由于其高集成密度、低导通电阻和快速开关速度，分栅沟槽（SGT）MOSFET已成为空间电子学中的下一代元件。然而，在空间和核设施等辐射密集型环境中，总电离剂量（TID）效应对长期稳定性构成重大挑战，导致漏电流、阈值电压偏移（|ΔVth|）和击穿电压（BV）下降。然而，对SGT MOSFET的TID效应的研究仍主要处于理论分析和模型建立阶段。迄今为止，还没有研究通过实验解决SGT MOSFET的导通和截止状态TID故障，也没有证明统一的硬化方法。
5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。本次论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，南京邮电大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业共同主办。南京邮电大学集成电路科学与工程学院（产教融合学院）、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。电子科技大学、南京邮电大学南通研究院、苏州镓和半导体有限公司、扬州扬杰电子科技股份有限公司等单位协办。
会议设有开幕大会&主旨报告，以及硅及宽禁带半导体材料、器件及集成应用，超宽禁带材料、器件及集成应用，功率集成交叉与应用，先进封装与异构集成等4个平行论坛，将覆盖晶圆造、芯片设计、芯片加工、模块封装、测试分析、软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。
届时，江南大学教授/博导黄伟将受邀出席论坛，并带来《高性能宇航级SGT功率器件与辐照模型研究》的主题报告，将聚焦宇航电子领域对高可靠功率器件的迫切需求，分享相关最新研究成果，敬请关注！
嘉宾简介
黄伟 北京大学博士，国家人才计划入选者。长期从事模拟器件与特色工艺研究，在功率器件、微波毫米波器件与工艺、异质集成与异构技术等研究方向与高校、科研院所保持紧密的合作。多次研究成果得到应用，并获得省部级奖项。
江南大学集成电路学院拥有江苏省MEMS传感器与专用集成电路制造技术重点实验室、江 苏省智能传感器与专用集成电路工程研究中心，以及无锡市第三代半导体器件与集成技术重点实验室等科研平台，以面向国家重大战略需求和经济主战场为目标，长期承担国家自然科学基金等国家和省部级项目，并获得多项科研奖励。
目前最新报告嘉宾公布，会议详情如下：
会议时间：5月22-24日
会议酒店：中国·南京·熹禾涵田酒店
组织机构
指导单位：第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：南京邮电大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业
承办单位：南京邮电大学集成电路科学与工程学院（产教融合学院）、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
协办支持：电子科技大学、南京邮电大学南通研究院、苏州镓和半导体有限公司、扬州扬杰电子科技股份有限公司
大会主席：郭宇锋
联合主席：柏松 张波 赵璐冰
程序委员会：盛况 陈敬 张进成 陆海 唐为华 罗小蓉 张清纯 龙世兵 王来利 程新红 杨媛 杨树 张宇昊 刘斯扬 章文通 陈敦军 耿博 郭清 蔡志匡 刘雯 邓小川 魏进 周琦 周弘 叶怀宇 许晟瑞 张龙 包琦龙 金锐 姚佳飞 蒋其梦 明鑫 周春华 等
组织委员会
主 任：姚佳飞
副主任：涂长峰
成 员:张茂林 周峰 徐光伟 刘盼 王珩宇 杨可萌 张珺 王曦 罗鹏 刘成 刘宇 马慧芳 陈静 李曼 贾欣龙等
主题方向
1. 硅基功率器件与集成技术
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术
2.碳化硅功率器件与集成技术
碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
3.氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成
氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
4.氧化镓/金刚石功率器件与集成技术
氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
5.模组封装与应用技术
功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性
6.面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术
核心外延材料、晶圆芯片及封装材料；退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术；制造、封装、检测及测试设备等
7.功率器件交叉领域
基于新材料（柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料）的功率半导体器件设计、制造与集成技术；人工智能驱动的功率器件仿真，建模与设计、封装与测试
会议日程总览
最新报告嘉宾
备注：以下为目前部分报告嘉宾和议题，不分先后！
