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攻克行业空白！中镓半导体实现6/8英寸GaN衬底制备
 评论 ⋅  2025-09-16 18:22
2025云南晶体大会前瞻| 厦门大学梅洋：GaN基VCSEL技术进展
 评论 ⋅  2025-09-16 09:48
2025云南晶体大会前瞻|厦门大学卢卫芳：GaN/InGaN基核-壳纳米结构选区外延及其Micro-LED器件制备研究
 评论 ⋅  2025-09-11 11:45
2025云南晶体大会前瞻|广东工业大学张紫辉：GaN功率半导体器件仿真建模与制备研究
 评论 ⋅  2025-09-10 16:01
2025云南晶体大会前瞻|北京大学王嘉铭：III族氮化物AlGaN基紫外发光器件结构堆垛研究
 评论 ⋅  2025-09-10 15:45
英诺赛科宣布第三代700V GaN增强型氮化镓功率器件系列全面上市
 评论 ⋅  2025-09-05 09:17
标准 | 《高频开关应用下GaN HEMT开关可靠性试验方法》发布
 评论 ⋅  2025-08-29 13:53
新洁能延期包括第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测等三个募投项目
 评论 ⋅  2025-08-22 17:35
纳微双向GaN激活微逆单级“芯”突破
 评论 ⋅  2025-08-11 17:46
英诺赛科发布100V低边驱动IC，拓展VGaN™生态系统
 评论 ⋅  2025-08-09 18:56
国际首发！深圳平湖实验室研制8英寸4°倾角4H-SiC上高质量GaN外延
 评论 ⋅  2025-08-07 18:12
英诺赛科与联合电子成立氮化镓 (GaN) 技术联合实验室致力于新能源汽车电力电子系统开发
 评论 ⋅  2025-07-30 10:52
广东致能：全球首发硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技术
 评论 ⋅  2025-07-22 11:50
标准/“GaN HEMT开关可靠性试验、功率器件用硅衬底GaN外延片”2项标准形成委员会草案
 评论 ⋅  2025-07-21 14:30
中科院微电子所黄森、刘新宇团队在GaN外延位错传导载流子及其导致功率电子器件可靠性退化机制方面取得重要进展
 评论 ⋅  2025-07-18 10:24
比利时氮化镓厂商BelGaN破产损失高达100万欧元
 评论 ⋅  2025-07-09 09:20
《GaN半导体激光器产业发展蓝皮书》启动编制工作，征集业内机构及企业参编单位！
 评论 ⋅  2025-06-25 11:43
氮矽科技推出TOLL封装的增强型硅基氮化镓（GaN）晶体管
 评论 ⋅  2025-06-24 14:48
科研成果| 硅基金刚石热沉在GaN功率放大器中的应用
 评论 ⋅  2025-06-18 09:49
国产突破！无锡先为科技首台GaN MOCVD外延设备成功发货
 评论 ⋅  2025-06-18 08:19
深圳平湖实验室GaN课题组刘轩博士研究成果亮相国际顶级学术会议ISPSD2025
 评论 ⋅  2025-06-17 10:40
CSA半导体激光器专委会启动半导体激光器团体标准制定与GaN激光器产业发展蓝皮书编制工作
 评论 ⋅  2025-06-12 17:53
标准 |《UIS应力下GaN HEMT在线测试方法》发布
 评论 ⋅  2025-05-26 14:18
北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件
 评论 ⋅  2025-05-22 18:32
京东方华灿GaN电力电子突破：消费级可靠性1000H突破，工业级JEDEC蓄势待发
 评论 ⋅  2025-05-22 14:05
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-05-20 14:08
1250mW、BLG 展示创世界纪录的单模 GaN 激光器
 评论 ⋅  2025-05-19 17:16
CSPSD 2025前瞻|上海大学任开琳：E型GaN HEMT和pFET的稳定性增强研究
 评论 ⋅  2025-05-19 11:02
科研成果| p-GaN栅HEMT器件在负栅压阻断态下的重离子辐照 可靠性实验研究
 评论 ⋅  2025-05-16 12:01
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学杨树：高压低阻垂直型GaN功率电子器件研究
 评论 ⋅  2025-05-15 14:13
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