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山东大学4英寸HVPE
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单晶生长炉采购废标公告
英诺赛科
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创新方案领跑2023!
英诺赛科推出高集成半桥驱动
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IFWS 前瞻:
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山东大学4英寸HVPE
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单晶生长炉采购竞争性磋商公告
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的主要应用领域
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栅极驱动专利:RC负偏压关断专利技术之台达电子篇
港府:发展半导体芯片并非走他人老路,第三代
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硅基
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场效应晶体管通用技术规范
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外延领军企业晶湛半导体完成数亿元C轮融资
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栅极驱动专利:RC负偏压关断技术之松下篇
GaN)电源转换产品供货商Transphorm拓展中国区业务,扩大
氮化镓
应用实验室
长光华芯联合中科院苏州纳米所共建“
氮化镓
激光器联合实验室”
苏州半导体激光创新研究院、中科院苏州纳米所“
氮化镓
激光器联合实验室”揭牌成立
世界先进宣布0.35微米650 V
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制程进入量产
长平时代发布用于车载电子的900V硅基
氮化镓
外延片
纳微
氮化镓
(GaN)半桥功率芯片专利布局解读
深圳智芯微电子牵头起草的《三相智能电表用
氮化镓
场效应晶体管通用技术规范》团体标准已形成委员会草案
宏光半导体
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功率器件外延片产品正式投产
格芯获得 3000 万美元政府资金用于
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GaN 芯片生产
上海出台措施发展展壮大未来产业集群 推动碳化硅、
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IFWS 2022前瞻:
氮化镓
功率电子材料与器件技术新进展
深圳智芯微牵头T/CASAS 022《三相智能电表用
氮化镓
场效应晶体管通用技术规范》征求意见
技术分享:基于
氮化镓
单晶衬底的增强型
氮化镓
HEMTs
研究人员利用
氮化镓
开发新型电子设备
第三代半导体
氮化镓
(GaN)产业剖析
苏州纳米所器件部樊士钊等JAP:利用电子通道衬度成像方法分析
氮化镓
异质结中的穿透位错和失配位错
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