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2025云南晶体大会前瞻| 鑫耀半导体刘汉保:基于VGF法的低氧含量半绝缘砷化镓单晶生长工艺优化及电学性质
研究
2025云南晶体大会前瞻| 中国科学院半导体所沈桂英:InP、GaSb与InAs单晶生长、衬底制备及缺陷
研究
进展
2025云南晶体大会前瞻| 中国科学院长春光机所蒋科:基于三族氮化物半导体异质结的光忆阻器
研究
2025云南晶体大会前瞻|中国科学院半导体所徐驰:从气体源到器件:面向下一代信息技术的硅-锗-锡类半导体全流程
研究
2025云南晶体大会前瞻|西安电子科技大学陶鸿昌:氧化镓异质外延成核调控及肖特基二极管(SBD)势垒均匀性
研究
2025云南晶体大会前瞻|厦门大学卢卫芳:GaN/InGaN基核-壳纳米结构选区外延及其Micro-LED器件制备
研究
2025云南晶体大会前瞻|广东工业大学张紫辉:GaN功率半导体器件仿真建模与制备
研究
2025云南晶体大会前瞻|中电科第四十八
研究
所谢添乐:宽禁带化合物半导体外延关键装备解决方案
2025云南晶体大会前瞻|北京大学王嘉铭:III族氮化物AlGaN基紫外发光器件结构堆垛
研究
2025云南晶体大会前瞻|昆明云锗李宝学:大尺寸红外锗单晶的
研究
进展
2025云南晶体大会前瞻|云南师范大学郭杰:锗硫属化合物Ge-VIA(GeS/GeSe/GeTe)二维材料的电子结构和光学特性
研究
SiC 新型功率 MOS 器件结构以及栅驱动电路的设计与
研究
2025云南晶体大会前瞻|浙江大学杭州国际科创中心韩学峰:PVT法生长4H-SiC晶体的缺陷形成与掺杂机理
研究
2025云南晶体大会前瞻|西安电子科技大学宁静:超宽禁带半导体范德华异质结构及器件
研究
2025云南晶体大会前瞻|云南大学王茺:GaSb基异质薄膜的磁控溅射生长机理及其光电探测性能
研究
2025云南晶体大会前瞻|云南大学邱锋:晶体本征缺陷的理论
研究
及晶片表面非故意缺陷的性能调控
2025云南晶体大会前瞻|南京大学修向前:氮化镓衬底生长工艺及设备技术
研究
深圳大学宽禁带半导体功率器件刘新科
研究
员团队:通过PEALD-GaOₓ界面工程实现高性能垂直氮化镓MOS电容器
厦门大学&厦门市未来显示技术
研究
院团队基于氮化物表面电子态演化开发出Micro LED侧壁钝化新方法
2025云南晶体大会前瞻|中国科学院半导体
研究
所杨晓光:硅基III-V族材料外延及异质集成
研究
进展
2025云南晶体大会前瞻| 昆明理工大学邓家云:磷化铟晶圆力学性能与加工性能
研究
2025云南晶体大会前瞻| 中国电子信息产业发展
研究
院解楠:氮化铝宽禁带材料发展现状及技术演进趋势
研究
北京大学电子学院魏贤龙课题组在二维氮化硼的介电强度
研究
中取得重要进展
中国科学院微电子所在芯粒集成电迁移EDA工具
研究
方向取得重要进展
中国科学院半导体
研究
所锑化物感应耦合等离子体(ICP)刻蚀系统采购项目延期公告
华芯晶电获批合物半导体单晶衬底制备技术山东省工程
研究
中心
中国科学院氮化镓基无源太赫兹相控阵机制
研究
获进展
2025年新增批次海外优青:中国科学院半导体
研究
所诚邀您申报
科研成果 | 唐宁、沈波团队与合作者利用深紫外光谱在原子级薄超宽禁带半导体能带结构
研究
方面取得重要进展
苏州纳米所秦华团队在氮化镓基无源太赫兹相控阵机制
研究
方面取得进展
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