当前全垂直GaN-on-Si功率MOSFET在高压功率电子领域的应用前景备受关注。其中，1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET仍处于技术攻关阶段。已有研究通过优化栅极沟槽工艺和背面铜层电镀技术，实现了5 mΩ·cm²的低导通电阻和520 V击穿电压，但尚未达到1.5 kV耐压目标。
5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。本次论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，南京邮电大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业共同主办。南京邮电大学集成电路科学与工程学院（产教融合学院）、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。电子科技大学、南京邮电大学南通研究院、苏州镓和半导体有限公司、扬州扬杰电子科技股份有限公司等单位协办。
会议设有开幕大会&主旨报告，以及硅及宽禁带半导体材料、器件及集成应用，超宽禁带材料、器件及集成应用，功率集成交叉与应用，先进封装与异构集成等4个平行论坛，将覆盖晶圆造、芯片设计、芯片加工、模块封装、测试分析、软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。
届时，山东大学集成电路学院/晶体材料全国重点实验室教授、博士生导师刘超将受邀出席会议，并带来《1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET》的主题报告，分享最新研究成果，敬请关注！
嘉宾简介
刘超, 山东大学集成电路学院/晶体材料全国重点实验室教授、博士生导师、国家重点研发计划首席青年科学家、齐鲁青年学者。2016年毕业于香港科技大学，获电子与计算机工程学博士学位，2016年至2019年在瑞士洛桑联邦理工学院从事博士后研究。主要研究兴趣是宽禁带半导体材料与器件，包括III族氮化物半导体的MOCVD外延生长、先进器件制备工艺以及单片集成模块的开发等。从事宽禁带半导体GaN材料与器件研究十余年，有数项工作为世界首创及国际领先，研制了世界首枚垂直型硅基GaN晶体管，首次实现了垂直型GaN晶体管与续流肖特基二极管的单片集成，至今保持着垂直型硅基GaN功率MOSFET耐压水平的世界记录。迄今为止，主持“十四五”国家重点研发计划青年科学家项目、国家自然科学基金等十余项科研项目以及华为、海信等公司多项横向课题。在本领域权威期刊IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Letters以及功率半导体顶级会议ISPSD等共发表论文90余篇，申请/授权发明专利30余件，其研究成果被IEEE Spectrum、Semiconductor Today、Compound Semiconductor等国际产业杂志亮点报道十余次。
山东大学宽禁带半导体器件团队依托晶体材料国家重点实验室、教育部新一代半导体材料集成攻关大平台、国家示范性微电子学院等平台开展研究，具有完备的氮化物材料外延与表征、器件设计与制备，以及性能测试条件。团队聚焦垂直型氮化物功率器件，取得了一系列突出成果：制备了世界首枚基于大尺寸、低成本硅衬底的垂直型GaN功率晶体管，突破了GaN单晶衬底尺寸小、价格贵的瓶颈难题；开发了1500 V完全垂直型硅基GaN沟槽MOSFET，拓展了硅基GaN功率器件在千伏级以上高压、大功率应用场景的可行性；首次报道了单片集成续流二极管的垂直型GaN功率晶体管，解决了器件在感性负载电路中的第三象限续流问题；制备了千伏级垂直型AlGaN功率P-i-N二极管以及肖特基二极管，利用III族氮化物材料体系较为成熟的p型掺杂技术，为超宽禁带半导体器件的p型掺杂、电场调控以及结构设计提供了新的思路和方案。相关工作获得国家重点研发计划、国家自然科学基金、山东省自然科学基金、广东省自然科学基金、深圳市自然科学基金、深圳市协同创新科技计划等多项纵向项目以及华为、海信等公司多项横向课题支持。
会议时间：5月22-24日
会议酒店：中国·南京·熹禾涵田酒店
组织机构
指导单位：第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：南京邮电大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业
承办单位：南京邮电大学集成电路科学与工程学院（产教融合学院）、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
协办支持：电子科技大学、南京邮电大学南通研究院、苏州镓和半导体有限公司、扬州扬杰电子科技股份有限公司
大会主席：郭宇锋
联合主席：柏松 张波 赵璐冰
程序委员会：盛况 陈敬 张进成 陆海 唐为华 罗小蓉 张清纯 龙世兵 王来利 程新红 杨媛 杨树 张宇昊 刘斯扬 章文通 陈敦军 耿博 郭清 蔡志匡 刘雯 邓小川 魏进 周琦 周弘 叶怀宇 许晟瑞 张龙 包琦龙 金锐 姚佳飞 蒋其梦 明鑫 周春华 等
组织委员会
主 任：姚佳飞
副主任：涂长峰
成 员:张茂林 周峰 徐光伟 刘盼 王珩宇 杨可萌 张珺 王曦 罗鹏 刘成 刘宇 马慧芳 陈静 李曼 贾欣龙等
主题方向
1. 硅基功率器件与集成技术
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术
2.碳化硅功率器件与集成技术
碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
3.氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成
氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
4.氧化镓/金刚石功率器件与集成技术
氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
5.模组封装与应用技术
