【CASICON 2021】启迪半导体钮应喜:碳化硅外延装备及技术进展

日期:2021-09-14 来源:半导体产业网阅读:320
核心提示:启迪半导体研发总监钮应喜带来了“碳化硅外延装备及技术进展”的主题报告,报告指出,碳化硅外延发展至今从理论、设备、工艺技术等方面已经取得很大的进展。
9月13-14日,“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会(CASICON 2021)”在南京召开。会议围绕碳化硅、氮化镓、砷化镓、氧化镓、金刚石等材料在电力电子、5G射频领域的技术进展与创新应用,助推相关领域市场产品国产化替代。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办,并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。
钮应喜
会上,启迪半导体研发总监钮应喜带来了“碳化硅外延装备及技术进展”的主题报告,报告指出,碳化硅外延发展至今从理论、设备、工艺技术等方面已经取得很大的进展。理论方面:首先是台阶流模型的提出,其次是引入TCS生长体系,在理论基础上,设备应从硅烷体系发展到了氯基体系,外延设备也陆续实现国产替代;再次就是未来4H-SiC外延生长将向多片式、大尺寸、高均匀性、低缺陷方向发展;最后,为了使器件的性能能够进一步提升,通过外延来实现部分器件结构,主要是开发SiC外延沟槽填充技术,进一步降低器件的导通电阻;在高压应用方面,厚膜生长技术比较滞后,未来需要解决的技术有:厚膜少子寿命,缺陷控制,材料的均匀性。
 
嘉宾简介
钮应喜博士,主要从事第三代半导体材料和器件的研制;申请国家专利64项;牵头编制国家标准两项,发布行业标准一项,团体标准多项。发表论文40余篇;作为项目负责人主持安徽省重大项目2项;作为任务课题负责人承担2项国家重点研发计划和863项目。为教授级高级工程师,安徽省技术领军人才;国际IEC及SEMi化合物标准会委员;全国半导体器件、全国半导体材料标准委员会委员。
 
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