厦门市翔安区-6-8英寸SiC外延晶片产业化项目可行性研究报告

日期:2024-01-11 阅读:258
核心提示:公司是全球领域的碳化硅外延晶片供应商,为客户提供大尺寸、高质量的外延晶片产品。随着碳化硅领域景气度不断提升,下游客户对公

 公司是全球领域的碳化硅外延晶片供应商,为客户提供大尺寸、高质量的外延晶片产品。随着碳化硅领域景气度不断提升,下游客户对公司产能和产品技术指标都提出了更高的要求,本次资金将全部用于公司主营业务。外延行业作为第三代半导体碳化硅行业的重要部分,本次投向符合《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和 2035 年远景目标纲要》和《质量强国建设纲要》等国家科技创新领域政策方向。

公司具有经验丰富的研发团队,具有超过数十年碳化硅行业的从业经验,积极跟踪境内外行业前沿的最新进展,已经形成有梯次的公司高质量产品开发规划。公司已经向多家境内外碳化硅功率器件龙头实现批量供货,来自下游客户持续更新的高规格器件需求对碳化硅材料的改进形成实时反馈,理论技术和实时反馈的积累都为项目实施提供了充分的技术保障。

(一)项目基本情况

本项目建设内容主要包括碳化硅外延晶片生产场地的建设、生产与辅助设备的购置、相关人员的招聘等。项目通过建设高标准的碳化硅外延晶片洁净厂房、引进先进的外延生长设备及配套设施、招聘高素质且经验丰富的生产及管理人员,打造高自动化水平、空间结构布局合理的碳化硅外延片产业化基地,满足公司未来业务发展新增 6-8 英寸碳化硅外延晶片产能的需要,具有良好的市场前景。本项目预计建设期约为 36 个月,项目总投资 349,438.88 万元

(二)项目建设必要性及合理性

基于碳化硅行业快速发展的战略机遇,全球主要碳化硅器件企业逐步加大生产供应计划,欧美日本大厂近期均宣布大幅增加 8 英寸碳化硅器件投资,平均每家大厂投资高达 50 亿美元。国内大批企业均宣布扩产或加入碳化硅半导体产业,新建产能将陆续释放,对应上游碳化硅外延的数量和质量需求将快速提升。公司作为全球领先的碳化硅外延供应商,打破产能瓶颈限制和及时响应客户需求对公司具有重大战略意义。

基于中国科技自立自强的背景,碳化硅外延是技术密集型产品,也是碳化硅器件不可或缺的一个重要部分,外延生产技术、设备、材料、工艺的要求极高。公司已经掌握外延片多项核心技术,但必须扩大产能,及时获取国内外高端功率器件厂商的反馈,提升企业技术水平,从而为我国的碳化硅产业链建设作出贡献。

(三)项目建设可行性

1、市场可行性

广阔的市场前景是项目产能消化的重要基础。碳化硅产业下游的功率器件未来也会随着新能源汽车、光伏发电、储能、轨道交通等领域对其的性能要求不断提高而进一步扩大市场规模。碳化硅器件原有市场存量增长和碳化硅渗透率提升导致的增量增长使得碳化硅功率器件市场规模逐步提升。根据 CASA 统计,2022 年 SiC 功率电子市场规模约为 21 亿美元,预计到 2027 年 SiC 功率电子市场规模接近 80 亿美元,复合增长率为 30%。

从终端应用领域看,碳化硅功率器件应用于新能源汽车、光伏发电、储能、轨道交通等领域,其中汽车是最大的终端应用市场。2021 年全球用于汽车的碳化硅功率器件约占全球碳化硅功率器件市场规模的 64%,未来随着新能源汽车渗透率的提升,预计2027 年占比上升至 79%;其次为能源领域(光伏发电及储能系统),2021 年约占全球碳化硅功率器件市场规模的 14%。由于我国锚定碳达峰和碳中和,碳化硅功率器件市场规模受可再生能源相关政策推动,增速强劲。

得益于新能源汽车等上述行业快速发展,英飞凌、Wolfspeed、意法半导体、安森美、三菱电机、罗姆等多家企业均宣布巨额碳化硅器件扩产计划,公司具有强劲的市场需求消化产能。

2、技术可行性

经过多年的积累与研发创新,公司拥有雄厚的技术积累。公司研发出了先进的 6英寸 4H-SiC 外延生长工艺,采用该工艺生产的 6 英寸碳化硅外延晶片质量达到了国际领先水平。上述技术成果都为项目实施提供了充分的技术保障。

3、团队可行性

公司拥有一支强大的技术创新团队,拥有碳化硅半导体领域顶尖的碳化硅技术人才,具有丰富的碳化硅研发、生产综合经验。公司研发团队先后联合相关上下游企业、高等院校等共同承担和参与了国家科技重大专项 02 专项、国家科技部 863 项目、国家重点研发计划和厦门市重大专项项目等,同时也独立承担了国家发改委和科技部研发及产业化项目,经验丰富并掌握前沿技术的团队是本次募投项目顺利实施的关键保障。

(四)项目涉及的审批、批准或备案程序

本项目已取得厦门火炬高技术产业开发区管理委员会出具的《厦门市企业投资项目备 案 证 明 ( 外 资 ) 》 ( 备 案 证 号 : 厦 高 管 计 备 2023146 号 ) , 项 目 代 码2210-350298-06-01-590671;《厦门市企业投资项目备案证明(外资)》(备案证号:厦高管经备 2023426 号),项目代码 2302-350298-06-01-957645;《厦门市企业投资项

目备案证明(外资)》(备案证号:厦高管经备 2023422 号),项目代码2312-350298-06-02-488334;《厦门市企业投资项目备案证明(外资)》(备案证号:厦高管经备 2023424 号),项目代码 2312-350298-06-02-477098。

(五)项目环境保护情况

本项目建成后主要从事 SiC 外延晶片的生产。生产过程中可能会产生主要污染物为废气、废水及固体废弃物,另外还产生少许的生活污水和生活垃圾。公司将在项目建设期和项目运营期采取必要的环境保护措施。

本项目已取得厦门市翔安生态环境局出具的《关于瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司 6-8 英寸 SiC 外延晶片研发及产业化项目(一期)环境影响报告表的批复》和《关于瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司6-8 英寸 SiC 外延晶片研发及产业化扩产项目(二期)环境影响报告表的批复》。

(六)项目涉及的新取得土地或房产情况

本项目选址位于翔安区市头路与舫阳南路交叉口西南侧 2022XG09-G 地块。公司已取得对应不动产权证,证号闽(2023)厦门市不动产权第 0058102 号。

(来源:思瀚研究院)

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