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山东大学4英寸HVPE氮化镓单晶生长炉采购废标公告
 评论 ⋅  2023-01-17 10:32
英诺赛科氮化镓创新方案领跑2023！
 评论 ⋅  2023-01-16 18:45
英诺赛科推出高集成半桥驱动氮化镓功率芯片ISG3201
 评论 ⋅  2023-01-16 16:30
简述氮化镓的合成制备及展望
 评论 ⋅  2023-01-12 16:05
IFWS 前瞻：氮化镓功率电子器件分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-01-12 10:39
简述氮化镓晶格排列氧化氮化镓纳米层的形成及其在电子器件中的应用
 评论 ⋅  2023-01-10 17:06
山东大学4英寸HVPE氮化镓单晶生长炉采购竞争性磋商公告
 评论 ⋅  2023-01-06 17:24
简述氮化镓的主要应用领域
 评论 ⋅  2023-01-06 16:47
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断专利技术之台达电子篇
 评论 ⋅  2022-12-27 16:03
港府：发展半导体芯片并非走他人老路，第三代氮化镓芯片是全球新趋势
 评论 ⋅  2022-12-26 10:12
硅基氮化镓Micro-LED，实现高速可见光通信信号探测
 评论 ⋅  2022-12-19 18:47
CASA发布T/CASAS 022-2022 三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范
 评论 ⋅  2022-12-09 15:16
第三代半导体氮化镓外延领军企业晶湛半导体完成数亿元C轮融资
 评论 ⋅  2022-12-08 12:15
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断技术之松下篇
 评论 ⋅  2022-12-07 14:48
GaN)电源转换产品供货商Transphorm拓展中国区业务，扩大氮化镓应用实验室
 评论 ⋅  2022-12-02 17:03
长光华芯联合中科院苏州纳米所共建“氮化镓激光器联合实验室”
 评论 ⋅  2022-12-02 09:53
苏州半导体激光创新研究院、中科院苏州纳米所“氮化镓激光器联合实验室”揭牌成立
 评论 ⋅  2022-11-30 09:39
世界先进宣布0.35微米650 V氮化镓制程进入量产
 评论 ⋅  2022-11-23 22:15
长平时代发布用于车载电子的900V硅基氮化镓外延片
 评论 ⋅  2022-11-17 14:13
纳微氮化镓（GaN）半桥功率芯片专利布局解读
 评论 ⋅  2022-11-14 16:07
深圳智芯微电子牵头起草的《三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范》团体标准已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-11 15:24
宏光半导体氮化镓功率器件外延片产品正式投产
 评论 ⋅  2022-11-02 11:02
格芯获得 3000 万美元政府资金用于氮化镓 GaN 芯片生产
 评论 ⋅  2022-10-18 17:09
上海出台措施发展展壮大未来产业集群 推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体化合物发展
 评论 ⋅  2022-10-11 17:31
IFWS 2022前瞻：氮化镓功率电子材料与器件技术新进展
 评论 ⋅  2022-10-10 15:25
深圳智芯微牵头T/CASAS 022《三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范》征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:13
技术分享：基于氮化镓单晶衬底的增强型氮化镓HEMTs
 评论 ⋅  2022-09-15 17:03
研究人员利用氮化镓开发新型电子设备
 评论 ⋅  2022-09-14 15:10
第三代半导体氮化镓（GaN）产业剖析
 评论 ⋅  2022-09-14 15:03
苏州纳米所器件部樊士钊等JAP：利用电子通道衬度成像方法分析氮化镓异质结中的穿透位错和失配位错
 评论 ⋅  2022-09-14 13:59
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