9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，西安电子科技大学集成电路学部助理研究员陶鸿昌将受邀出席论坛，并带来《氧化镓异质外延成核调控及肖特基二极管（SBD）势垒均匀性研究》的主题报告，敬请关注！
嘉宾简介
陶鸿昌，助理研究员，博士。2018年与2023年分别获得西安电子科技大学学士学位与博士学位，2024年至今于西安电子科技大学从事博士后研究。主要从事高质量氮化物异质外延及氧化镓研究，在外延机理，高质量外延新方法以及高效率氮化物光电器件结构设计及制备方面取得多项成果。发表SCI论文三十余篇，包括IEEE TED，IEEE EDL，APL，Optics Express，Fundamental Research等多项领域旗舰刊物，申请国家发明专利20余项。主持国家自然科学基金青年项目，国家博士后资助计划项目，中国博士后科学基金面上资助项目，中央高校基本科研业务费；参与国家重点研发计划，国家重大科技专项等多项国家级项目。相关研究成果获得诺贝尔奖得主天野浩，IEEE Fellow，中科院院士等国内外知名专家学者的多次正面引用。
单位简介
西安电子科技大学宽禁带半导体研究团队以郝跃院士为首席科学家，依托宽禁带半导体与集成技术全国重点实验室，宽禁带半导体国家工程研究中心，先后获得国家首批国防科技创新团队、西安电子科技大学优秀创新团队、全国高校黄大年式教师团队等称号。团队长期从事宽禁带半导体材料与器件、微纳米半导体器件、与高可靠集成电路芯片等科学研究。近年来牵头获得了国家科技进步一等奖1项，国家技术发明二等奖2项，国家科技进步二等奖1项，陕西省最高科学技术奖1项，核心技术成果已在国家重大工程中成功应用。团队以解决国家重大需求为己任，坚持爱国奉献、立德树人、科教兴国的初心使命，开拓进取，勇攀宽禁带半导体科技高峰。
报告前瞻
报告题目：氧化镓异质外延成核调控及肖特基二极管（SBD）势垒均匀性研究
报告摘要：氧化镓（β-Ga₂O₃）作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，近年来在功率电子和深紫外光电探测器等领域引起了广泛关注。其禁带宽度约为4.8 eV，对应日盲紫外波段（200–280 nm），具有高击穿电场（约8 MV/cm）、优异的热稳定性和化学稳定性，是制备高耐压、低损耗功率器件和高灵敏度紫外探测器的理想材料。此外，β-Ga₂O₃可通过熔体法生长出大尺寸单晶衬底，具备低成本、可扩展的优势。因此，氧化镓被认为是继硅、GaN、碳化硅之后，下一代功率与光电器件的重要候选材料，具有广阔的应用前景和研究价值。为了实现高质量并进一步降低β-Ga₂O₃外延层的成本，基于异质外延获取β-Ga₂O₃外延层是极具潜力的方式。然而，在异质衬底上实现高质量β-Ga₂O₃薄膜仍面临重大挑战。β-Ga₂O₃的六重旋转对称性导致其在异质衬底上形成多种晶粒，产生扭曲和倾斜等晶体缺陷，且初始生长的随机成核会导致晶粒无序，难以合并。针对位错瓶颈，本报告中提出采用成核调控实现诱导后的有序成核以大幅降低β-Ga₂O₃的位错密度，并基于此异质外延薄膜制备出了高性能日盲紫外探测器，验证了材料的优异特性。此外，在β-Ga₂O₃基肖特基已被证明具有高耐压，低功率损耗等优势，在下一代功率及射频电子器件的应用中具有广阔的前景。目前，对于高功函数金属（如Ni、Pt、Pd）与β-Ga₂O₃之间的势垒不均匀性，已有基于热电子发射理论的解释。然而，对于低功函数金属（如钨W）与β-Ga₂O₃之间的势垒不均匀性，尚缺乏系统研究。因此本报告中还系统研究了以低功函数W/Au为肖特基金属的垂直结构β-Ga₂O₃肖特基势垒二极管的电学特性及其势垒不均匀性。通过电容-电压（C-V）特性、正向电流密度-电压（J-V）特性以及反向击穿电压（BV）测试，评估了器件性能，并解释了势垒高度和理想因子的温度依赖性，且发现退火处理可有效降低势垒高度波动，为高可靠的氧化镓SBD提供了新的思路。
附会议信息：
【会议时间】 2025年9月26-28日
【会议地点】云南·昆明
【指导单位】
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）
【主办单位】
云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
极智半导体产业网（www.casmita.com）
半导体照明网(www.china-led.net)
第三代半导体产业
【承办单位】
云南鑫耀半导体材料有限公司
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
【支持单位】
赛迪智库集成电路研究所
中国科学院半导体研究所
云南大学
山东大学
云南师范大学
昆明理工大学
晶体材料全国重点实验室
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【关键材料】
1、锗、硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
