2025云南晶体大会前瞻|甬江实验室陈荔:氮化铝半极性面外延调控及其在深紫外LED中的应用

日期:2025-09-18 阅读:308
核心提示:9月26-28日,“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时,甬江实验室副研究员陈荔将出席会议,并带来《氮化铝半极性面外延调控及其在深紫外LED中的应用》的主题报告,敬请关注!

头图

 9月26-28日,“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时,甬江实验室副研究员陈荔将出席会议,并带来《氮化铝半极性面外延调控及其在深紫外LED中的应用》的主题报告,敬请关注!

 40-陈荔

嘉宾简介

陈荔,甬江实验室副研究员、硕士生导师,毕业于厦门大学,主要从事氮化物宽禁带半导体材料与光电器件的相关研究工作,在氮化物材料外延、量子结构设计及半导体原位测试技术等方面取得了原创性成果,在Light: Science & Applications、Photonics Research、ACS Photonics等国际学术期刊发表论文50余篇。已承担国家自然科学基金、浙江省自然科学基金、宁波市自然科学基金、福建省重点实验室开放课题等项目,参与了国家重点研发计划、GF项目、宁波市2025重大专项、中科院仪器设备研制等项目研究。 

单位简介

甬江实验室超宽禁带半导体材料与器件研究中心现有成员30余人,围绕超宽禁带半导体光电/电力电子芯片的开发,聚焦超宽禁带半导体材料与器件的关键共性技术及先进制造工艺,推动超宽禁带半导体材料、工艺、器件、模块的迭代发展。重点研究方向包括:氧化镓、氮化镓基高质量半导体薄膜与器件外延、光电子器件研发、功率电子器件研发等。、 

报告前瞻

报告题目:氮化铝半极性面外延调控及其在深紫外LED中的应用

报告摘要:近年来,氮化物半导体受到了广泛的关注,尤其是AlGaN材料,通过调制Al组分,可实现200-360 nm波段紫外发光,是制备无汞固态紫外光源的首选材料,有巨大的发展潜力。当前紫外LED存在外量子效率和电光转换效率随发光波长变短而急剧下降的问题,导致该问题的原因涉及外延晶体质量、自发极化和压电极化、p型和n型掺杂、发光极化变化等方面。高密度缺陷导致大量非辐射复合,强极化场引发电子空穴波函数空间分离,价带顶轻重空穴带与晶体场分裂带发生翻转导致价带顶由c面内取向的pxpy轨道转变为沿c轴取向的pz轨道构成,因此价带顶辐射复合发光由TE转为TM模,并且由pz轨道构成的晶体场分裂带表现出的反常量子限域行为,进一步降低了辐射复合效率。因此,进一步提升载流子辐射复合抑制非辐射复合是提升深紫外LED发光效率的关键之一。半极性面量子阱能够通过改变量子阱与p轨道之间的角度关系,提升载流子限域及辐射复合发光的提取。本工作开展了氮化铝半极性面晶面调控及缺陷控制的研究,获得了内量子效率最高可达93.9 %的半极性量子阱结构,为进一步提升深紫外LED光电性能提供了新途径。

附会议信息: 

【会议时间】 2025年9月26-28日

【会议地点】云南·昆明 

【指导单位】

  第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)

  中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)

【主办单位】

  云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

 极智半导体产业网(www.casmita.com)

 半导体照明网(www.china-led.net)

 第三代半导体产业

【承办单位】

云南鑫耀半导体材料有限公司

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

【支持单位】

赛迪智库集成电路研究所

 中国科学院半导体研究所

 云南大学

 山东大学

 云南师范大学

 昆明理工大学

 晶体材料全国重点实验室

.....

【关键材料】

1、锗、硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究;

2、氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究;

3、氮化铝、金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究;

【主要方向】

1.化合物半导体单晶与外延材料

(砷化镓,磷化铟,氮化镓,碳化硅,氮化铝,氧化镓,氮化硼,蓝宝石,铌酸锂等晶体、外延生长及模拟设计等)

2. 硅、高纯锗及锗基材料

(大硅片生长及及应用,直拉法或区熔法等单晶生长,原料提纯,GeSi、GeSn、GeC 等多元单晶薄膜,切片与机械抛光,掺杂调控离子注入等) 

3.高纯金属、原辅料制备及晶体外延生长与加工关键装备

(高纯前驱体,高纯试剂,高纯气体,高纯粉体, 长晶炉,MOCVD,  MBE, LPE,PVT 等外延生长装备,Mo源,MBE 源, 石墨,切割,研磨及抛光设备与材料,检测设备等)

