2025年8月10日-13日，我国宽禁带半导体领域的行业盛会——第六届全国宽禁带半导体学术会议将在大连举办。大会由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会共同主办，大连理工大学、东北师范大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟联合承办。
本届大会设置开闭幕大会，材料生长、材料物性与辐照测试、光电子器件及其应用、电子器件及其应用、新型宽禁带材料与器件5个平行分会，来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生、企业家代表等，将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研用的交流合作。这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展起到有力的推动作用。
届时，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）将携最新产品方案亮相本次学术盛会（展位号：A05）。并且，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）首席科学家梁剑波将分享《2英寸多晶金刚石与GaN常温直接键合及其在热管理中的应用》的主题报告，诚挚邀请行业专家学者、业界同仁莅临现场，进行深入的交流与探讨，共同探索未来进一步合作的可能性。
嘉宾简介
梁剑波，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）首席科学家、大阪公立大学教授及博士生导师，长期从事半导体材料异质集成、高导热界面及高性能器件研究，聚焦GaN、SiC、金刚石等宽禁带材料的低热阻集成与封装技术。在《Advanced Materials》《Nature Communications》《Small》等国际期刊发表论文150余篇，拥有中日美发明专利12项。曾获南部阳一郎优秀研究奖、国际会议最佳论文奖及期刊优秀审稿人奖，具备丰富的产学研协同与技术转化经验。
报告题目：2英寸多晶金刚石与GaN常温直接键合及其在热管理中的应用
摘要：本研究针对高功率电子器件热管理中的核心瓶颈，提出了一种基于多晶金刚石（PCD）与GaN通过3C-SiC实现常温直接键合的新型异质集成方案。尽管PCD具备极高热导率，其较大的表面粗糙度仍限制了其在高性能器件中的应用。实验中，采用表面粗糙度约为2.48 nm的2英寸PCD晶圆与3C-SiC在室温下成功实现直接键合（如图1所示），界面形成约7 nm的无定形中间层。经1100°C热处理，该中间层转化为约13 nm的多晶SiC，界面未出现裂纹或分层，显示出良好的热稳定性与机械完整性。
热性能分析表明，尽管PCD的生长面热导率高于单晶金刚石（SCD），但因其较小晶粒导致声子散射增强，PCD基GaN HEMT器件的热阻相比SCD基器件仍高约27%。进一步研究发现，去除PCD中的细晶核化层可显著降低界面热阻，提升整体散热能力。本研究首次实现了PCD与3C-SiC的高质量集成，为构建高热流密度条件下的低热阻GaN器件提供了新的衬底解决方案。通过进一步优化PCD晶粒结构和界面工程，有望全面发挥其热学优势，推动下一代高功率电子器件的可靠性和性能跨越式提升。
图1. 多晶金刚石晶圆上制备的GaN HEMT器件
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）【以下简称国创中心（苏州）】围绕落实国家科技创新重大任务部署，打造国家战略科技力量，以关键技术研发为核心使命，聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用方向，促进各类相关创新主体和创新要素有效协同、形成合力，集聚全国优势力量为第三代半导体产业提供创新源头技术供给，重点突破材料、器件、工艺和装备技术瓶颈，实现在电力电子、微波射频和光电子等领域的应用突破，输出高质量科技创新成果，辐射带动形成一批具有核心竞争力的创新企业，贯通创新链、技术链、人才链和产业链，培育发展新动能，加快我国第三代半导体产业创新能力整体跃升。国家第三代半导体技术创新中心（苏州）于2021年3月获科技部批复支持建设，江苏第三代半导体研究院为国创中心（苏州）的建设主体单位。
