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天岳先进:持续进行碳化硅单晶基础
研究
以提高晶体生长效率和质量
昆明理工大学在溶液法生长高纯3C-SiC晶体
研究
方面取得进展
“基于第三代半导体射频微系统芯片
研究
”国家重点研发计划项目启动
【招聘】中国科学院宁波材料技术与工程
研究
所宽禁带半导体方向诚聘博士后
中国科学院半导体
研究
所在脉冲型人工视觉芯片研制取得新进展
华南师范大学王幸福:GaN微纳结构及其光电子器件
研究
GaN微纳米器件
紫外探测器件
中科院物理所陈小龙团队:晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破
中国科学院
物理研究所
陈小龙
异质籽晶
同质籽晶
生长
厦门市翔安区-6-8英寸SiC外延晶片产业化项目可行性
研究
报告
中国电科第四十八
研究
所40台SiC外延设备成功Move in
中国电科
第四十八研究所
自主研发
SiC外延炉
Move
in
上海交大无锡光子芯片
研究
院光子芯片中试线首批设备入场
上海光机所在高重频高功率超快激光器
研究
取得进展
厦门大学林楷强教授团队在二维半导体材料的激子
研究
方面取得新进展
中国科学院半导体所伍绍腾:基于12英寸硅衬底的红外锗锡LED发光器件
研究
北京大学教授于彤军:大尺寸AlN单晶生长
研究
厦门大学张峰:新型沟槽SiC基MOSFET器件
研究
中国科学院长春光机所黎大兵
研究
团队喜获吉林省技术发明一等奖
氮化铝
深紫外
光电器件
吉林省
技术发明
一等奖
黎大兵
孙晓娟
蒋科
吴亮
徐春阳
贲建伟
易美新创刘国旭:单晶蓝绿双波长LED在宽色域背光应用的
研究
山东大学徐明升:SiC的高温氧化
研究
武汉大学袁超课题组在超宽禁带氧化镓热输运领域最新
研究
进展
IFWS 2023│九峰山实验室袁俊:新型碳化硅沟槽器件技术
研究
进展
IFWS 2023│南砂晶圆/山东大学杨祥龙:大尺寸SiC单晶的
研究
进展
基金委部署集成芯片前沿技术科学基础
研究
计划
国家自然科学基金委
集成芯片
前沿技术
重大研究计划
芯粒
太原理工大学和武汉大学在金刚石/氮化镓薄膜生长工艺与热物性表征领域
研究
进展
IFWS 2023│华南师范大学尹以安:具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管
研究
中科院半导体
研究
所公开一项集成光子芯片专利 可提升光模块性能
IFWS 2023│晶格领域张泽盛:液相法碳化硅单晶生长技术
研究
北京大学无锡EDA
研究
院,揭牌!
北京大学无锡EDA
研究
院在无锡高新区揭牌
中国科学院在氮化镓器件可靠性及热管理
研究
方面取得重要进展
IFWS 2023│日本国立材料
研究
所桑立雯:GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器
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