国家知识产权局信息显示，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司申请一项名为“11757.一种沟槽型MOSFET器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN119855183A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种沟槽型MOSFET器件结构及其制备方法，本发明的沟槽型MOSFET器件结构或制备的沟槽型MOSFET器件结构中，栅极导电结构包括多层栅极多晶硅层，其中，相邻两层栅极多晶硅层的掺杂类型不同，从而在栅极导电结构内部形成了至少一个PN结，使得栅极导电结构内部具有至少一个栅极结电容，这个或这些栅极结电容与器件的固有电容(即本征栅漏电容)串联，使得器件的总栅漏电容变小，栅漏电荷减少，从而有利于降低器件的动态损耗，同时又不会提高器件的特征导通电阻。也就是说，本发明的沟槽型MOSFET器件结构及其制备方法优化了栅漏电荷和特征导通电阻之间的折中关系，有助于提升器件的电性能。
天眼查资料显示，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1685.2302万人民币。通过天眼查大数据分析，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司共对外投资了4家企业，财产线索方面有商标信息14条，专利信息139条，此外企业还拥有行政许可3个。
