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北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利,显著提升器件的光输出
功率
半导体所研制出室温连续
功率
4.6W的GaN基大
功率
紫外激光器
日本初创公司开发
功率
半导体生产新材料 成本降低75%
上海光机所在高重频高
功率
超快激光器研究取得进展
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大
功率
高效散热GaN器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石
SiC
GaN
衬底
嘉善复旦研究院与复旦大学科研团队在低传导损耗
功率
器件方面取得重大进展
我国取得深海大
功率
人工源电磁探测技术新突破
西安电子科技大学郝跃院士团队:氧化镓
功率
器件研究成果
电子科技大学罗小蓉课题组在超宽禁带半导体氧化镓
功率
器件领域取得研究进展
中山大学王钢教授团队在NiO/β-Ga₂O₃异质结在
功率
器件领域的研究进展
中国科大在
功率
电子器件领域取得重要进展
中科院微电子所:在硅基氮化镓横向
功率
器件的动态可靠性研究方面取得进展
CASA发布《SiC MOSFET
功率
器件的应用可靠性评价技术体系报告》
简述
功率
半导体器件之IGBT技术及市场发展概况
简述金刚石在 GaN
功率
放大器热设计中的应用
简述一种具有叠层钝化结构的高耐压低功耗GaN
功率
器件
简述碳化硅
功率
器件封装的三个关键技术
简述GaN
功率
器件应用可靠性增长研究
上海光机所在高峰值
功率
皮秒深紫外光源方面取得研究进展
简述通过栅极驱动器提高开关电源
功率
密度
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向
功率
器件
东风汽车碳化硅
功率
模块将于2023年实现量产
SiC MOSFET
功率
模块的各种参数电动汽车
浅述GaN
功率
器件的发展
简述
功率
MOSFET电流额定值和热设计
Nature Electronics 电力电子首篇综述 -
功率
器件的多维结构
中科院微电子所研制高
功率
密度5结级联905nm VCSEL
简述SiC
功率
器件的新发展和挑战
简述碳化硅
功率
器件封装关键技术
简述使用不同类型GaN FET 设计提高系统设计
功率
密度
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