CASICON昆明站|中国电子信息产业发展研究院解楠:氮化铝宽禁带材料发展现状及技术演进趋势研究

日期:2025-09-02 阅读:326
核心提示:9月26-28日,“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时,中国电子信息产业发展研究院集成电路研究所化合物半导体与分立器件研究室主任解楠受邀将出席会议,并带来《氮化铝宽禁带材料发展现状及技术演进趋势研究》的主题报告,分享最新相关趋势,敬请关注!

 全球半导体产业正呈现三个显著特点:一是人工智能快速发展进一步加速集成电路多维度“分化”,包括工艺制程代际的分化、系统集成能力的分化、创新架构的分化已经配套能力的分化。二是集成电路技术发展面临“存储墙”、“面积墙”、“功耗墙”和“功能墙”四重制约。三是先进工艺、先进封装、先进材料和架构创新呈现互补、替代态势。因此,后摩尔时代对技术的需求和丰富度更高,宽禁带半导体材料将会大有可为。目前,碳化硅和氮化镓在电力电子领域产业化速度显著,氧化镓刚刚起步,氮化铝由深紫外向电力电子领域拓展,金刚石在量子领域应用快速增长。AlN作为超宽禁带半导体材料体系的典型代表,是实现高性能深紫外光电器件、高频微波器件、高功率密度电子器件的关键材料,在军事、国防、航空航天及民用领域具有极强的战略和应用价值。 

9月26-28日,“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。会议在第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)指导下,由赛迪智库集成电路研究所、中国科学院半导体研究所、云南大学、昆明理工大学等单位支持,云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、半导体产业网、第三代半导体产业联合主办,云南鑫耀半导体材料有限公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。会议将围绕新一代大尺寸半导体材料在功率半导体大规模制造过程中,关键工艺及装备、器件设计与制造、关键材料、绿色厂务及产品开发与创新应用,邀请产业链相关专家、高校科研院所及知名企业代表共同深入探讨,探寻功率半导体最新技术进展,分享生产制造过程中全流程优化方案,共促功率半导体全产业链协同发展。 

届时,中国电子信息产业发展研究院集成电路研究所化合物半导体与分立器件研究室主任解楠受邀将出席会议,并带来《氮化铝宽禁带材料发展现状及技术演进趋势研究》的主题报告,分享最新相关趋势,敬请关注! 

嘉宾简介

解楠

解楠,毕业于北京大学物理学院,博士研究生学历,现任中国电子信息产业发展研究院(工信部赛迪研究院)集成电路研究所分立器件与化合物半导体研究室主任、高级工程师。曾长期从事氮化铝基超宽禁带半导体材料及器件研究,在Nature Materials、ACS Applied Nano Materials等国际顶级和知名期刊上发表10余篇SCI论文。近五年来,带领团队重点支撑中央部委相关司局开展化合物半导体、MEMS传感器、光电子、量子精密测量领域智库研究和政策文件编制工作,主持、参与50余项省部级、地市级研究课题,出版著作一本。

附会议信息: 

【会议时间】 2025年9月26-28日

【会议地点】云南·昆明 

【指导单位】

  第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)

  中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)

【主办单位】

  云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

 极智半导体产业网(www.casmita.com)

 半导体照明网(www.china-led.net)

 第三代半导体产业

【承办单位】

云南鑫耀半导体材料有限公司

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

【支持单位】

赛迪智库集成电路研究所

 中国科学院半导体研究所

 云南大学

 山东大学

 云南师范大学

 昆明理工大学

 晶体材料全国重点实验室

.....

【关键材料】

1、锗、硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究;

2、氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究;

3、氮化铝、金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究;

【主要方向】

1.化合物半导体单晶与外延材料

(砷化镓,磷化铟,氮化镓,碳化硅,氮化铝,氧化镓,氮化硼,蓝宝石,铌酸锂等晶体、外延生长及模拟设计等)

2. 硅、高纯锗及锗基材料

(大硅片生长及及应用,直拉法或区熔法等单晶生长,原料提纯,GeSi、GeSn、GeC 等多元单晶薄膜,切片与机械抛光,掺杂调控离子注入等) 

3.高纯金属、原辅料制备及晶体外延生长与加工关键装备

(高纯前驱体,高纯试剂,高纯气体,高纯粉体, 长晶炉,MOCVD,  MBE, LPE,PVT 等外延生长装备,Mo源,MBE 源, 石墨,切割,研磨及抛光设备与材料,检测设备等)

4.测试评价及AI for Science

(AI 驱动的测试评价革新, 缺陷工程与掺杂策略、晶体生长智能调控、缺陷实时检测与修复,多尺度建模,绿色制造优化 等)

5.光电子器件工艺与应用

(发光二极管,激光二极管,光电探测器件,太阳能电池,照明与显示,激光雷达,光通信,量子技术等)

6.通讯射频器件工艺与应用

(功率放大器,低噪声放大器,滤波器,开关器件,移动通信,卫星通信,低空飞行器,无人机,射频能量等)

7.能源电子及应用

(风电&光伏&储能新能源,电动汽车,数据中心,工业电源,电机节能,轨道交通,智能电网,航空航天,工业控制,变频家电,消费电子,仪器仪表等)

8.绿色厂务及质量管控

(洁净厂房,高纯水制备,化学品供应,特气供应,废气处理及排放,废液处理,大宗气体供应及质量管控等)

【程序委员会】

大会主席:惠峰 (云南锗业)

副主席:陈秀芳(山东大学)、赵璐冰(CASA)

委员:赵德刚(中科院半导体所)、康俊勇(厦门大学)、 徐宝强(昆明理工)、皮孝东(浙江大学)、耿博(CASA)、王军喜(中科院半导体所)、孙钱(中科院苏州纳米所)、王垚浩(南砂晶圆)、 涂洁磊(云师大)、王宏兴(西交大)、彭燕(山东大学)、李强(西交大)、宁静(西电)、修向前(南京大学)、郭杰(云师大)、王茺(云南大学)、邱峰(云南大学)、杨杰(云南大学)、谢自力(南京大学)、葛振华(昆明理工大学)、田阳(昆明理工大学)、魏同波(中科院半导体所)、许福军(北京大学)、徐明升(山东大学)、孙海定(中国科学技术大学)、田朋飞(复旦大学)、刘玉怀(郑州大学)、朱振(浪潮华光)、杨晓光(中科院半导体所)、高娜(厦门大学)、陈飞宏(云南锗业)、康森(天通控股)、解楠(赛迪研究院 )、房玉龙(中电科十三所)、邓家云(昆明理工大学)、李宝学(云锗红外) ......等

【日程安排】

日程

【活动参与】

1、注册费:会议通票2800元;早鸟票:9月20日前注册报名2600元;(含会议资料袋,9月27日午餐、晚宴,9月28日午餐等 )。

2、缴费方式:

①银行汇款

开户行:中国银行北京科技会展中心支行

账 号:336 356 029 261

名 称:北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司 

②在线注册

报名二维码

扫码注册报名

③现场缴费(微信+支付宝)

【论文投稿及报告咨询】

贾老师:18310277858,jiaxl@casmita.com 

李老师:18601994986,linan@casmita.com 

【参会参展及商务合作】

贾先生:18310277858,jiaxl@casmita.com 

张女士:13681329411,zhangww@casmita.com 

【会议酒店】

酒店名称:昆明亿壕城堡温德姆至尊酒店

酒店地址:中国(云南)自由贸易试验区昆明片区经开区枫丹白露花园

协议价格:430元/晚(含双早)

酒店预定联系: 陈经理,13759452505(微信同号)

邮箱:13759452505@139.com

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