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英飞凌宣布:在300mm
氮化镓
生产路线图方面取得突破!
台积电证实:未来两年内逐步退出
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纳微半导体携手力积电,启动8英寸
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晶圆量产计划
雷电微力:研制低成本低剖面
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组件 部分已量产
氮矽科技推出TOLL封装的增强型硅基
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英诺赛科与美的威灵合作,加速
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英诺赛科与美的威灵达成
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战略合作
西交利物浦大学刘雯课题组招收
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功率器件方向博士生(英国利物浦大学学位)
南京大学团队在国际功率半导体会议ISPSD上发布两项宇航用
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功率器件辐照效应研究成果
国产首颗机器人关节“
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驱动器芯片”正式商用
中科院苏州纳米所孙钱团队与合作者在
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紫外探测领域取得新进展
CSPSD2025 | 近30位专家学者齐聚探讨
氮化镓
及超宽禁带功率器件新未来!
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明星企业陷破产危机:聚力成半导体从50亿项目到清算边缘
CSPSD 2025前瞻|英诺赛科孟无忌:GaN“上车”之路——
氮化镓
在电动汽车中应用方案与优势
CSPSD 2025前瞻| 氮矽科技罗鹏:集成驱动
氮化镓
芯片的必要性与发展趋势
江南大学成果推介:
氮化镓
微波功率器件
CSPSD 2025前瞻|南京大学周峰:
氮化镓
功率器件辐射效应与加固技术研究
CSPSD 2025前瞻|新微半导体王庆宇:
氮化镓
赋能未来,突破功率极限,开启能效革命
意见征集 | 北大光电院牵头的异质外延
氮化镓
外延层厚度测试方法标准形成征求意见稿
Polar与瑞萨电子达成硅基
氮化镓
技术授权协议
YS/T 1654-2023《
氮化镓
化学分析方法 痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》标准解读
英诺赛科发布自主开发的1200V
氮化镓
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比利时
氮化镓
厂商BelGaN拟被2.5亿欧元收购,计划生产光芯片
江西誉鸿锦取得亚垂直结构
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肖特基势垒二极管及其制造方法专利
意法半导体与英诺赛科签署
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技术开发与制造协议
镓特半导体取得一种HVPE大尺寸
氮化镓
晶圆镓舟反应器专利,能够提升
氮化镓
晶圆片生长尺寸
全球首创!九峰山实验室在氮极性
氮化镓
材料制备领域取得新突破
重磅发布|九峰山实验室GaN系列成果首次发布!
九峰山实验室
GaN
研究成果
8英寸
氮化镓衬底
山东晶镓申请一种紫外光催化辅助的
氮化镓
晶圆抛光方法专利,提高了
氮化镓
晶圆的抛光效率
国星光电:子公司风华芯电
氮化镓
器件实现量产并开始接单
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