拓荆科技9月12日发布晚间公告称，公司拟定增募资不超过46亿元，扣除发行费用后的募集资金净额拟投入高端半导体设备产业化基地建设项目、前沿技术研发中心建设项目并补充流动资金。其中，高端半导体设备产业化基地建设项目系公司使用首次公开发行募集资金2.68亿元投资的项目，公司拟使用本次募集资金15亿元对其进行追加投资。
公告显示，高端半导体设备产业化基地建设项目拟在辽宁省沈阳市浑南区新建产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等，并引入先进的生产配套软硬件，打造规模化、智能化、数字化的高端半导体设备产业化基地。项目原计划投资总额11亿元，根据实际需求，拟将项目投资总额由11亿元增加至17.68亿元，并计划将原拟由自筹资金投入的8.32亿元（截至本预案公告日尚未投入）调整为由本次募集资金进行投入。
拓荆科技表示，本次项目的实施将大幅提升公司高端半导体设备产能，支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力，并通过智能化配套设施建设，提升生产效率，以充分满足下游市场及客户需求，扩大公司业务规模，从而进一步提升公司竞争能力和市场地位。
前沿技术研发中心建设项目实施主体为拓荆创益及拓荆上海，拟投资总额20.01亿元，拟开展多款先进薄膜沉积设备的研发，包括PECVD、ALD、沟槽填充CVD等工艺设备，并逐步突破其中的前沿核心技术，进而形成一系列具有自主知识产权、面向前沿技术领域应用的先进薄膜沉积设备产。同时，持续进行PECVD、ALD、沟槽填充CVD等产品的优化升级，不断提升产品性能，满足先进工艺的迭代需求。此外，该项目将进行新一代自动化控制系统和控制软件架构开发，通过智能算法、优化数据处理等方式，促进设备性能的提升和自主创新性，进一步强化上市公司薄膜沉积设备的市场竞争力。
拓荆科技称，该项目将从设备的硬件创新设计、控制系统及软件开发、高性能薄膜工艺开发为核心切入点，对多种新型高端薄膜沉积设备进行研发、产线验证及优化，实现前沿核心技术的逐步突破，助力半导体产业链生态的整体国产化转型，提升国内半导体供应链的安全自主水平。
