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CSPSD 2025前瞻|九峰山实验室袁俊:新型多级沟槽氧化镓
功率
器件的研究
CSPSD 2025前瞻| 深圳大学刘新科:低成本GaN基GaN
功率
器件
CSPSD 2025前瞻|南京第三代半导体技术创新中心有限公司李士颜:新一代SiC
功率
MOSFET产品研制进展
扬杰科技10亿元SiC车规级
功率
半导体模块封装项目开工
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学宋庆文:高性能SiC
功率
器件关键技术研究进展
CSPSD 2025前瞻|江南大学黄伟:高性能宇航级SGT
功率
器件与辐照模型研究
TMC2025车规级
功率
半导体论坛剧透:破解新能源“卡脖子”技术
江南大学成果推介:氮化镓微波
功率
器件
总投资超50亿元,中低压
功率
器件产业化(株洲)建设项目封顶
CSPSD 2025前瞻|南京大学周峰:氮化镓
功率
器件辐射效应与加固技术研究
2025车用
功率
半导体应用技术培训会将在广州南沙举办
CSPSD 2025前瞻|新微半导体王庆宇:氮化镓赋能未来,突破
功率
极限,开启能效革命
CSPSD 2025前瞻|爱发科王鹤鸣:面向
功率
器件制造的先进离子注入解决方案的集成工艺与创新
CSPSD 2025前瞻|昕感科技李道会:面向车规应用的
功率
之”芯”SiC及封装技术挑战
最新报告嘉宾公布!2025
功率
半导体器件与集成电路会议(CSPSD2025)
CSPSD 2025前瞻|北京大学魏进:GaN
功率
器件动态电阻与动态阈值电压
CSPSD 2025前瞻|广东工业大学周贤达:
功率
MOSFET的非嵌位感性开关
CSPSD 2025前瞻|炽芯微电子朱正宇:
功率
器件封装技术的发展及展望
CSPSD 2025前瞻|中国科学院微电子所黄森:高可靠GaN基MIS-HEMT
功率
器件与集成
标准 |“GaN HEMT DHTOL、
功率
器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
丹佛斯南京
功率
模块园区正式启用 总投资超8亿元
纳微半导体推出全新SiCPAK™
功率
模块
九峰山实验室推氧化镓科研级
功率
单管及coupon to wafer流片平台
重庆万国半导体申请沟槽型
功率
半导体器件及其制备方法专利,提高开关速度与线性区能力
捷捷微电:6英寸
功率
半导体项目正处于产能爬坡期,月产出已达5万片
总投资5100余万 芯盟高等级
功率
半导体厂房竣工
三安半导体“碳化硅
功率
器件的制备方法及其碳化硅
功率
器件”专利公布
2025JFSC平行论坛5丨
功率
电子技术,精彩议题抢先看
MaM发表深圳大学刘新科团队综述文章:下一代
功率
器件的GaN-on-diamond技术
意法半导体推出完整的低压高
功率
电机控制参考设计
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