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新成果！深圳大学在宽禁带半导体功率器件领域取得突破性进展

CSPSD2025 | 近30位专家学者齐聚探讨氮化镓及超宽禁带功率器件新未来！

CSPSD2025 | 二十余位专家学者共话硅、碳化硅器件及其他高压功率器件新进展！

标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿

CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学张进成:镓系半导体功率器件研究进展

CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学徐光伟：基于掺杂调控和缺陷工程的氧化镓功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|浙江大学王珩宇：碳化硅功率器件空间电荷补偿技术

CSPSD 2025前瞻|扬杰科技施俊：SiC功率器件的技术发展和应用、挑战和未来趋势

CSPSD 2025前瞻|南京大学陈敦军：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其载流子输运与调控

CSPSD 2025前瞻|九峰山实验室袁俊：新型多级沟槽氧化镓功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻| 深圳大学刘新科：低成本GaN基GaN功率器件

CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学宋庆文：高性能SiC功率器件关键技术研究进展

CSPSD 2025前瞻|江南大学黄伟：高性能宇航级SGT功率器件与辐照模型研究

江南大学成果推介:氮化镓微波功率器件

总投资超50亿元，中低压功率器件产业化（株洲）建设项目封顶

CSPSD 2025前瞻|南京大学周峰：氮化镓功率器件辐射效应与加固技术研究

CSPSD 2025前瞻|爱发科王鹤鸣：面向功率器件制造的先进离子注入解决方案的集成工艺与创新

CSPSD 2025前瞻|北京大学魏进：GaN功率器件动态电阻与动态阈值电压

CSPSD 2025前瞻|炽芯微电子朱正宇：功率器件封装技术的发展及展望

CSPSD 2025前瞻|中国科学院微电子所黄森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件与集成

标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿

三安半导体“碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件”专利公布

MaM发表深圳大学刘新科团队综述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技术

黑龙江汇芯半导体申请集成有SiC功率器件短路保护的智能功率模块专利，短路保护精度和效率更高

鲁晶半导体与山东大学共建碳化硅功率器件产学研合作新生态

闻泰科技：公司预计包括SiC、GaN和IGBT在内的高压功率器件和模拟芯片产品将从2025年底开始逐步放量

西电张进成教授等在金刚石高压功率器件领域取得重要进展

泰克科技张欣：新型功率器件的特性表征 |CASICON重庆站

报告前瞻| 阳光电动力万富翔：新一代功率器件并联技术在电驱系统的应用

CASA立项《HEMT功率器件用硅衬底氮化镓外延片》1项团体标准

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