芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制备方法”专利公布

日期:2024-07-08 阅读:229
核心提示:天眼查显示,广东芯聚能半导体有限公司碳化硅MOSFET器件及其制备方法专利公布,申请公布日为2024年6月28日,申请公布号为CN11826

天眼查显示,广东芯聚能半导体有限公司“碳化硅MOSFET器件及其制备方法”专利公布,申请公布日为2024年6月28日,申请公布号为CN118263326A。

本申请涉及一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法,碳化硅MOSFET器件包括衬底、第一掺杂区、栅极沟槽、控制栅结构和分裂栅结构,第一掺杂区设置于衬底内;栅极沟槽设置于第一掺杂区内,且从衬底的正面开口并沿衬底的厚度方向延伸,栅极沟槽包括第一子沟槽和第二子沟槽,第二子沟槽位于第一子沟槽背离衬底的正面的一侧;控制栅结构设置于第一子沟槽内,控制栅结构包括控制栅导电层和控制栅介质层,控制栅介质层位于控制栅导电层与第一子沟槽的槽壁之间;分裂栅结构设置于第二子沟槽内,分裂栅结构包括分裂栅导电层和分裂栅介质层,分裂栅介质层包覆分裂栅导电层;控制栅介质层的介电常数和分裂栅介质层的介电常数不同。

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