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厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期）首台设备提前搬入
 评论 ⋅  2025-07-03 10:04
西交利物浦大学刘雯课题组招收氮化镓功率器件方向博士生（英国利物浦大学学位）
 评论 ⋅  2025-06-23 11:38
斯达半导体车规级功率器件全球制造总部项目签约落户南湖
 评论 ⋅  2025-06-20 15:28
南邮郭宇锋教授团队首次在功率器件领域国际顶级学术会议发表论文
 评论 ⋅  2025-06-20 09:38
南京大学团队在国际功率半导体会议ISPSD上发布两项宇航用氮化镓功率器件辐照效应研究成果
 评论 ⋅  2025-06-18 11:35
浙江大学电气工程学院PEDL团队五项重要成果在功率器件顶级会议ISPSD发表
 评论 ⋅  2025-06-16 08:01
新成果！深圳大学在宽禁带半导体功率器件领域取得突破性进展
 评论 ⋅  2025-06-13 09:47
CSPSD2025 | 近30位专家学者齐聚探讨氮化镓及超宽禁带功率器件新未来！
 评论 ⋅  2025-05-24 16:20
CSPSD2025 | 二十余位专家学者共话硅、碳化硅器件及其他高压功率器件新进展！
 评论 ⋅  2025-05-24 16:03
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-05-20 14:08
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学张进成:镓系半导体功率器件研究进展
 评论 ⋅  2025-05-14 15:18
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学徐光伟：基于掺杂调控和缺陷工程的氧化镓功率器件研究
 评论 ⋅  2025-05-14 10:51
CSPSD 2025前瞻|浙江大学王珩宇：碳化硅功率器件空间电荷补偿技术
 评论 ⋅  2025-05-14 10:08
CSPSD 2025前瞻|扬杰科技施俊：SiC功率器件的技术发展和应用、挑战和未来趋势
 评论 ⋅  2025-05-13 13:49
CSPSD 2025前瞻|南京大学陈敦军：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其载流子输运与调控
 评论 ⋅  2025-05-12 14:57
CSPSD 2025前瞻|九峰山实验室袁俊：新型多级沟槽氧化镓功率器件的研究
 评论 ⋅  2025-05-12 14:38
CSPSD 2025前瞻| 深圳大学刘新科：低成本GaN基GaN功率器件
 评论 ⋅  2025-05-12 11:54
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学宋庆文：高性能SiC功率器件关键技术研究进展
 评论 ⋅  2025-05-09 10:15
CSPSD 2025前瞻|江南大学黄伟：高性能宇航级SGT功率器件与辐照模型研究
 评论 ⋅  2025-05-08 16:26
江南大学成果推介:氮化镓微波功率器件
 评论 ⋅  2025-05-07 17:34
总投资超50亿元，中低压功率器件产业化（株洲）建设项目封顶
 评论 ⋅  2025-05-07 17:33
CSPSD 2025前瞻|南京大学周峰：氮化镓功率器件辐射效应与加固技术研究
 评论 ⋅  2025-05-07 15:19
CSPSD 2025前瞻|爱发科王鹤鸣：面向功率器件制造的先进离子注入解决方案的集成工艺与创新
 评论 ⋅  2025-05-07 14:38
CSPSD 2025前瞻|北京大学魏进：GaN功率器件动态电阻与动态阈值电压
 评论 ⋅  2025-05-07 10:04
CSPSD 2025前瞻|炽芯微电子朱正宇：功率器件封装技术的发展及展望
 评论 ⋅  2025-05-06 16:38
CSPSD 2025前瞻|中国科学院微电子所黄森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件与集成
 评论 ⋅  2025-04-30 14:19
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-04-29 17:23
三安半导体“碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件”专利公布
 评论 ⋅  2025-04-17 15:22
MaM发表深圳大学刘新科团队综述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技术
 评论 ⋅  2025-04-14 19:17
黑龙江汇芯半导体申请集成有SiC功率器件短路保护的智能功率模块专利，短路保护精度和效率更高
 评论 ⋅  2025-04-08 15:43
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