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解析 Wolfspeed 顶部散热 (TSC) 碳化硅功率器件
 评论 ⋅  2025-09-16 10:27
英诺赛科宣布第三代700V GaN增强型氮化镓功率器件系列全面上市
 评论 ⋅  2025-09-05 09:17
深圳大学宽禁带半导体功率器件刘新科研究员团队：通过PEALD-GaOₓ界面工程实现高性能垂直氮化镓MOS电容器
 评论 ⋅  2025-09-05 09:11
碳化硅功率器件的性能与应用前景-国晶微半导体
 评论 ⋅  2025-09-02 18:26
派瑞股份与西电所签署合作协议，研发制造中高压IGBT功率器件
 评论 ⋅  2025-09-02 18:14
标准 | 《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》发布
 评论 ⋅  2025-08-29 13:56
新洁能延期包括第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测等三个募投项目
 评论 ⋅  2025-08-22 17:35
镓未来完成亿元级B++轮融资，专注氮化镓功率器件研发
 评论 ⋅  2025-08-08 16:40
北京大学在IEEE ISPSD发表2项宽禁带半导体功率器件重要技术进展
 评论 ⋅  2025-08-04 08:12
重磅议程更新 | IPF 2025功率器件制造测试与应用大会最新议程揭晓，速来围观！
 评论 ⋅  2025-07-29 11:30
广东致能：全球首发硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技术
 评论 ⋅  2025-07-22 11:50
标准/“GaN HEMT开关可靠性试验、功率器件用硅衬底GaN外延片”2项标准形成委员会草案
 评论 ⋅  2025-07-21 14:30
YOLE：2030年碳化硅功率器件市场规模将破百亿美元
 评论 ⋅  2025-07-10 08:46
厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期）首台设备提前搬入
 评论 ⋅  2025-07-03 10:04
西交利物浦大学刘雯课题组招收氮化镓功率器件方向博士生（英国利物浦大学学位）
 评论 ⋅  2025-06-23 11:38
斯达半导体车规级功率器件全球制造总部项目签约落户南湖
 评论 ⋅  2025-06-20 15:28
南邮郭宇锋教授团队首次在功率器件领域国际顶级学术会议发表论文
 评论 ⋅  2025-06-20 09:38
南京大学团队在国际功率半导体会议ISPSD上发布两项宇航用氮化镓功率器件辐照效应研究成果
 评论 ⋅  2025-06-18 11:35
浙江大学电气工程学院PEDL团队五项重要成果在功率器件顶级会议ISPSD发表
 评论 ⋅  2025-06-16 08:01
新成果！深圳大学在宽禁带半导体功率器件领域取得突破性进展
 评论 ⋅  2025-06-13 09:47
CSPSD2025 | 近30位专家学者齐聚探讨氮化镓及超宽禁带功率器件新未来！
 评论 ⋅  2025-05-24 16:20
CSPSD2025 | 二十余位专家学者共话硅、碳化硅器件及其他高压功率器件新进展！
 评论 ⋅  2025-05-24 16:03
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-05-20 14:08
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学张进成:镓系半导体功率器件研究进展
 评论 ⋅  2025-05-14 15:18
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学徐光伟：基于掺杂调控和缺陷工程的氧化镓功率器件研究
 评论 ⋅  2025-05-14 10:51
CSPSD 2025前瞻|浙江大学王珩宇：碳化硅功率器件空间电荷补偿技术
 评论 ⋅  2025-05-14 10:08
CSPSD 2025前瞻|扬杰科技施俊：SiC功率器件的技术发展和应用、挑战和未来趋势
 评论 ⋅  2025-05-13 13:49
CSPSD 2025前瞻|南京大学陈敦军：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其载流子输运与调控
 评论 ⋅  2025-05-12 14:57
CSPSD 2025前瞻|九峰山实验室袁俊：新型多级沟槽氧化镓功率器件的研究
 评论 ⋅  2025-05-12 14:38
CSPSD 2025前瞻| 深圳大学刘新科：低成本GaN基GaN功率器件
 评论 ⋅  2025-05-12 11:54
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