国创中心（苏州）聘请郝跃院士担任中心主任，核心研发和运营团队近300人；获批建设国家级博士后科研工作站、江苏省创新联合体、江苏省人才攻关联合体；围绕国创中心建设使命，聚焦第三代半导体产业关键共性技术，通过协同共建，建设具有国际先进水平、开放共享的公共研发支撑平台，覆盖材料、工艺、器件、封装、模块、测试分析全产业链，逐步形成系统级全产业链支撑服务能力，为产业提供“全站式”创新服务，已累计合作服务全国200多家机构和企业。以市场化机制协同优势创新资源联合攻关，面向关键应用领域全国范围内合作共建37家联合研发中心、协同创新中心，在大尺寸氮化镓材料、全彩 Micro-LED、同质外延技术、可见光通讯（VLC）等关键技术取得重大突破，累计布局核心专利近400项，引进孵化创新团队超过50个，加速创新资源快速集聚，促进第三代半导体产业高质量创新发展。
材料生长创新平台：
为GaN、AlN单晶同质衬底、大尺寸异质衬底的材料和器件的外延生长提供定制化服务。围绕“关键共性技术开发、高质量材料生长、外延结构的定制化和专用装备开发开展建设”四大核心任务打造国际一流专业化、综合型公共研发平台，为各高校、企事业单位提供定制化材料研发服务。平台已初步建成氮化物材料研发和中试线，突破了超宽带通信、高亮度、RGB宽色域micro-LED的外延生长和极低杂质界面的二次外延技术，多项指标步入国际先进行列。
器件工艺平台
借鉴imec成果经验，汇聚优势资源，共建光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、晶圆键合及加工等第三代半导体器件关键共性技术公共验证工艺线，以UV-LED、Micro-LED、HEMT和MOSFET等宽禁带半导体芯片核心工艺技术为基础，以光机电集成、异质混合集成为特色，建成国内首个第三代半导体开放共享的公共验证平台，支撑光电子工艺、微电子工艺、光机电集成工艺技术开发和装备技术开发验证。
测试分析与服役评价平台
围绕氮化镓LDs、Micro-LED、DUV-LED、电力电子和射频电子器件的关键核心参数表征需求，开发测试新方法新技术、研制专用装备、制定国家标准检测服务体系。平台自主开发了包括显微缺陷、微纳结构、杂质成分、光电特性、可靠性和失效分析的系统性一站式解决方案。并成功研制2台套Micro-LED光空间分布多功能测试系统，创新单晶材料体内缺陷的X射线貌相术无损表征的系列方案。同时也建成了涵盖15种材料的半导体SIMS标准样品库，标样总数突破100个。为135家企业、高校和研发机构提供测试分析服务。
附：会议信息
会议时间：2025年8月10日-13日
会议地点：中国·大连
主办单位：
中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会
中国电子学会电子材料学分会
承办单位：
大连理工大学
东北师范大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟
协办单位：
集成光电子全国重点实验室
宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所特种发光科学与技术全国重点实验室
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
一、组织机构
名誉主席：甘子钊、王占国、郑有炓
顾问委员会（按姓氏首字母排序）：褚君浩、杜国同、顾 瑛、关白玉、郝 跃、黄 如、贾明星、江风益、李爱珍、李晋闽、李树深、刘纪美、刘 明、刘 胜、罗 毅、申德振、孙祥桢、王立军、许宁生、杨德仁、叶志镇、俞大鹏、张国义、张 荣、张 跃、郑婉华
大会主席：刘益春
共同主席：沈 波、杨 辉、吴 玲
程序委员会
主 席: 徐 科
副主席：黎大兵、张源涛、朱嘉崎
委 员（按姓氏首字母排序）：敖金平、蔡树军、陈长清、陈敦军、陈 弘、陈 敬、陈堂胜、陈万军、陈小龙、陈秀芳、程 凯、迟 楠、单崇新、丁琪超、董博宇、冯士维、冯志红、顾书林、贺东江、黄伯宁、黄 丰、黄 凯、康俊勇、赖占平、李国强、梁 建、刘 斌、刘国友、刘建平、刘木清、刘 榕、刘斯扬、刘新宇、刘 扬、龙世兵、陆 海、罗小蓉、马晓华、毛 维、欧 欣、潘 毅、裴 轶、彭俊彪、皮孝东、邱宇峰、盛 况、孙 钱、孙伟锋、孙小卫、孙晓娟、唐 宁、陶绪堂、万成安、万玉喜、汪 莱、王德君、王 钢、王宏兴、王建峰、王江波、王军喜、王来利、王 立、王新强、吴毅锋、肖国伟、徐海阳、徐士杰、徐现刚、许福军、薛玉雄、闫建昌、杨富华、叶建东、伊晓燕、于洪宇、云 峰、张保平、张 波、张国旗、张进成、张金风、张 龙、张乃千、张清纯、郑雪峰、张玉明、赵德刚、赵丽霞、郑晨焱
组织委员会
主 席: 梁红伟
副主席：陈志涛、阮军、张书明
