CSPSD 2025前瞻|广东工业大学周贤达:功率MOSFET的非嵌位感性开关

日期:2025-05-06 阅读:359
核心提示:5月22-24日, “2025功率半导体器件与集成电路会议(CSPSD 2025)”将于南京举办。届时,广东工业大学副教授周贤达将受邀出席论坛,并分享《功率MOSFET的非嵌位感性开关》的主题报告。

头图

功率MOSFET在某些意外条件下会发生雪崩操作,例如电网的电压尖峰、机械部件的ESD和电感负载故障。为了评估功率MOSFET在雪崩条件下的坚固性,无钳电感开关(UIS)已成为一种标准方法。 

5月22-24日, “2025功率半导体器件与集成电路会议(CSPSD 2025)”将于南京举办。本次论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)指导,南京邮电大学、极智半导体产业网(www.casmita.com)、第三代半导体产业共同主办。南京邮电大学集成电路科学与工程学院(产教融合学院)、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。电子科技大学、南京邮电大学南通研究院、苏州镓和半导体有限公司、扬州扬杰电子科技股份有限公司等单位协办。 

会议设有开幕大会&主旨报告,以及硅及宽禁带半导体材料、器件及集成应用,超宽禁带材料、器件及集成应用,功率集成交叉与应用,先进封装与异构集成等4个平行论坛,将覆盖晶圆造、芯片设计、芯片加工、模块封装、测试分析、软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。  

届时,广东工业大学副教授周贤达将受邀出席论坛,并分享《功率MOSFET的非嵌位感性开关》的主题报告,敬请关注!

 周贤达

嘉宾简介

周贤达,2013年博士毕业于香港科技大学,随后在香港工业界先后负责功率半导体器件的研发和生产,2017年至2022年担任中山大学电子与信息工程学院副研究员,自2022年起担任广东工业大学集成电路学院副教授(青年百人A级)。周贤达博士在功率半导体领域拥有完整的产业化和学术研究经验,成功推出过多款量产产品,累计获中外发明专利授权18项,主持2项国家自然科学基金项目,以第一/通讯作者身份在行业顶级会议和权威期刊上发表学术论文12篇,并长期担任《IEEE Electron Devices Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》审稿人和对口军工企业技术顾问。 

广东工业大学是一所以工为主、工理经管文法艺教结合、多科性协调发展的省属重点大学、广东省高水平大学重点建设高校,1958年开办本科教育,1995年由原广东工学院、广东机械学院和华南建设学院(东院)合并组建而成。学校本部坐落于中国南方名城广州,拥有大学城、东风路、龙洞、番禺、沙河、揭阳等多个校区,校园占地总面积5300亩,环境优美。目前,学校共设有25个学院、2个公共课教学部(中心)、12个研究机构。广东工业大学的工程学、材料科学、计算机科学、化学、环境科学与生态学、农学、社会科学总论、生物学与生物化学、地球科学等9个学科已进入ESI全球学科排名前1%行列,其中工程学已进入前0.3‰。

 组织机构

指导单位:

第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)

主办单位:南京邮电大学极智半导体产业网(www.casmita.com)第三代半导体产业

承办单位:南京邮电大学集成电路科学与工程学院(产教融合学院)北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

协办支持:电子科技大学南京邮电大学南通研究院苏州镓和半导体有限公司

大会主席:郭宇锋

联合主席:柏松 张波 赵璐冰

程序委员会:盛况 陈敬 张进成 陆海 唐为华 罗小蓉 张清纯 龙世兵 王来利 程新红 杨媛 杨树 张宇昊 刘斯扬 章文通 陈敦军 耿博 郭清 蔡志匡 刘雯  邓小川 魏进 周琦 周弘 叶怀宇 许晟瑞 张龙 包琦龙 金锐 姚佳飞 蒋其梦 明鑫 周春华 等

组织委员会

主 任:姚佳飞  

副主任:涂长峰

成 员: 张茂林 周峰 徐光伟 刘盼 王珩宇 杨可萌 张珺 王曦 罗鹏 刘成 刘宇 马慧芳 陈静 李曼 贾欣龙等

主题方向

1. 硅基功率器件与集成技术

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术

2. 碳化硅功率器件与集成技术

碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术

3. 氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成

氮化镓功率器件、III/V族化合物(AlN、GaAs)半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术 

4. 氧化镓/金刚石功率器件与集成技术

氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术

5. 模组封装与应用技术

功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性

6. 面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术

核心外延材料、晶圆芯片及封装材料;退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术;制造、封装、检测及测试设备等

7. 功率器件交叉领域

基于新材料(柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料)的功率半导体器件设计、制造与集成技术;人工智能驱动的功率器件仿真,建模与设计、封装与测试

会议日程

日程 

参会与拟邀单位

中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、明义微电子、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯(河南)半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学等……

动参与:   

注册费2800元,5月15日前注册报名2500元(含会议资料袋,23日午餐、欢迎晚宴、24日自助午餐及晚餐)

缴费方式

①银行汇款

开户行:中国银行北京科技会展中心支行

账 号:336 356 029 261

名 称:北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

②移动支付

移动支付

备注:通过银行汇款/移动支付,请务必备注:单位简称+姓名+南京,以便后续查询及开具发票。若需开具发票请将报名信息、转账凭证及开票信息发送至邮箱:lilyli@china-led.net。

扫码预报名

扫码报名

备注:此码为预报名通道,完成信息提交后,需要对公汇款或者扫码支付注册费。

论文投稿及报告咨询:

贾老师  18310277858  jiaxl@casmita.com

姚老师  15951945951  jfyao@njupt.edu.cn

张老师  17798562651  mlzhang@njupt.edu.cn 

李老师  18601994986  linan@casmita.com

赞助、展示及参会联系:

贾先生  18310277858   jiaxl@casmita.com

张女士  13681329411  zhangww@casmita.com

投稿模板下载:投稿模板_CSPSD2025.docx   文章择优推荐到EI期刊《半导体学报(英文)》。 

会议酒店

南京熹禾涵田酒店

地址:南京市浦口区象贤路158号

邮箱:503766958@qq.com

酒店联系人

陆经理 15050562332  025-58628888

 

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