中科院上海微系统所程新红研究员将出席南京功率与射频应用峰会,将带来“SOI基GaN材料及功率器件集成技术进展”

日期:2021-09-03     来源:半导体产业网    
核心提示:Si基GaN外延技术是实现大面积、低成本GaN外延片的主要技术,相对于GaN-on-Si而言,GaN-on-SOI技术在材料、集成与成本方面均具有显著优势。
Si基GaN外延技术是实现大面积、低成本GaN外延片的主要技术,相对于GaN-on-Si而言,GaN-on-SOI技术在材料、集成与成本方面均具有显著优势。
 
其中,从材料角度,采用GaN-on-SOI技术,SOI BOX层的介质隔离可完全避免Si衬底漏电通道产生,且可抑制高压下垂直方向的电学击穿。
 
集成角度,采用GaN-on-SOI技术实现功率器件、驱动器和控制逻辑的电流隔离,可避免诸多负面效应。若更进一步,通过设计用于驱动高边开关的共同集成电压转换器,避免(重叠栅极输入波形的)死区时间控制器以及(片上脉冲宽度)调制电路,可以制造高度集成的降压和升压转换器。
 
成本角度,采用GaN-on-SOI技术,包括驱动器和模拟模块等在内的完整转换器可片上集成,且可采用简单的封装技术封装(因为频率敏感元件已经在芯片上连接),这大大节省了最终电力系统的成本。
会议宣传图
2021年9月13-14日“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会(CASICON 2021)”将在南京召开。会议围绕碳化硅、氮化镓、砷化镓、氧化镓、金刚石等材料在电力电子、5G射频领域的技术进展与创新应用,助推相关领域市场产品国产化替代。
 
会上,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员程新红将带来“SOI基GaN材料及功率器件集成技术”的精彩报告,其中,将详细分享最新的成果,以及该技术优势的实现方式等内容,值得期待。
 
更多详细报告内容,敬请关注峰会,也欢迎相关领域专家、学者、行业企事业单位参会交流,共商合作事宜。
 
【嘉宾简介】
程新红
 
程新红,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员,九三学社上海微系统所支社主委。1992年毕业于吉林大学物理系获得学士学位,1997年毕业于中科院金属研究所获得硕士学位,2005年毕业于中科院上海微系统与信息技术研究所获得博士学位。主要从事功率技术开发以及汽车电子专用芯片研发。

针对宽禁带半导体功率器件GaN HEMT开展系列工作,尤其侧重HEMT器件界面高介电常数介质生长和钝化、以及电流崩塌效应抑制;开发出1700 V SiC RG-MOS和1200 V SiC JBS器件;针对汽车电子通讯接口芯片CAN\LIN,以及电动汽车用电池监控芯片(BMS)开展研发工作,力争实现关键芯片国产化;与无锡华润上华半导体公司(CSMC)合作开发薄膜SOI功率器件结构和工艺,技术转移到CSMC形成0.5 μm 薄膜 SOI高压 BCD技术平台,成功研制出600V SOI高压器件LDMOS/LIGBT,器件开态电阻和击穿电压达到了SOI BCD 技术始祖NXP公司的同类产品水平,基于这套SOI BCD技术,客户已经开发LED驱动等电路,并且实现量产。

作为项目负责人承担国家科技重大专项、国家自然基金面上项目、中科院项目、上海市科技创新项目等,在IEEE Transactions on Power Electronics, IEEE  Transactions on  Electron Devices和IEEE Electron Devices等期刊上发表60余篇学术论文,授权30余项国内发明专利,3项PCT专利。

会务组也诚挚欢迎相关领域的专家、学者、行业企事业单位能参会与程新红研究员多多交流!更多会议资料请往下查看:
 
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【组织机构】
 
指导单位
南京大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟
 
主办单位
半导体产业网
第三代半导体产业 公号
 
承办单位
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

赞助支持单位 
蓝雨软件技术开发(上海)有限公司
爱发科商贸(上海)有限公司
宁波恒普真空技术有限公司
苏州晶湛半导体有限公司
青岛聚能创芯微电子有限公司
德仪国际贸易(上海)有限公司
大族激光显示与半导体装备事业部
上海翱晶半导体科技有限公司
上海智湖信息技术有限公司
芜湖启迪半导体有限公司
湖南国芯半导体科技有限公司
赞助企业LOGO图
 
【时间地点】
 时间:2021年9月13-14日
地点:南京·城市名人酒店(江苏省南京市鼓楼区中山北路30号)

【会议安排】
【报告嘉宾&主题报告】

1、9月13日报告(陆续更新中)
报告嘉宾:于坤山 第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长
主题报告:中国功率与射频技术市场现状及未来展望

报告嘉宾:
陈堂胜--中国电科首席科学家/微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室主任
主题报告:低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件

报告嘉宾:陈敦军--南京大学电子科学与工程学院副院长、教授   
主题报告:GaN功率开关器件及其高频电源应用
 
报告嘉宾:刘斯扬--东南大学教授
主题报告:SiC功率MOSFET器件可靠性研究进展

报告嘉宾:
龙世兵--中国科学技术大学微电子学院执行院长
主题报告:低成本高性能氧化镓功率器件

报告嘉宾:Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主题报告:Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective

报告嘉宾:戴小平-湖南国芯科技总经理
主题报告浅析SiC模块封装技术

报告嘉宾:Yuhao Zhang  美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理研究员
主题报告1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit  

