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芯导科技申请Trench
MOSFET器件
的自对准的制备方法专利,进一步缩小了接触孔沿沟道方向尺寸
北京大学申请碳化硅平面栅
MOSFET器件
及其制备方法专利,能够降低器件的沟道电阻
厦门大学张峰:新型沟槽SiC基
MOSFET器件
研究
国星光电SiC-
MOSFET器件
获得车规级认证并通过HV-H3TRB加严可靠性考核
意法半导体将为汽车T1厂博格华纳供应碳化硅
MOSFET器件
中电科第五十五研究所黄润华:SiC
MOSFET器件
技术现状及产品开发进展
西安卫光科技李朴:600V超结
MOSFET器件
研究
CASICON 2023前瞻 中电科55所黄润华:SiC
MOSFET器件
技术现状及产品开发进展
银河微电:功率
MOSFET器件
已实现Clip Bond技术的量产
新品 | 世纪金光推出第二代1200V SiC
MOSFET器件
金刚石
MOSFET器件
最新成果!在(111)金刚石衬底上成功制备高性能C-Si
MOSFET器件
MOSFET器件
选型的3大法则
西安电子科技大学张艺蒙教授:SiC 功率
MOSFET器件
的可靠性研究
西安电子科技大学
微电子学院
教授
张艺蒙
SiC
功率
MOSFET器件
可靠性
【CASICON 2021】东南大学教授刘斯扬:SiC功率
MOSFET器件
可靠性研究进展
CASICON 2021前瞻:SiC功率
MOSFET器件
可靠性研究进展
电子科技大学教授邓小川将出席南京功率与射频应用峰会 分享极端应力下SiC
MOSFET器件
动态可靠性研究进展
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