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应用
1200V全垂直硅基氮化镓
MOSFET
Wolfspeed推出第四代1200V车规级裸芯片碳化硅
MOSFET
九峰山实验室新型SiC Trench
MOSFET
科研级器件样品发布!
英飞凌推出采用Q-DPAK 封装的CoolSiC™
MOSFET
1200V G2
瞻芯电子第3代1200V 35mΩ SiC
MOSFET
量产交付应用,赢得市场认可
罗姆碳化硅
MOSFET
裸芯片获丰田 bZ5 电动汽车牵引逆变器应用
Wolfspeed推出新型顶部散热(TSC)碳化硅
MOSFET
和肖特基二极管,优化热管理并节约能耗
Wolfspeed 1700V
MOSFET
技术,助力重塑辅助电源系统的耐用性和成本
标准 | 《半桥拓扑中SiC
MOSFET
开关损耗准确评估测试方法》立项
标准 | 《三电平SiC
MOSFET
功率模块开关动态特性测试方法》立项
瞻芯电子与浙江大学联合发表10kV SiC
MOSFET
研发成果,助力高压应用技术革新
标准 |华峰测控牵头的3项SiC
MOSFET
UIS/单管短路/模块短路测试方法形成征求意见稿
CSPSD 2025前瞻|东南大学魏家行:碳化硅功率
MOSFET
关键技术新进展
CSPSD 2025前瞻|复旦大学刘盼:1200V IGBT与SiC
MOSFET
的短路性能对比研究
CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陈中圆:基于正向压降表征的碳化硅
MOSFET
结温测量方法研究
CSPSD 2025前瞻|山东大学刘超:1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率
MOSFET
CSPSD 2025前瞻|南京第三代半导体技术创新中心有限公司李士颜:新一代SiC功率
MOSFET
产品研制进展
基本半导体推出新一代碳化硅
MOSFET
CSPSD 2025前瞻|广东工业大学周贤达:功率
MOSFET
的非嵌位感性开关
标准 |华峰测控牵头的3项SiC
MOSFET
UIS/单管短路/模块短路测试方法形成征求意见稿
清纯半导体推出第3代SiC
MOSFET
产品平台
瑶芯微申请沟槽型
MOSFET
器件结构及其制备方法专利,降低器件动态损耗
标准 | SiC
MOSFET
有功对拖/杂感/AC-温湿度循环试验方法立项
标准 | SiC
MOSFET
晶圆级老化及筛选试验方法立项
标准 | SiC
MOSFET
模块局部放电试验方法立项
芯联集成:公司SiC
MOSFET
系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局
芯粤能半导体成功开发第一代碳化硅沟槽
MOSFET
工艺平台
苏州创芯致尚取得一种SIC
MOSFET
芯片生产用切割装置专利,提高切割稳定性和精准度
江苏芯旺电子科技取得
MOSFET
器件用制造加工装置专利,提高加工效率
报告前瞻|湖南三安半导体许志维:SiC
MOSFET
器件技术之发展与挑战
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