4.测试评价及AI for Science

(AI 驱动的测试评价革新, 缺陷工程与掺杂策略、晶体生长智能调控、缺陷实时检测与修复,多尺度建模,绿色制造优化 等)

5.光电子器件工艺与应用

(发光二极管,激光二极管,光电探测器件,太阳能电池,照明与显示,激光雷达,光通信,量子技术等)

6.通讯射频器件工艺与应用

(功率放大器,低噪声放大器,滤波器,开关器件,移动通信,卫星通信,低空飞行器,无人机,射频能量等)

7.能源电子及应用

(风电&光伏&储能新能源,电动汽车,数据中心,工业电源,电机节能,轨道交通,智能电网,航空航天,工业控制,变频家电,消费电子,仪器仪表等)

8.绿色厂务及质量管控

(洁净厂房,高纯水制备,化学品供应,特气供应,废气处理及排放,废液处理,大宗气体供应及质量管控等)

【程序委员会】

大会主席:惠峰 (云南锗业)

副主席:陈秀芳(山东大学)、赵璐冰(CASA)

委员:赵德刚(中科院半导体所)、康俊勇(厦门大学)、 徐宝强(昆明理工)、皮孝东(浙江大学)、耿博(CASA)、王军喜(中科院半导体所)、孙钱(中科院苏州纳米所)、王垚浩(南砂晶圆)、 涂洁磊(云师大)、王宏兴(西交大)、彭燕(山东大学)、李强(西交大)、宁静(西电)、修向前(南京大学)、郭杰(云师大)、王茺(云南大学)、邱峰(云南大学)、杨杰(云南大学)、谢自力(南京大学)、葛振华(昆明理工大学)、田阳(昆明理工大学)、魏同波(中科院半导体所)、许福军(北京大学)、徐明升(山东大学)、孙海定(中国科学技术大学)、田朋飞(复旦大学)、刘玉怀(郑州大学)、朱振(浪潮华光)、杨晓光(中科院半导体所)、高娜(厦门大学)、陈飞宏(云南锗业)、康森(天通控股)、解楠(赛迪研究院 )、房玉龙(中电科十三所)、邓家云(昆明理工大学)、李宝学(云锗红外) ......等

【日程安排】

日程

【拟参与单位】

中科院半导体所、鑫耀半导体,南砂晶圆,蓝河科技,天通控股,中电科十三所,南京大学,厦门大学,士佳光子,云锗红外,昆明理工大学,西安电子科技大学,中科院物理所,中电科四十八所,陕西源杰,九峰山实验室,中微公司,矢量集团,晶盛机电,连科半导体,晶澳太阳能  美科太阳能 高景太阳能   中研科精密 华夏芯智慧光子,国联万众,凝慧电子,晶湛半导体,英诺赛科,中光睿华,连城数控,云南大学,阿特斯阳光电力,山东大学,云南师范大学,中科院技物所,隆基电磁, 晶镓半导体,南砂晶圆、西安聚能超导,苏州纳维,中科院物理所,浙江大学,云南锗业,通美晶体,三安光电,电子科技大学,深圳平湖实验室,中科院长春光机所,广东工业大学,南方科技大学, 隆基绿能,合盛硅业,中光睿华,复旦大学,中国科学技术大学, 西安交通大学,江苏第三代半导体研究院, 光迅科技,镓和半导体 全磊光电 新易盛  昆明物理所,科友半导体,STR,河北同光,香港科技大学,深圳纳设 中科院苏州纳米所,中科院上海光机所,哈工大等等 

【活动参与】

1、注册费:会议通票2800元;早鸟票:9月20日前注册报名2600元;(含会议资料袋,9月27日午餐、晚宴,9月28日午餐等 )。

2、缴费方式:

①银行汇款

开户行:中国银行北京科技会展中心支行

账 号:336 356 029 261

名 称:北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司 

②在线注册

报名二维码

扫码注册报名

③现场缴费(微信+支付宝)

【论文投稿及报告咨询】

贾老师:18310277858,jiaxl@casmita.com 

李老师:18601994986,linan@casmita.com 

【参会参展及商务合作】

贾先生:18310277858,jiaxl@casmita.com 

张女士:13681329411,zhangww@casmita.com 

【会议酒店】

酒店名称:昆明亿壕城堡温德姆至尊酒店

酒店地址:中国(云南)自由贸易试验区昆明片区经开区枫丹白露花园

协议价格:430元/晚(含双早)

酒店预定联系: 陈经理,13759452505(微信同号)

邮箱:13759452505@139.com 

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