日前，深圳基本半导体股份有限公司（以下简称“基本半导体”）与东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝电子元件”）正式签署战略合作协议。通过将双方拥有的先进碳化硅及IGBT芯片技术，与高性能、高可靠性功率模块技术相结合，为全球车载及工业市场提供更具竞争力的功率半导体解决方案。
深圳基本半导体股份有限公司 总经理 和巍巍（图左） 东芝电子元件及存储装置株式会社 董事、副总裁 栗原纪泰（图右） 出席签约仪式
作为全球半导体领域领先企业，东芝电子元件的功率半导体产品具备高功率密度与质量稳定性，有助于提高功率转换效率，减少环境负荷。其中，东芝电子元件的碳化硅MOSFET兼具低导通电阻和高可靠性，IGBT具有大电流和高可靠性特点，两者都拥有丰富的应用案例。基本半导体是中国碳化硅功率半导体行业标杆企业，在碳化硅芯片及功率模块技术上具备核心优势，成功开发了多个系列的车规级和工业级碳化硅功率模块，产品广泛应用于新能源汽车和光伏储能等领域。 此次战略合作，双方将围绕功率半导体技术研发、产业链协同及市场应用展开深度合作，通过联合研发突破关键技术瓶颈，共同开发更高性能、更高可靠性的功率模块产品，满足客户多样化需求，推动功率半导体在全球新能源汽车、工业领域的创新应用。此外，双方还将探索多元合作模式，以构建可持续社会为目标，推动双方业务协同增长，为应对全球气候变暖贡献产业力量。 （来源：基本半导体）
