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1200V全垂直硅基
氮化镓
MOSFET
镓未来完成亿元级B++轮融资,专注
氮化镓
功率器件研发
中国科学院
氮化镓
基无源太赫兹相控阵机制研究获进展
科普系列 |
氮化镓
:开启科技新时代的 “魔法材料”
英诺赛科与联合电子成立
氮化镓
(GaN) 技术联合实验室致力于新能源汽车电力电子系统开发
氮化镓
半导体智能制造项目暨芯片综合配套项目签约
苏州纳米所秦华团队在
氮化镓
基无源太赫兹相控阵机制研究方面取得进展
中科半导体发布
氮化镓
机器人智能快充芯片
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外延层中位错辅助的电子和空穴传输研究取得进展
苏州纳米所研制出
氮化镓
光子晶体面发射激光器
比利时
氮化镓
厂商BelGaN破产损失高达100万欧元
武大、西电合作攻克范德华外延
氮化镓
高质量成核与生长难题,为跨材料、跨功能的宽禁带半导体异构集成扫清了关键障碍
安徽格恩半导体申请
氮化镓
基半导体激光器元件专利,提升限制因子
ROHM 回应合作方台积电计划 2027 年退出
氮化镓
:暂无重大影响
国家重点研发计划“大尺寸
氮化镓
单晶制备用高温超高压反应釜设计制造技术”项目启动暨实施方案论证会召开
英飞凌宣布:在300mm
氮化镓
生产路线图方面取得突破!
台积电证实:未来两年内逐步退出
氮化镓
业务
纳微半导体携手力积电,启动8英寸
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晶圆量产计划
雷电微力:研制低成本低剖面
氮化镓
组件 部分已量产
氮矽科技推出TOLL封装的增强型硅基
氮化镓
(GaN)晶体管
英诺赛科与美的威灵合作,加速
氮化镓
在空调电机应用!
英诺赛科与美的威灵达成
氮化镓
战略合作
西交利物浦大学刘雯课题组招收
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功率器件方向博士生(英国利物浦大学学位)
南京大学团队在国际功率半导体会议ISPSD上发布两项宇航用
氮化镓
功率器件辐照效应研究成果
国产首颗机器人关节“
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驱动器芯片”正式商用
中科院苏州纳米所孙钱团队与合作者在
氮化镓
紫外探测领域取得新进展
CSPSD2025 | 近30位专家学者齐聚探讨
氮化镓
及超宽禁带功率器件新未来!
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明星企业陷破产危机:聚力成半导体从50亿项目到清算边缘
CSPSD 2025前瞻|英诺赛科孟无忌:GaN“上车”之路——
氮化镓
在电动汽车中应用方案与优势
CSPSD 2025前瞻| 氮矽科技罗鹏:集成驱动
氮化镓
芯片的必要性与发展趋势
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