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瞻芯电子与浙江大学联合发表10kV SiC MOSFET研发成果，助力高压应用技术革新
 评论 ⋅  2025-06-06 16:24
标准 |华峰测控牵头的3项SiC MOSFET UIS/单管短路/模块短路测试方法形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-05-20 13:54
CSPSD 2025前瞻|东南大学魏家行：碳化硅功率MOSFET关键技术新进展
 评论 ⋅  2025-05-19 10:06
CSPSD 2025前瞻|复旦大学刘盼：1200V IGBT与SiC MOSFET的短路性能对比研究
 评论 ⋅  2025-05-15 15:03
CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陈中圆：基于正向压降表征的碳化硅MOSFET结温测量方法研究
 评论 ⋅  2025-05-13 10:33
CSPSD 2025前瞻|山东大学刘超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET
 评论 ⋅  2025-05-12 14:56
CSPSD 2025前瞻|南京第三代半导体技术创新中心有限公司李士颜:新一代SiC功率MOSFET产品研制进展
 评论 ⋅  2025-05-12 11:11
基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET
 评论 ⋅  2025-05-06 18:55
CSPSD 2025前瞻|广东工业大学周贤达：功率MOSFET的非嵌位感性开关
 评论 ⋅  2025-05-06 18:33
标准 |华峰测控牵头的3项SiC MOSFET UIS/单管短路/模块短路测试方法形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-04-29 17:20
清纯半导体推出第3代SiC MOSFET产品平台
 评论 ⋅  2025-04-22 12:10
瑶芯微申请沟槽型MOSFET器件结构及其制备方法专利，降低器件动态损耗
 评论 ⋅  2025-04-22 11:01
标准 | SiC MOSFET 有功对拖/杂感/AC-温湿度循环试验方法立项
 评论 ⋅  2025-04-18 15:52
标准 | SiC MOSFET晶圆级老化及筛选试验方法立项
 评论 ⋅  2025-04-18 15:50
标准 | SiC MOSFET模块局部放电试验方法立项
 评论 ⋅  2025-04-18 15:30
芯联集成：公司SiC MOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局
 评论 ⋅  2025-03-18 11:22
芯粤能半导体成功开发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台
 评论 ⋅  2025-03-17 08:21
苏州创芯致尚取得一种SIC MOSFET芯片生产用切割装置专利，提高切割稳定性和精准度
 评论 ⋅  2025-03-07 17:31
江苏芯旺电子科技取得MOSFET器件用制造加工装置专利，提高加工效率
 评论 ⋅  2025-02-26 17:17
报告前瞻|湖南三安半导体许志维：SiC MOSFET器件技术之发展与挑战
 评论 ⋅  2025-02-19 15:03
Wolfspeed 推出全新第 4 代 MOSFET 技术平台
 评论 ⋅  2025-02-12 10:43
清纯半导体SiC MOSFET年度销售额首次突破亿元
 评论 ⋅  2024-12-31 12:15
万国半导体申请用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二极管专利，保护功率晶体管免受高电压 ESD 事件影响
 评论 ⋅  2024-12-23 15:02
基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
 评论 ⋅  2024-12-23 10:41
森国科申请 MOSFET 结构相关专利，降低饱和电流
 评论 ⋅  2024-12-19 17:10
扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件专利，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
 评论 ⋅  2024-12-19 14:49
吴伟东：SiC功率MOSFET老化检测智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2024-12-16 10:45
泰科天润“一种低导通电阻三栅纵向碳化硅MOSFET”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-12 13:55
泰科天润“一种低导通电阻三栅纵向碳化硅MOSFET”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-11 15:52
IFWS&SSLCHINA2024|CASA9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准发布
 评论 ⋅  2024-11-19 17:14
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