张进成--西安电子科技大学副校长、教授
孙伟锋--东南大学集成电路学院院长
唐为华--南京邮电大学教授、镓和半导体董事长
用于XPU供电的DrMOS器件发展趋势与技术挑战
乔明--电子科技大学教授
用于XPU供电的DrMOS器件发展趋势与技术挑战
TBD--英诺赛科科技有限公司
TBD--扬杰科技
王庆宇--新微半导体总经理
氮化镓赋能未来，突破功率极限，开启能效革命
陈敦军--南京大学电子科学与工程学院副院长、教授
氧化镓异质结构与器件
叶建东--南京大学电子科学与工程学院副院长、教授
氧化镓异质结构与器件
魏进--北京大学集成电路学院研究员
Multidimensional Devices in GaN and Ga2O3: Superjunction, Multi-channel, and FinFET
张宇昊 巩贺贺--香港大学教授、博士后研究员
宋庆文--西安电子科技大学教授
面向功率器件制造的先进离子注入解决方案：集成工艺与创新
王鹤鸣--爱发科（苏州）技术研究开发有限公司研究员
高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件与集成
黄森--中国科学院微电子研究所研究员
新能源时代半导体封测技术与趋势
邢卫兵--通富微电子股份有限公司/通富研究院Power技术中心负责人
功率器件封装技术的发展及展望
朱正宇--炽芯微电子科技（苏州）有限公司董事长&总经理
面向车规应用的功率之”芯”SiC及封装技术挑战
李道会--北京昕感科技(集团)副总，功率模块事业部负责人
氮化镓功率器件辐射效应与加固技术研究
周 峰--南京大学副研究员
氮化镓功率器件辐射效应与加固技术研究
宣融--南京百识电子科技有限公司总经理
宽禁带半导体3D集成技术
程新红--中国科学院上海微系统研究所研究员
邓小川--电子科技大学教授
刘盼--复旦大学上海碳化硅功率器件工程技术研究中心副主任
施宜军--工业和信息化部电子第五研究所高级工程师
P-GaN HEMT栅极ESD鲁棒性及改进方法
彭燕--山东大学教授
High Breakdown Voltage Low Dynamic RON Non-etching E-mode GaN HEMTs with Oxidized In-situ p-GaN Layer as Passivation
张洁--西交利物浦大学芯片学院助理教授、本科专业负责人
1.5 kV Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFETs
刘超--山东大学集成电路学院/晶体材料全国重点实验室教授
GaN Monolithic Integration for Power Conversion Applications
朱昱豪--青海大学能源与电气工程学院讲师
Enhancement-mode (001) β-Ga2O3 Vertical Multi-fin Power Transistors
郭高甫--中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
3 kV级超宽禁带Diamond/ε-Ga2O3异质p-n结二极管
章建国--中国科学院宁波材料技术与工程研究所博士
......更多报告嘉宾持续确认更新中
参会及拟邀单位
中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、明义微电子、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学等……
活动参与：
注册费2800元，5月15日前注册报名2500元（含会议资料袋，23日午餐、欢迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）
缴费方式
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②移动支付
备注：通过银行汇款/移动支付，请务必备注：单位简称+姓名+南京，以便后续查询及开具发票。若需开具发票请将报名信息、转账凭证及开票信息发送至邮箱:lilyli@china-led.net。
扫码预报名
备注：此码为预报名通道，完成信息提交后，需要对公汇款或者扫码支付注册费。
论文投稿及报告咨询：
贾老师 18310277858 jiaxl@casmita.com
姚老师 15951945951 jfyao@njupt.edu.cn
张老师 17798562651 mlzhang@njupt.edu.cn
李老师 18601994986 linan@casmita.com
赞助、展示及参会联系：
贾先生 18310277858 jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411 zhangww@casmita.com
投稿模板下载：投稿模板_CSPSD2025.docx 文章择优推荐到EI期刊《半导体学报（英文）》。
会议酒店
南京熹禾涵田酒店
协议价格：标间&大床房，400元/晚，含早餐
地址：南京市浦口区象贤路158号
邮箱：503766958@qq.com
酒店联系人
陆经理 15050562332 025-58628888
