2025年两院院士增选有效候选人名单已于8月20日公布。中国科学院有效候选人639人，中国工程院有效候选人660人。在这份名单中，多位长期深耕于金刚石及宽禁带半导体领域的学者入选35。这些候选人的研究覆盖了从单晶金刚石生长、超宽禁带半导体电子学到碳化硅产业化等多个前沿领域。
院士增选总体情况
2025年两院院士增选工作于4月25日正式启动，中国科学院和中国工程院增选名额各不超过100名。
中国科学院公布的增选有效候选人中，数学物理学部98人，化学部105人，生命科学和医学学部125人，地学部96人，信息技术科学部61人，技术科学部104人，另有特别推荐领域50人。
中国工程院有效候选人分布在各个学部，包括机械与运载工程学部68人，信息与电子工程学部68人，化工、冶金与材料工程学部71人等。
宽禁带半导体领域候选人
在此次候选人名单中，众多长期深耕于宽禁带半导体领域的科研团队脱颖而出，他们的入选不仅凸显了该领域在科研层面的重要价值，更彰显了其在国家战略布局与产业应用中的关键地位。以下为相关研究团队介绍（排名不分先后，如有遗漏，欢迎补充指正）：
1、哈尔滨工业大学朱嘉琦团队：长期专注于金刚石晶体材料、透明件材料以及高导热复合材料等领域的研究。单晶金刚石凭借其极佳的电学性能、最高的材料热导率、良好的化学惰性以及高的辐射抗性，被誉为终极半导体材料。该团队在金刚石成工艺、金刚石高导热及半导体器件应用等方面成果斐然，取得了显著进展。
2、西安电子科技大学张进成团队：研究方向聚焦于超宽禁带半导体电子学（涵盖氧化镓、金刚石、氮化铝等）、宽禁带半导体电子学（如氮化镓等）以及大功率射频芯片与电力电子芯片。近年来，团队在超宽禁带半导体研究领域取得一系列突破性成果，例如金刚石场效应晶体管在栅长为2μm时，仍能保持400mA/mm的高电流密度，并可在200°C环境下稳定工作。
3、华侨大学徐西鹏团队：研究方向为“硬脆材料先进加工科学与技术”，重点探索“半导体材料精密超精密磨粒加工新技术”。目前，徐西鹏主持国家自然科学基金重点项目“晶圆级单晶金刚石衬底的活性硬质磨粒协同加工原理与关键技术研究”。
4、山东大学徐现刚团队：在碳化硅领域成绩卓著，于碳化硅生长机理、高纯半绝缘创制、装备研发及产业化方面取得系列创造性成果。团队先后突破2 - 12英寸碳化硅单晶生长技术，在我国首次攻克高纯半绝缘碳化硅晶体制备系列技术壁垒。相关成果应用于雷达系统核心器件，已全面列装于先进战机、制导武器、大型战舰等我军主力装备。
5、北京大学沈波团队：主要从事III族氮化物（GaN基）宽禁带半导体物理、材料和器件研究。在强极化、高能带阶跃体系中二维电子气输运规律、GaN基异质结构外延生长和缺陷控制等方面取得重要进展，在国内外同行中产生一定影响。此外，在GaN基异质结构二维电子气自旋性质、GaN基量子阱子带跃迁器件等方面也取得一系列成果。
6、西安电子科技大学马晓华团队：二十余年来致力于宽禁带半导体基础创新和关键技术研究。“高能效超宽带氮化镓射频功率放大器关键技术及在5G通信产业化应用”项目荣获2023年度国家科学技术进步一等奖。
7、中国科学院物理研究所陈小龙团队：长期投身于功能晶体材料研究工作，发展了宽禁带半导体碳化硅晶体生长新方法，推动我国碳化硅晶体生长和加工技术实现从无到有、从零到一的跨越，达成产业自主可控。通过发现并利用碳化硅/石墨异质双界面的自发成核规律，发明电场 - 磁场 - 热场高效耦合的单晶生长方法和装备，攻克晶体扩径这一学术难题。在国内率先开展成果转化，创立国内首家碳化硅晶体产业化公司。提出界面能调控晶型理论，通过设计助溶剂成份，在国际上首次生长出具有实用价值的2 - 6英寸的3C - SiC晶体，使3C - SiC/SiO2栅氧界面态密度降低1个数量级。
8、株洲中车时代半导体有限公司刘国友团队：自2008年起主持大功率IGBT芯片与模块技术的研究与开发工作，2010年着手组建功率半导体林肯研发中心，聚焦IGBT和碳化硅技术。
