会上，启迪半导体研发总监钮应喜带来了“碳化硅外延装备及技术进展”的主题报告，报告指出，碳化硅外延发展至今从理论、设备、工艺技术等方面已经取得很大的进展。理论方面：首先是台阶流模型的提出，其次是引入TCS生长体系，在理论基础上，设备应从硅烷体系发展到了氯基体系，外延设备也陆续实现国产替代；再次就是未来4H-SiC外延生长将向多片式、大尺寸、高均匀性、低缺陷方向发展；最后，为了使器件的性能能够进一步提升，通过外延来实现部分器件结构，主要是开发SiC外延沟槽填充技术，进一步降低器件的导通电阻；在高压应用方面，厚膜生长技术比较滞后，未来需要解决的技术有：厚膜少子寿命，缺陷控制，材料的均匀性。
嘉宾简介
钮应喜博士，主要从事第三代半导体材料和器件的研制；申请国家专利64项；牵头编制国家标准两项，发布行业标准一项，团体标准多项。发表论文40余篇；作为项目负责人主持安徽省重大项目2项；作为任务课题负责人承担2项国家重点研发计划和863项目。为教授级高级工程师，安徽省技术领军人才；国际IEC及SEMi化合物标准会委员；全国半导体器件、全国半导体材料标准委员会委员。
