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厦门市翔安区-6-8英寸SiC外延晶片产业化项目可行性
研究
报告
中国电科第四十八
研究
所40台SiC外延设备成功Move in
中国电科
第四十八研究所
自主研发
SiC外延炉
Move
in
上海交大无锡光子芯片
研究
院光子芯片中试线首批设备入场
中国科学院半导体所伍绍腾:基于12英寸硅衬底的红外锗锡LED发光器件
研究
北京大学教授于彤军:大尺寸AlN单晶生长
研究
厦门大学张峰:新型沟槽SiC基MOSFET器件
研究
易美新创刘国旭:单晶蓝绿双波长LED在宽色域背光应用的
研究
山东大学徐明升:SiC的高温氧化
研究
IFWS 2023│九峰山实验室袁俊:新型碳化硅沟槽器件技术
研究
进展
IFWS 2023│南砂晶圆/山东大学杨祥龙:大尺寸SiC单晶的
研究
进展
基金委部署集成芯片前沿技术科学基础
研究
计划
国家自然科学基金委
集成芯片
前沿技术
重大研究计划
芯粒
IFWS 2023│华南师范大学尹以安:具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管
研究
IFWS 2023│晶格领域张泽盛:液相法碳化硅单晶生长技术
研究
北京大学无锡EDA
研究
院,揭牌!
北京大学无锡EDA
研究
院在无锡高新区揭牌
中国科学院在氮化镓器件可靠性及热管理
研究
方面取得重要进展
IFWS 2023│日本国立材料
研究
所桑立雯:GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器
IFWS 2023│南方科技大学于洪宇:Si基GaN器件及系统
研究
与产业前景
IFWS 2023│中国科学院半导体所闫果果:6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷
研究
NEC全彩LED恒晶屏点亮文献资料
研究
馆
IFWS 2023│中国科学院苏州纳米所司志伟:助熔剂法生长GaN单晶衬底的
研究
进展
SSLCHINA2023│国星光电
研究
院赵龙:Micro LED显示技术及其产业化应用趋势
湖南大学物电院刘渊教授团队在小尺寸晶体管
研究
中取得新进展
IFWS 2023│六方氮化硼
研究
进展
IFWS 2023│ 中国电子科技集团第四十六
研究
所孙杰:高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能
IFWS 2023│厦门大学徐翔宇:氧化镓缺陷
研究
,合金工程电子结构调制以及日盲光电探测器的开发
安徽公布首批高水平新型研发机构,西安电子科技大学芜湖
研究
院等上榜
研究
机构:2028年全球OLED发光材料市场将超24亿美元,中国占44%
IFWS 2023│南京大学蔡青:AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器的优化设计及击穿机理
研究
IFWS 2023│中国电子科技集团第五十五
研究
所黄润华:750V SiC MOSFET元胞结构对器件特性的影响
研究
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