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Wolfspeed与纽约州立大学理工学院加强教育研究合作，助力推动碳化硅技术创新发展
 评论 ⋅  2025-06-30 15:22
[诚邀英才]新加坡科技研究局（A*STAR）微电子研究所（IME）功率半导体团队
 评论 ⋅  2025-06-30 08:56
中国科大微电子学院胡诣哲教授课题组在极低抖动高速锁相环芯片研究中取得重要突破
 评论 ⋅  2025-06-24 08:14
国家重点研发计划“氧化镓单片功率电子集成器件研究”项目启动会暨实施方案论证会成功召开
 评论 ⋅  2025-06-20 09:34
南京大学团队在国际功率半导体会议ISPSD上发布两项宇航用氮化镓功率器件辐照效应研究成果
 评论 ⋅  2025-06-18 11:35
深圳平湖实验室GaN课题组刘轩博士研究成果亮相国际顶级学术会议ISPSD2025
 评论 ⋅  2025-06-17 10:40
复旦大学研究人员等在新型半导体表界面结构与缺陷研究方面取得系列进展
 评论 ⋅  2025-06-16 10:17
浙江大学团队多项碳化硅、氧化镓相关研究成果闪耀IEEE ISPSD 2025
 评论 ⋅  2025-06-16 09:34
台积电-东京大学实验室启用，双方联手推动半导体研究和教育
 评论 ⋅  2025-06-12 14:31
工业和信息化部专题研究部署推动人工智能产业发展和赋能新型工业化
 评论 ⋅  2025-06-05 11:04
半导体所在植入式脑机接口器件研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2025-06-03 09:29
CSPSD 2025前瞻|西安理工大学贺小敏：氧化镓异质外延生长及材料特性研究
 评论 ⋅  2025-05-21 18:38
CSPSD 2025前瞻|上海大学任开琳：E型GaN HEMT和pFET的稳定性增强研究
 评论 ⋅  2025-05-19 11:02
科研成果| p-GaN栅HEMT器件在负栅压阻断态下的重离子辐照 可靠性实验研究
 评论 ⋅  2025-05-16 12:01
CSPSD 2025前瞻|南京邮电大学南通研究院邀您同聚“2025功率半导体器件与集成电路会议”
 评论 ⋅  2025-05-16 11:21
CSPSD 2025前瞻|复旦大学刘盼：1200V IGBT与SiC MOSFET的短路性能对比研究
 评论 ⋅  2025-05-15 15:03
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学杨树：高压低阻垂直型GaN功率电子器件研究
 评论 ⋅  2025-05-15 14:13
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学张进成:镓系半导体功率器件研究进展
 评论 ⋅  2025-05-14 15:18
CSPSD 2025前瞻|东南大学刘斯扬：功率半导体集成技术研究进展
 评论 ⋅  2025-05-14 15:16
CSPSD 2025前瞻|山东大学彭燕：基于金刚石/碳化硅新型异质散热结构的器件应用研究
 评论 ⋅  2025-05-14 11:56
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学徐光伟：基于掺杂调控和缺陷工程的氧化镓功率器件研究
 评论 ⋅  2025-05-14 10:51
研究机构：2024年全球芯片市场规模达6830亿美元，英飞凌、意法半导体跌出前十
 评论 ⋅  2025-05-14 07:51
CSPSD 2025前瞻|中电科四十六所兰飞飞：金刚石材料研究进展
 评论 ⋅  2025-05-13 14:51
CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陈中圆：基于正向压降表征的碳化硅MOSFET结温测量方法研究
 评论 ⋅  2025-05-13 10:33
CSPSD 2025前瞻|九峰山实验室袁俊：新型多级沟槽氧化镓功率器件的研究
 评论 ⋅  2025-05-12 14:38
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学宋庆文：高性能SiC功率器件关键技术研究进展
 评论 ⋅  2025-05-09 10:15
CSPSD 2025前瞻|江南大学黄伟：高性能宇航级SGT功率器件与辐照模型研究
 评论 ⋅  2025-05-08 16:26
CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜军：P-GaN HEMT栅极ESD鲁棒性及改进方法
 评论 ⋅  2025-05-08 09:40
CSPSD 2025前瞻|南京大学周峰：氮化镓功率器件辐射效应与加固技术研究
 评论 ⋅  2025-05-07 15:19
西湖大学光电研究院仇旻当选欧洲科学院院士
 评论 ⋅  2025-05-07 10:00
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