9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将在云南昆明举办。届时，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员蒋科将受邀出席论坛，并带来《基于三族氮化物半导体异质结的光忆阻器研究》的大会主旨报告，敬请关注！
嘉宾简介
蒋科，博士，研究员，博士生导师，主要从事宽禁带半导体紫外、极紫外光电材料与器件研究，入选基金委青B、中国科协“青托”、中国科学院青促会会员、中国科学院院长特别奖、吉林省“优青”（首批）、长春光机所“聚光人才”计划等，承担国家重点研发计划项目课题、JKW173重点基金等项目10余项，在Light 、AM、APL等领域内国际著名期刊发表学术论文60余篇，申请/授权发明专利60余项，获2023年吉林省技术发明一等奖（5/10）、2021年中国半导体十大研究进展等奖项。
单位简介
长春光机所黎大兵、孙晓娟团队，主要从事宽禁带氮化物半导体材料及其光电子器件研究，涉及材料与器件物理、缺陷与掺杂调控、结构外延生长、LED及光电探测器件制备及应用等方面。研究团队专注宽禁带氮化物半导体领域10余年，在高质量AIN材料制备、氮化物缺陷演变规律、高效率超宽禁带氮化物p型掺杂新机制、高性能光电器件研制方面均取得了多项创新成果。近年来在Adv. Mater.、Light Sci. Appl.、Phys. Rev. Lett.等期刊发表论文100余篇，申请国内外发明专利80余件，主持基金委青A、青B、科技部重点研发计划等项目10余项，获吉林省自然科学一等奖、吉林省技术发明一等奖等奖项。
报告前瞻
报告题目：基于三族氮化物半导体异质结的光忆阻器研究
报告摘要：随着人工智能和互联网技术的飞速发展，对高性能计算和智能视觉系统的需求日益增长。传统的冯·诺依曼架构在处理大规模图像数据时面临着数据传输瓶颈和高能耗等问题，限制了系统的效率和性能。AlScN作为一种优秀的氮化物半导体铁电材料，具有强剩余极化、高居里温度以及与主流半导体制造工艺兼容等优点。然而，由于其光敏性的限制，实现光控的阻态调节一直是AlScN忆阻器研究中的难点。本团队开发出一种基于AlScN/GaN异质结的肖特基二极管型非易失性光电双工忆阻器，结合了AlScN材料优异的铁电特性和GaN材料的优异光电特性，使其在电学和光电存储两种模式下均展现出了卓越的性能。电存储模式下，存储器的电阻状态改变源于AlScN层的铁电极化翻转，这一过程通过影响器件的耗尽区宽度和电子传输势垒高度来实现。研究中发现，通过施加不同方向的偏压，可以触发AlScN层的铁电极化翻转，实现了可编程存储与读取功能。光电存储模式下，由 GaN空间电荷区的光导效应和光生载流子引起的电子传输势垒降低效应，可以调节施加到AlScN层的偏压，从而改变整体器件阻态变化的临界电压，因此存储器的存储窗口可以通过调节光强来控制。在光写入-电读取-电擦除的编程模式下，器件展现了良好的可重构特性，该存储器在纯电学编程、光电混合编程模式下的逻辑运算展示出应用潜力。进一步地，针对AlScN器件多阻态存储调控功能，设计并开发出一种基于AlScN/p-i-n GaN异质结的紫外光电突触器件。利用AlScN的铁电极化特性和GaN的优异光电性能，基于异质结处空穴的俘获与解俘获机制成功构建了一种新型的紫外光电突触器件。该器件不仅具备出色的非易失性存储特性，开关比可达9.36×105；还能够模拟生物视觉系统中的突触功能，进行多阻态调节，如长时程增强、对脉冲增强以及学习-遗忘-再学习过程。先进AlScN存储器件的开发与实现，为未来智能计算、新型数据存储和先进人工视觉系统的发展提供了新的技术路径。
附会议信息：
【会议时间】 2025年9月26-28日
【会议地点】云南·昆明
【指导单位】
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）
【主办单位】
云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
极智半导体产业网（www.casmita.com）
半导体照明网(www.china-led.net)
第三代半导体产业
【承办单位】
云南鑫耀半导体材料有限公司
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
【支持单位】
赛迪智库集成电路研究所
中国科学院半导体研究所
云南大学
山东大学
云南师范大学
昆明理工大学
晶体材料全国重点实验室
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【关键材料】
1、锗、硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
2、氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