2、氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
3、氮化铝、金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
【主要方向】
1.化合物半导体单晶与外延材料
（砷化镓，磷化铟，氮化镓，碳化硅，氮化铝，氧化镓，氮化硼，蓝宝石，铌酸锂等晶体、外延生长及模拟设计等）
2. 硅、高纯锗及锗基材料
（大硅片生长及及应用，直拉法或区熔法等单晶生长，原料提纯，GeSi、GeSn、GeC 等多元单晶薄膜，切片与机械抛光，掺杂调控离子注入等）
3.高纯金属、原辅料制备及晶体外延生长与加工关键装备
（高纯前驱体，高纯试剂，高纯气体，高纯粉体， 长晶炉，MOCVD, MBE, LPE，PVT 等外延生长装备，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及抛光设备与材料，检测设备等）
4.测试评价及AI for Science
（AI 驱动的测试评价革新， 缺陷工程与掺杂策略、晶体生长智能调控、缺陷实时检测与修复，多尺度建模，绿色制造优化 等）
5.光电子器件工艺与应用
（发光二极管，激光二极管，光电探测器件，太阳能电池，照明与显示，激光雷达，光通信，量子技术等）
6.通讯射频器件工艺与应用
（功率放大器，低噪声放大器，滤波器，开关器件，移动通信，卫星通信，低空飞行器，无人机，射频能量等）
7.能源电子及应用
（风电&光伏&储能新能源，电动汽车，数据中心，工业电源，电机节能，轨道交通，智能电网，航空航天，工业控制，变频家电，消费电子，仪器仪表等）
8.绿色厂务及质量管控
（洁净厂房，高纯水制备，化学品供应，特气供应，废气处理及排放，废液处理，大宗气体供应及质量管控等）
【程序委员会】
大会主席：惠峰 （云南锗业）
副主席：陈秀芳（山东大学）、赵璐冰（CASA)
委员：赵德刚（中科院半导体所）、康俊勇（厦门大学）、 徐宝强（昆明理工）、皮孝东（浙江大学）、耿博（CASA)、王军喜（中科院半导体所）、孙钱（中科院苏州纳米所）、王垚浩（南砂晶圆)、 涂洁磊（云师大）、王宏兴（西交大）、彭燕（山东大学）、李强（西交大）、宁静（西电）、修向前（南京大学）、郭杰（云师大）、王茺（云南大学）、邱峰（云南大学）、杨杰（云南大学）、谢自力（南京大学）、葛振华（昆明理工大学）、田阳（昆明理工大学）、魏同波（中科院半导体所）、许福军（北京大学）、徐明升（山东大学）、孙海定（中国科学技术大学）、田朋飞（复旦大学）、刘玉怀（郑州大学）、朱振（浪潮华光）、杨晓光（中科院半导体所）、高娜（厦门大学）、陈飞宏（云南锗业）、康森（天通控股）、解楠（赛迪研究院 )、房玉龙（中电科十三所）、邓家云（昆明理工大学）、李宝学（云锗红外） ......等
【日程安排】
【拟参与单位】
中科院半导体所、鑫耀半导体，南砂晶圆，蓝河科技，天通控股，中电科十三所，南京大学，厦门大学，士佳光子，云锗红外，昆明理工大学，西安电子科技大学，中科院物理所，中电科四十八所，陕西源杰，九峰山实验室，中微公司，矢量集团，晶盛机电，连科半导体，晶澳太阳能 美科太阳能 高景太阳能 中研科精密 华夏芯智慧光子，国联万众，凝慧电子，晶湛半导体，英诺赛科，中光睿华，连城数控，云南大学，阿特斯阳光电力，山东大学，云南师范大学，中科院技物所，隆基电磁， 晶镓半导体，南砂晶圆、西安聚能超导，苏州纳维，中科院物理所，浙江大学，云南锗业，通美晶体，三安光电，电子科技大学，深圳平湖实验室，中科院长春光机所，广东工业大学，南方科技大学， 隆基绿能，合盛硅业，中光睿华，复旦大学，中国科学技术大学， 西安交通大学，江苏第三代半导体研究院， 光迅科技，镓和半导体 全磊光电 新易盛 昆明物理所，科友半导体，STR，河北同光，香港科技大学，深圳纳设 中科院苏州纳米所，中科院上海光机所，哈工大等等
【活动参与】
1、注册费：会议通票2800元；早鸟票：9月20日前注册报名2600元；（含会议资料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。
2、缴费方式：
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②在线注册
扫码注册报名
③现场缴费（微信+支付宝）
【论文投稿及报告咨询】
贾老师:18310277858，jiaxl@casmita.com
李老师:18601994986，linan@casmita.com
【参会参展及商务合作】
贾先生:18310277858,jiaxl@casmita.com
张女士:13681329411,zhangww@casmita.com
【会议酒店】
酒店名称：昆明亿壕城堡温德姆至尊酒店
酒店地址：中国（云南）自由贸易试验区昆明片区经开区枫丹白露花园
协议价格：430元/晚（含双早）
酒店预定联系: 陈经理，13759452505(微信同号）
邮箱：13759452505@139.com
