2025年4月29日，由北京华峰测控技术股份有限公司牵头起草的3项SiC MOSFET技术标准已完成征求意见稿的编制，正式面向联盟成员单位征求意见，为期一个月。根据联盟标准化工作管理办法，2025年4月29日起开始征求意见，截止日期2025年5月29日。
征求意见稿已经由秘书处邮件发送至联盟成员单位；非联盟成员单位如有需要，可发邮件至casas@casa-china.cn。
征求意见标准列表（No.1）
T/CASAS 038—202X《SiC MOSFET非钳电感开关（UIS）测试方法》
本文件规定了SiC MOSFET非钳位电感开关（UIS）的测试方法，包括单脉冲雪崩击穿能量（EAS）和重复雪崩击穿能量（EAR）的测试原理、测试流程、数据记录和处理等内容。
本文件适用于SiC MOSFET分立器件在FT（Final Test）、CP（Chip Probe）、KGD（Known Good Die）、实验室研发等阶段的UIS测试。对于SiC MOSFET功率模块，可在将单管封装成模块前参照本文件对单管进行测试。
T/CASAS 039—202X《SiC MOSFET单管功率器件短路可靠性测试方法》
本文件规定了SiC MOSFET单管功率器件短路可靠性的测试方法，包括Ⅰ类、Ⅱ类、Ⅲ类短路的测试原理、测试流程、数据记录和处理等内容。
本文件适用于SiC MOSFET单管功率器件在FT（Final Test）、CP（Chip Probe）、KGD（Known Good Die）、实验室研发等阶段的短路可靠性测试。
T/CASAS 040—202X《SiC MOSFET功率模块短路可靠性测试方法》
本文件规定了SiC MOSFET功率模块短路可靠性测试方法，包括测试原理、测试流程、数据记录和处理等内容。
本文件适用于SiC MOSFET功率模块在FT（Final Test）、实验室研发等阶段的短路可靠性测试。
（来源：第三代半导体产业技术创新战略联盟）