3、氮化铝、金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
【主要方向】
1.化合物半导体单晶与外延材料
（砷化镓，磷化铟，氮化镓，碳化硅，氮化铝，氧化镓，氮化硼，蓝宝石，铌酸锂等晶体、外延生长及模拟设计等）
2. 硅、高纯锗及锗基材料
（大硅片生长及及应用，直拉法或区熔法等单晶生长，原料提纯，GeSi、GeSn、GeC 等多元单晶薄膜，切片与机械抛光，掺杂调控离子注入等）
3.高纯金属、原辅料制备及晶体外延生长与加工关键装备
（高纯前驱体，高纯试剂，高纯气体，高纯粉体， 长晶炉，MOCVD, MBE, LPE，PVT 等外延生长装备，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及抛光设备与材料，检测设备等）
4.测试评价及AI for Science
（AI 驱动的测试评价革新， 缺陷工程与掺杂策略、晶体生长智能调控、缺陷实时检测与修复，多尺度建模，绿色制造优化 等）
5.光电子器件工艺与应用
（发光二极管，激光二极管，光电探测器件，太阳能电池，照明与显示，激光雷达，光通信，量子技术等）
6.通讯射频器件工艺与应用
（功率放大器，低噪声放大器，滤波器，开关器件，移动通信，卫星通信，低空飞行器，无人机，射频能量等）
7.能源电子及应用
（风电&光伏&储能新能源，电动汽车，数据中心，工业电源，电机节能，轨道交通，智能电网，航空航天，工业控制，变频家电，消费电子，仪器仪表等）
8.绿色厂务及质量管控
（洁净厂房，高纯水制备，化学品供应，特气供应，废气处理及排放，废液处理，大宗气体供应及质量管控等）
【程序委员会】
大会主席：惠峰 （云南锗业）
副主席：陈秀芳（山东大学）、赵璐冰（CASA)
委员：赵德刚（中科院半导体所）、康俊勇（厦门大学）、 徐宝强（昆明理工）、皮孝东（浙江大学）、耿博（CASA)、王军喜（中科院半导体所）、孙钱（中科院苏州纳米所）、王垚浩（南砂晶圆)、 涂洁磊（云师大）、王宏兴（西交大）、彭燕（山东大学）、李强（西交大）、宁静（西电）、修向前（南京大学）、郭杰（云师大）、王茺（云南大学）、邱峰（云南大学）、杨杰（云南大学）、谢自力（南京大学）、葛振华（昆明理工大学）、田阳（昆明理工大学）、魏同波（中科院半导体所）、许福军（北京大学）、徐明升（山东大学）、孙海定（中国科学技术大学）、田朋飞（复旦大学）、刘玉怀（郑州大学）、朱振（浪潮华光）、杨晓光（中科院半导体所）、高娜（厦门大学）、陈飞宏（云南锗业）、康森（天通控股）、解楠（赛迪研究院 )、房玉龙（中电科十三所）、邓家云（昆明理工大学）、李宝学（云锗红外） ......等
【日程安排】
【拟参与单位】
中科院半导体所、鑫耀半导体，南砂晶圆，蓝河科技，天通控股，中电科十三所，南京大学，厦门大学，士佳光子，云锗红外，昆明理工大学，西安电子科技大学，中科院物理所，中电科四十八所，陕西源杰，九峰山实验室，中微公司，矢量集团，晶盛机电，连科半导体，晶澳太阳能 美科太阳能 高景太阳能 中研科精密 华夏芯智慧光子，国联万众，凝慧电子，晶湛半导体，英诺赛科，中光睿华，连城数控，云南大学，阿特斯阳光电力，山东大学，云南师范大学，中科院技物所，隆基电磁， 晶镓半导体，南砂晶圆、西安聚能超导，苏州纳维，中科院物理所，浙江大学，云南锗业，通美晶体，三安光电，电子科技大学，深圳平湖实验室，中科院长春光机所，广东工业大学，南方科技大学， 隆基绿能，合盛硅业，中光睿华，复旦大学，中国科学技术大学， 西安交通大学，江苏第三代半导体研究院， 光迅科技，镓和半导体 全磊光电 新易盛 昆明物理所，科友半导体，STR，河北同光，香港科技大学，深圳纳设 中科院苏州纳米所，中科院上海光机所，哈工大等等
【活动参与】
1、注册费：会议通票2800元；早鸟票：9月20日前注册报名2600元；（含会议资料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。
2、缴费方式：
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②在线注册
扫码注册报名
③现场缴费（微信+支付宝）
【论文投稿及报告咨询】
贾老师:18310277858，jiaxl@casmita.com
李老师:18601994986，linan@casmita.com
【参会参展及商务合作】
贾先生:18310277858,jiaxl@casmita.com
张女士:13681329411,zhangww@casmita.com
【会议酒店】
酒店名称：昆明亿壕城堡温德姆至尊酒店
酒店地址：中国（云南）自由贸易试验区昆明片区经开区枫丹白露花园
协议价格：430元/晚（含双早）
酒店预定联系: 陈经理，13759452505(微信同号）
邮箱：13759452505@139.com
