新闻资讯
区域动态
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
芯
半导体
中国
华为
氮化镓
第三代半导体
半导体产业
光刻机
首页
新闻资讯
区域动态
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
首页
>
新闻资讯
>
搜索
综合排序
最多点击
最新发布
全部类别
技术
材料
产业
财经
应用
CSPSD 2024成都前瞻|西安电子科技大学何艳静:SiC
MOSFET
浪涌可靠性的研究
CSPSD 2024成都前瞻|中国科学院上海微系统与信息技术研究所程新红:SiC
MOSFET
过流保护技术分析与研发
纳芯微发布首款1200V SiC
MOSFET
CSPSD 2024成都前瞻 |东南大学魏家行:碳化硅功率
MOSFET
器件及其可靠性研究
CSPSD 2024成都前瞻 |重庆大学蒋华平:碳化硅
MOSFET
动态阈值漂移
CSPSD 2024成都前瞻|北京大学魏进:如何使GaN功率器件如Si
MOSFET
一样简单易用?
芯联集成:2024年公司还将计划建成国内首条8英寸SiC
MOSFET
试验线
广电计量申请SiC
MOSFET
体二极管双极退化试验方法及装置专利,提高了老化效率,加速了双极退化
宏微科技取得电动汽车用IGBT或
MOSFET
版图结构专利,IGBT或
MOSFET
的芯片尺寸可大大减小
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™
MOSFET
G2,推动低碳化的高性能系统
瞻芯电子再推3款车规级第二代650V SiC
MOSFET
产品
国基南方、55所:加速碳化硅
MOSFET
技术攻关,打造汽车电子中国“芯”
芯导科技申请Trench
MOSFET
器件的自对准的制备方法专利,进一步缩小了接触孔沿沟道方向尺寸
北京大学申请碳化硅平面栅
MOSFET
器件及其制备方法专利,能够降低器件的沟道电阻
淄博绿能芯创1200V 20mΩ SiC
MOSFET
首轮流片成功
清纯半导体推出1200V / 3.5mΩ SiC
MOSFET
芯片
CASA立项11项SiC
MOSFET
测试类团体标准
SiC晶圆代工龙头X-Fab宣布:收购
MOSFET
厂商M-MOS Semiconductor
SiC
晶圆
X-Fab
收购
MOSFET
M-MOS
Semiconductor
日本团队:金刚石
MOSFET
研制取得最新进展
钻石
MOSFET
清纯半导体完成数亿元Pre-B轮融资
清纯半导体
Pre-B轮
融资
碳化硅
功率芯片
SiC
MOSFET
厦门大学张峰:新型沟槽SiC基
MOSFET
器件研究
首台基于国产SiC-
MOSFET
的低压配电网柔性调控装置投运
芯塔电子SiC
MOSFET
通过车规级认证,成功进入新能源汽车供应链!
安世半导体推出首款 SiC
MOSFET
IFWS 2023│中国电子科技集团第五十五研究所黄润华:750V SiC
MOSFET
元胞结构对器件特性的影响研究
纳芯微:已发布SiC二极管和
MOSFET
产品,并逐步进行客户送样和验证工作
中瓷电子:主驱用大功率
MOSFET
产品主要面向比亚迪
中芯集成:公司实现了车规级碳化硅
MOSFET
的规模化量产,并已在车载主驱逆变大功率模组中使用
国星光电SiC-
MOSFET
器件获得车规级认证并通过HV-H3TRB加严可靠性考核
启方半导体与威世签署功率
MOSFET
长期生产代工协议,旨在扩大汽车半导体的供应
第
1
页/共
6
页
首页
下一页
上一页
尾页
联系客服
投诉反馈
顶部