委 员（按姓氏首字母排序）：蔡端俊、曹峻松、陈 鹏、陈义强、陈志忠、程红娟、方 方、方文饶、房玉龙、和巍巍、黄少华、黄文海、耿 博、龚 政、郭 清、郭世平、郭 炜、郝茂盛、胡卫国、化梦媛、黄火林、黄 森、何晨光、贺致远、纪志坡、贾 锐、贾志泰、蒋 科、矫淑杰、江 灏、鞠光旭、孔月蝉、李炳生、李金钗、李述体、李忠辉、梁剑波、刘 超、刘军林、刘可为、刘 雯、刘新科、刘玉怀、刘召军、刘志强、刘宗亮、陆 敏、吕元杰、梅云辉、马剑钢、苗振林、母凤文、牛萍娟、潘尧波、齐红基、全知觉、任国强、赛青林、桑立雯、宋 波、孙海定、孙文红、孙永强、田朋飞、王光绪、王嘉铭、王茂俊、王 琦、王荣华、王鑫华、王英民、魏同波、汪炼成、吴 亮、吴嘉伟、吴雅苹、谢志国、徐明升、杨 霏、杨兰芳、杨 树、杨学林、殷 红、于彤军、张佰君、张 峰、张 辉、张纪才、张建立、张景文、张苇杭、张 嵩、张 雄、张宇昊、张 韵、张紫辉、赵璐冰、赵 维、周春华、周 弘、周 琦
大会秘书处
秘书长： 张振中 黄火林
副秘书长： 赵 红 张克雄 张赫之
成 员： 贾欣龙、马浩然、夏晓川、孙雨周、代建勋、柳阳、李鹏、王月飞、杨霖等
三、主要日程
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四、大会主题
绿色能源与智能时代的宽禁带半导体技术
五、会议征文方向：
1.材料生长(氮化物半导体、氧化物半导体、碳化硅、金刚石等)
2.材料物性和表征技术(光、电、磁、热性质、缺陷物理等)
3.光电子器件及其应用(LED、Micro-LED、LD、光电探测器等)
4.电子器件及其应用(射频电子器件、功率电子器件、传感器及集成电路等)
5.新型宽禁带材料与器件(超宽禁带半导体、二维宽禁带半导体、有机宽禁带半导体等)
6.辐射及高能粒子探测器件
征文要求：
1.符合上述内容的论文摘要；
2.论文摘要主题突出、内容层次分明、数据准确、论述严谨、结论明确、采用法定计量单位；
3.论文摘要须以WORD文档格式，包含标题、作者及其单位地址、正文、图表、参考文献等在内不超过一页A4纸；
4.提交截止日前,以电子邮件方式（投稿邮箱: kxzhang@dlut.edu.cn、hez.zhang@dlut.edu.cn、zhangzhenzhong@nenu.edu.cn）提交至会议组委会秘书组；相关模板可登录大会官网（http://www.wbsc.org.cn）或查询附件；
5.所有论文摘要均编入会议文集。
六、会议注册费
1.普通代表（A类票）：
2800元（含会议文集、日程等会议资料及会议期间相关服务）
2.学生代表（B类票）：
2300元（与普通代表会议待遇相同，但须提交相关证件）
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七、注册费缴费方式
1.通过银行汇款
开户行：中国工商银行北京市分行百万庄支行
账 号：0200001409014413573
名 称：中国有色金属学会
注：银行汇款请务必备注“宽禁带会议+参会代表姓名”
2.线上缴费，登录官网，
3.现场缴费（接受扫码、刷卡）
八、会议信息及联系人
1.会议官网：http://www.wbsc.org.cn
（会议详细信息请扫码关注大会官网）
2.论文征集联系人
张克雄：15382208398；Email: kxzhang@dlut.edu.cn
张赫之：13478911634；Email: hez.zhang@dlut.edu.cn
张振中：18626668329；Email: zhangzhenzhong@nenu.edu.cn
3.合作咨询
参会咨询：
芦老师：13601372457，E：lul@casmita.com
商务合作：
贾先生：18310277858，E：jiaxl@ casmita.com
张小姐：13681329411，E：zhangww@ casmita.com
参会代表财务咨询：
庞老师：15010359809
热烈欢迎相关领域的专家、学者、行业企事业单位参会交流！
4、酒店信息
会议酒店：大连香格里拉大酒店
位于人民路商业街，与中山广场相邻（大连市中山区人民路66号）。
房间价格：高级房：1000元/间夜（含单早），豪华房：1100元/间夜（含单早）
扫码跳转酒店官网预定链接：
住宿协议酒店:
·大连心悦大酒店（中山区人民路81号）
商务大床房：420元间/夜（含单早）
商务双人房：420元间/夜（含双早）
订房联系方式：宋经理18640869188
距离会议酒店：477米
·大连新嘉信酒店（中山区五五路53号）
大床房：468元间/夜（含双早）
双床房：468元间/夜（含双早）
订房联系方式：任经理18940991977
距离会议酒店:约1公里
·桔子水晶酒店（大连中山广场店）
高级大床房：500元间/夜（含单早）
订房联系方式：朱经理18642677723
距离会议酒店:约1.1公里
·大连渤海明珠酒店（中山区胜利广场8号）
标准大床房：440元间/夜（含双早）
标准双床房：440元间/夜（含双早）
订房联系方式：张经理15840631085
备注：10间以上价格为420元
距离会议酒店:约1.9公里
注：大连旅游城市正值旅游旺季，酒店实际价格有可能调整，以酒店公布为准。
5.交通信息