功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性
6.面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术
核心外延材料、晶圆芯片及封装材料；退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术；制造、封装、检测及测试设备等
7.功率器件交叉领域
基于新材料（柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料）的功率半导体器件设计、制造与集成技术；人工智能驱动的功率器件仿真，建模与设计、封装与测试
会议日程总览
最新报告嘉宾
备注：以下为目前部分报告嘉宾和议题，不分先后！
张进成--西安电子科技大学副校长、教授
孙伟锋--东南大学集成电路学院院长
唐为华--南京邮电大学教授、镓和半导体董事长
用于XPU供电的DrMOS器件发展趋势与技术挑战
乔明--电子科技大学教授
用于XPU供电的DrMOS器件发展趋势与技术挑战
TBD--英诺赛科科技有限公司
TBD--扬杰科技
王庆宇--新微半导体总经理
氮化镓赋能未来，突破功率极限，开启能效革命
陈敦军--南京大学电子科学与工程学院副院长、教授
氧化镓异质结构与器件
叶建东--南京大学电子科学与工程学院副院长、教授
氧化镓异质结构与器件
魏进--北京大学集成电路学院研究员
Multidimensional Devices in GaN and Ga2O3: Superjunction, Multi-channel, and FinFET
张宇昊 巩贺贺--香港大学教授、博士后研究员
宋庆文--西安电子科技大学教授
面向功率器件制造的先进离子注入解决方案：集成工艺与创新
王鹤鸣--爱发科（苏州）技术研究开发有限公司研究员
高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件与集成
黄森--中国科学院微电子研究所研究员
新能源时代半导体封测技术与趋势
邢卫兵--通富微电子股份有限公司/通富研究院Power技术中心负责人
功率器件封装技术的发展及展望
朱正宇--炽芯微电子科技（苏州）有限公司董事长&总经理
面向车规应用的功率之”芯”SiC及封装技术挑战
李道会--北京昕感科技(集团)副总，功率模块事业部负责人
氮化镓功率器件辐射效应与加固技术研究
周 峰--南京大学副研究员
氮化镓功率器件辐射效应与加固技术研究
宣融--南京百识电子科技有限公司总经理
程新红--中国科学院上海微系统研究所研究员
宽禁带半导体3D集成技术
邓小川--电子科技大学教授
刘盼--复旦大学上海碳化硅功率器件工程技术研究中心副主任
施宜军--工业和信息化部电子第五研究所高级工程师
P-GaN HEMT栅极ESD鲁棒性及改进方法
彭燕--山东大学教授
High Breakdown Voltage Low Dynamic RON Non-etching E-mode GaN HEMTs with Oxidized In-situ p-GaN Layer as Passivation
张洁--西交利物浦大学芯片学院助理教授、本科专业负责人
1.5 kV Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFETs
刘超--山东大学集成电路学院/晶体材料全国重点实验室教授
GaN Monolithic Integration for Power Conversion Applications
朱昱豪--青海大学能源与电气工程学院讲师
Enhancement-mode (001) β-Ga2O3 Vertical Multi-fin Power Transistors
郭高甫--中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
3 kV级超宽禁带Diamond/ε-Ga2O3异质p-n结二极管
章建国--中国科学院宁波材料技术与工程研究所博士
......更多报告嘉宾持续确认更新中
参会及拟邀单位
中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、九峰山实验室、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、明义微电子、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学等……
活动参与：
注册费2800元，5月15日前注册报名2500元（含会议资料袋，23日午餐、欢迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）
缴费方式
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②移动支付
备注：通过银行汇款/移动支付，请务必备注：单位简称+姓名+南京，以便后续查询及开具发票。若需开具发票请将报名信息、转账凭证及开票信息发送至邮箱:lilyli@china-led.net。
扫码预报名
备注：此码为预报名通道，完成信息提交后，需要对公汇款或者扫码支付注册费。
论文投稿及报告咨询：
贾老师 18310277858 jiaxl@casmita.com
姚老师 15951945951 jfyao@njupt.edu.cn
张老师 17798562651 mlzhang@njupt.edu.cn
李老师 18601994986 linan@casmita.com
赞助、展示及参会联系：
贾先生 18310277858 jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411 zhangww@casmita.com
投稿模板下载：投稿模板_CSPSD2025.docx 文章择优推荐到EI期刊《半导体学报（英文）》。
会议酒店
南京熹禾涵田酒店
协议价格：标间&大床房，400元/晚，含早餐
地址：南京市浦口区象贤路158号
邮箱：503766958@qq.com
酒店联系人
陆经理 15050562332 025-58628888
