用
（发光二极管，激光二极管，光电探测器件，太阳能电池，照明与显示，激光雷达，光通信，量子技术等）
6.通讯射频器件工艺与应用
（功率放大器，低噪声放大器，滤波器，开关器件，移动通信，卫星通信，低空飞行器，无人机，射频能量等）
7.能源电子及应用
（风电&光伏&储能新能源，电动汽车，数据中心，工业电源，电机节能，轨道交通，智能电网，航空航天，工业控制，变频家电，消费电子，仪器仪表等）
8.绿色厂务及质量管控
（洁净厂房，高纯水制备，化学品供应，特气供应，废气处理及排放，废液处理，大宗气体供应及质量管控等）
【程序委员会】
大会主席：惠峰 （云南锗业）
副主席：陈秀芳（山东大学）、赵璐冰（CASA)
委员：赵德刚（中科院半导体所）、康俊勇（厦门大学）、 徐宝强（昆明理工）、皮孝东（浙江大学）、耿博（CASA)、王军喜（中科院半导体所）、孙钱（中科院苏州纳米所）、王垚浩（南砂晶圆)、 涂洁磊（云师大）、王宏兴（西交大）、彭燕（山东大学）、李强（西交大）、宁静（西电）、修向前（南京大学）、郭杰（云师大）、王茺（云南大学）、邱峰（云南大学）、杨杰（云南大学）、谢自力（南京大学）、葛振华（昆明理工大学）、田阳（昆明理工大学）、魏同波（中科院半导体所）、许福军（北京大学）、徐明升（山东大学）、孙海定（中国科学技术大学）、田朋飞（复旦大学）、刘玉怀（郑州大学）、朱振（浪潮华光）、杨晓光（中科院半导体所）、高娜（厦门大学）、陈飞宏（云南锗业）、康森（天通控股）、解楠（赛迪研究院 )、房玉龙（中电科十三所）、邓家云（昆明理工大学）、李宝学（云锗红外） ......等
【日程安排】
【拟参与单位】
中科院半导体所、鑫耀半导体，南砂晶圆，蓝河科技，天通控股，中电科十三所，南京大学，厦门大学，士佳光子，云锗红外，昆明理工大学，西安电子科技大学，中科院物理所，中电科四十八所，陕西源杰，九峰山实验室，中微公司，矢量集团，晶盛机电，连科半导体，晶澳太阳能 美科太阳能 高景太阳能 中研科精密 华夏芯智慧光子，国联万众，凝慧电子，晶湛半导体，英诺赛科，中光睿华，连城数控，云南大学，阿特斯阳光电力，山东大学，云南师范大学，中科院技物所，隆基电磁， 晶镓半导体，南砂晶圆、西安聚能超导，苏州纳维，中科院物理所，浙江大学，云南锗业，通美晶体，三安光电，电子科技大学，深圳平湖实验室，中科院长春光机所，广东工业大学，南方科技大学， 隆基绿能，合盛硅业，中光睿华，复旦大学，中国科学技术大学， 西安交通大学，江苏第三代半导体研究院， 光迅科技，镓和半导体 全磊光电 新易盛 昆明物理所，科友半导体，STR，河北同光，香港科技大学，深圳纳设 中科院苏州纳米所，中科院上海光机所，哈工大等等
【活动参与】
1、注册费：会议通票2800元；早鸟票：9月20日前注册报名2600元；（含会议资料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。
2、缴费方式：
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②在线注册
扫码注册报名
③现场缴费（微信+支付宝）
【论文投稿及报告咨询】
贾老师:18310277858，jiaxl@casmita.com
李老师:18601994986，linan@casmita.com
【参会参展及商务合作】
贾先生:18310277858,jiaxl@casmita.com
张女士:13681329411,zhangww@casmita.com
【会议酒店】
酒店名称：昆明亿壕城堡温德姆至尊酒店
酒店地址：中国（云南）自由贸易试验区昆明片区经开区枫丹白露花园
协议价格：430元/晚（含双早）
酒店预定联系: 陈经理，13759452505(微信同号）
邮箱：13759452505@139.com