报告嘉宾:龚平--西安唐晶量子科技有限公司董事长
主题报告6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射频外延技术

报告嘉宾:纽应喜--启迪半导体研发总监
主题报告碳化硅外延装备及技术进展

报告嘉宾:张 云--天津大学电气自动化与信息工程学院教授
主题报告新能源汽车电力电子系统及其运行控制
 
2、9月14日报告(陆续更新中)

报告嘉宾:
程新红--中科院上海微系统研究所研究员
主题报告SOI基GaN材料及功率器件集成技术

报告嘉宾:邓小川--电子科技大学教授
主题报告极端应力下碳化硅功率MOSFET的动态可靠性研究

报告嘉宾:惠  峰--云南锗业公司首席科学家/中科院半导体所研究员
主题报告VCSEL用六英寸超低位错密度砷化镓单晶片研制及应用

报告嘉宾:陈 鹏--南京大学教授
主题报告GaN肖特基功率器件新进展

报告嘉宾:Yuhao Zhang 美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理教授
主题报告Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices

报告嘉宾:倪炜江--安徽芯塔电子科技有限公司 总经理
主题报告高性能高压碳化硅功率器件设计与技术

报告嘉宾:李 强--西安交通大学副教授
主题报告基于HBN 的射频器件

报告嘉宾:吴 彤--安森美首席SiC 专家
主题报告Adopt of SiC devices in EV applications

报告嘉宾:吴 亮--奥趋光电CEO
主题报告AlN/AlScN材料制备技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望

报告嘉宾:张保平--厦门大学电子科学与技术学院 副院长、教授
主题报告氮化镓基VCSEL技术进展

报告嘉宾:蔚 翠--中电科第十三研究所研究员
主题报告金刚石微波功率器件研究

报告嘉宾:左  超--爱发科商贸(上海)有限公司电子营业部部长
主题报告量产高性能功率与射频器件的ULVAC装备技术

报告嘉宾:裴轶/Amgad Alsman--苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁/中国科学技术大学
主题报告:基于物理的5G射频GaN 晶体管模型、趋势和挑战

报告嘉宾:王祁玉--益丰电子副总经理
主题报告射频器件(TBD)

报告嘉宾:袁 理--青岛聚能创芯微电子有限公司
主题报告面向快充应用的GaN材料和器件技术

报告嘉宾:刘 雯--西交利物浦大学副教授
主题报告硅基GaN MIS-HEMT 单片集成技术

报告嘉宾:黄润华--中电科五十五所副主任设计师
主题报告碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展

报告嘉宾:英诺赛科科技股份有限公司
主题报告八英寸硅基氮化镓技术进展(TBD)
 
报告嘉宾:叶建东--南京大学教授
主题报告
氧化镓基双极型异质结功率器件研究

报告嘉宾:彭 燕--南砂晶圆研发中心主任,山东大学副教授
主题报告碳化硅与金刚石单晶衬底技术与产业化研究

报告嘉宾:叶念慈--三安集成技术市场总监
主题报告(TBD)

报告嘉宾:童吉楚--乾照激光副总经理
主题报告VCSEL 技术 (TBD)

报告嘉宾:向鹏博士--苏州晶湛半导体有限公司研发经理 
主题报告用于新型GaN功率器件的外延技术进展

报告嘉宾:杨学林--北京大学物理学院高级工程师
主题报告
Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展

报告嘉宾:Yuhao Zhang  美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理教授
主题报告Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching

报告嘉宾:徐尉宗--南京大学研究员
主题报告
面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术

报告嘉宾:郭宇锋--南京邮电大学副校长、教授
主题报告Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network

报告嘉宾:樊嘉杰--复旦大学青年研究员
主题报告SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计

更多报告嘉宾正在确认中!!!
 
【拟参与单位】华为、中兴、南京大学、三安光电、东南大学、英诺赛科、锴威特、泰科天润、基本半导体、捷捷微电、中微公司、苏州纳维、厦门大学、南砂晶圆、瀚天天成、苏州晶湛、云南锗业、Crosslight、英飞凌、GaNPower、安森美、许继电气、中车时代、国家电网、中芯集成、华润微电子、南大光电、AIXTRON、中电科五十五所、中电科十三所 西安电子科技大学、江苏能华、西安交通大学、北京大学,电子科技大学,河北同光、山东天岳、天津大学、聚能创芯,赛微电子,南京百识,唐晶量子,天科合达,汉骅半导体,南京百识,大族激光,德仪,江苏三代半研究院等

【投稿】Oral或Poster :500字左右扩展摘要提交到 1957340190@qq.com。

【参会注册 】注册费 2000 (会议资料,招待晚宴,自助餐)
开户行:中国银行北京科技会展中心支行
账  号:336 356 029 261
名  称:北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

【参会/赞助/商务合作】
联系人:
贾先生18310277858,jiaxl@casmita.com
              张小姐13681329411,zhangww@casmita.com
南京功率射频会议活动行
如果您想参会,可以直接扫码预报名,我们会第一时间和您联系!
协议酒店:城市名人酒店(协议价400,含早)
联系人:王玮18652978537,648231476@qq.com 

防疫提示:会务组最新咨询南京市卫健委并得到答复,目前南京市全域均为低风险区,进出南京不需要核酸检测证明,只要14天内没去过中高风险区和出入境经历,体温无异常情况下,均可持绿码进出南京参加会议。
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