2025云南晶体大会前瞻|中国科学院半导体研究所杨晓光:硅基III-V族材料外延及异质集成研究进展

日期:2025-09-03 阅读:335
核心提示:9月26-28日,“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时,中国科学院半导体研究所研究员杨晓光受邀将出席会议,并带来《硅基III-V族材料外延及异质集成研究进展》的主题报告,敬请关注!

头图

GaAs、InP等III-V族材料具有直接带隙、高电子迁移率等优势。通过异质外延技术将III-V族材料与硅集成,是突破现有硅基元器件及集成回路性能瓶颈的重要路径。基于硅基InAsSb纳米线阵列材料的立式环栅晶体管可突破硅基CMOS亚阈值摆幅极限并实现微电子三维集成。 

9月26-28日,“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。会议在第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)指导下,由赛迪智库集成电路研究所、中国科学院半导体研究所、云南大学、昆明理工大学等单位支持,云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、半导体产业网、第三代半导体产业联合主办,云南鑫耀半导体材料有限公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。会议将围绕新一代大尺寸半导体材料在功率半导体大规模制造过程中,关键工艺及装备、器件设计与制造、关键材料、绿色厂务及产品开发与创新应用,邀请产业链相关专家、高校科研院所及知名企业代表共同深入探讨,探寻功率半导体最新技术进展,分享生产制造过程中全流程优化方案,共促功率半导体全产业链协同发展。 

届时,中国科学院半导体研究所研究员杨晓光受邀将出席会议,并带来《硅基III-V族材料外延及异质集成研究进展》的主题报告,将着重介绍近年来在基于分子束外延(MBE)和金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等方法制备硅基III-V族低维结构材料,并研发高温高功率硅基激光器、双极性场效应晶体管等集成器件方面的研究工作,以期为高性能硅基III-V集成提供思路和方法。敬请关注!

 杨晓光

嘉宾简介

杨晓光,长期从事低维结构半导体材料、器件与物理研究。现任低维半导体材料与器件北京市重点实验室副主任,中国科学院大学高端制造与集成教研室主任,中国材料学会青年理事、中国仪器仪表学会功能材料分会理事等。主持国家自然科学基金重点项目、国家重点研发计划课题、中科院重点部署等科研任务,在LPR、Nano Lett、OE等期刊发表学术论文70余篇。 

中国科学院半导体研究所是专业从事半导体物理、材料与器件研究的国家级单位,在半导体理论、半导体材料、半导体光电子器件等领域有雄厚的研究基础。本团队在超高温工作激光器、超低噪声激光器、硅光集成光模块等方向具有多项关键专利,成果应用于多个民用与专用装备。

 附会议信息: 

【会议时间】 2025年9月26-28日

【会议地点】云南·昆明 

【指导单位】

  第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)

  中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)

【主办单位】

  云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

 极智半导体产业网(www.casmita.com)

 半导体照明网(www.china-led.net)

 第三代半导体产业

【承办单位】

云南鑫耀半导体材料有限公司

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

【支持单位】

赛迪智库集成电路研究所

 中国科学院半导体研究所

 云南大学

 山东大学

 云南师范大学

 昆明理工大学

 晶体材料全国重点实验室

.....

【关键材料】

1、锗、硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究;

2、氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究;

3、氮化铝、金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究;

【主要方向】

1.化合物半导体单晶与外延材料

(砷化镓,磷化铟,氮化镓,碳化硅,氮化铝,氧化镓,氮化硼,蓝宝石,铌酸锂等晶体、外延生长及模拟设计等)

2. 硅、高纯锗及锗基材料

(大硅片生长及及应用,直拉法或区熔法等单晶生长,原料提纯,GeSi、GeSn、GeC 等多元单晶薄膜,切片与机械抛光,掺杂调控离子注入等) 

3.高纯金属、原辅料制备及晶体外延生长与加工关键装备

(高纯前驱体,高纯试剂,高纯气体,高纯粉体, 长晶炉,MOCVD,  MBE, LPE,PVT 等外延生长装备,Mo源,MBE 源, 石墨,切割,研磨及抛光设备与材料,检测设备等)

4.测试评价及AI for Science

(AI 驱动的测试评价革新, 缺陷工程与掺杂策略、晶体生长智能调控、缺陷实时检测与修复,多尺度建模,绿色制造优化 等)

5.光电子器件工艺与应用

(发光二极管,激光二极管,光电探测器件,太阳能电池,照明与显示,激光雷达,光通信,量子技术等)

6.通讯射频器件工艺与应用

(功率放大器,低噪声放大器,滤波器,开关器件,移动通信,卫星通信,低空飞行器,无人机,射频能量等)

7.能源电子及应用

(风电&光伏&储能新能源,电动汽车,数据中心,工业电源,电机节能,轨道交通,智能电网,航空航天,工业控制,变频家电,消费电子,仪器仪表等)

8.绿色厂务及质量管控

(洁净厂房,高纯水制备,化学品供应,特气供应,废气处理及排放,废液处理,大宗气体供应及质量管控等)

【程序委员会】

大会主席:惠峰 (云南锗业)

副主席:陈秀芳(山东大学)、赵璐冰(CASA)

委员:赵德刚(中科院半导体所)、康俊勇(厦门大学)、 徐宝强(昆明理工)、皮孝东(浙江大学)、耿博(CASA)、王军喜(中科院半导体所)、孙钱(中科院苏州纳米所)、王垚浩(南砂晶圆)、 涂洁磊(云师大)、王宏兴(西交大)、彭燕(山东大学)、李强(西交大)、宁静(西电)、修向前(南京大学)、郭杰(云师大)、王茺(云南大学)、邱峰(云南大学)、杨杰(云南大学)、谢自力(南京大学)、葛振华(昆明理工大学)、田阳(昆明理工大学)、魏同波(中科院半导体所)、许福军(北京大学)、徐明升(山东大学)、孙海定(中国科学技术大学)、田朋飞(复旦大学)、刘玉怀(郑州大学)、朱振(浪潮华光)、杨晓光(中科院半导体所)、高娜(厦门大学)、陈飞宏(云南锗业)、康森(天通控股)、解楠(赛迪研究院 )、房玉龙(中电科十三所)、邓家云(昆明理工大学)、李宝学(云锗红外) ......等

【日程安排】

日程

【活动参与】

1、注册费:会议通票2800元;早鸟票:9月20日前注册报名2600元;(含会议资料袋,9月27日午餐、晚宴,9月28日午餐等 )。

2、缴费方式:

①银行汇款

开户行:中国银行北京科技会展中心支行

账 号:336 356 029 261

名 称:北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司 

②在线注册

报名二维码

扫码注册报名

③现场缴费(微信+支付宝)

【论文投稿及报告咨询】

贾老师:18310277858,jiaxl@casmita.com 

李老师:18601994986,linan@casmita.com 

【参会参展及商务合作】

贾先生:18310277858,jiaxl@casmita.com 

张女士:13681329411,zhangww@casmita.com 

【会议酒店】

酒店名称:昆明亿壕城堡温德姆至尊酒店

酒店地址:中国(云南)自由贸易试验区昆明片区经开区枫丹白露花园

协议价格:430元/晚(含双早)

酒店预定联系: 陈经理,13759452505(微信同号)

邮箱:13759452505@139.com

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