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中微公司陈丹莹：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生长的CVD设备 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-05 11:07
西湖大学工学院仇旻团队研究进展 | 4H-SiC超透镜：抑制高功率激光辐照的热漂移效应
 评论 ⋅  2024-12-05 08:53
日本电装Denso、富士电机合建SiC项目
 评论 ⋅  2024-11-29 17:10
平湖实验室何光泽：面向SiC/GaN功率器件失效分析的测试技术与典型应用| IFWS2024
 评论 ⋅  2024-11-29 13:52
国联万众王川宝：SiC基电力电子及射频芯片技术发展研究 | IFWS2024
 评论 ⋅  2024-11-29 11:33
IFWS&SSLCHINA2024|CASA9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准发布
 评论 ⋅  2024-11-19 17:14
天科合达8英寸SiC衬底二期项目开工！
 评论 ⋅  2024-11-12 18:29
昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC 器件专利，提升终端效率并提高工艺容错率
 评论 ⋅  2024-11-12 16:14
广州南砂晶圆半导体技术取得交流电阻加热器及SiC单晶生长装置专利，提高晶体生长速度且有助于4H‑SiC晶型稳定
 评论 ⋅  2024-11-12 15:39
GaN+SiC！纳微全球首发8.5kW AI数据中心服务器电源
 评论 ⋅  2024-11-08 11:05
南京南瑞半导体申请沟槽型SiC器件及其制备方法专利，可防止器件过早击穿烧毁
 评论 ⋅  2024-11-04 16:31
扬杰电子申请新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法专利，方法制作工艺简单
 评论 ⋅  2024-10-29 18:01
英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000V，直流母线电压最高可达1500 VDC， 效率更高，设计更简单
 评论 ⋅  2024-10-24 17:14
富特科技：已实现SiC半导体器件在产品中的量产应用，且应用技术已相对成熟
 评论 ⋅  2024-10-24 09:24
中国科学院半导体研究所SiC晶圆平坦化设备采购项目竞争性磋商
 评论 ⋅  2024-10-23 15:50
烁科晶体SiC二期项目通过竣工验收，正式投产！
 评论 ⋅  2024-10-23 15:06
新洁能：SiC/GaN项目年底竣工投产
 评论 ⋅  2024-10-22 10:07
钜芯半导体新建SiC生产线
 评论 ⋅  2024-10-21 17:31
方正微电子8吋SiC线年底通线
 评论 ⋅  2024-10-18 18:09
方正微电子：2025年将具备16.8万片/年车规SiC MOS生产能力
 评论 ⋅  2024-10-16 14:58
SiC MOSFET 阈值电压等9项技术标准形成委员会草案
 评论 ⋅  2024-10-15 16:35
泰国将投资3.5亿美元建设首个SiC工厂，预计2027年运营
 评论 ⋅  2024-10-09 11:16
利用SiC模块进行电动压缩机设计要点
 评论 ⋅  2024-10-09 10:37
20亿！科友半导体SiC项目签约杭州
 评论 ⋅  2024-09-26 18:44
ST官宣！推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术
 评论 ⋅  2024-09-25 17:12
长飞先进武汉基地SiC项目
 评论 ⋅  2024-09-12 17:09
芯联集成：2023年及2024年上半年，公司SiC MOSFET产品出货量均位居国内第一
 评论 ⋅  2024-09-12 17:07
汉磊&世界先进携手共建8吋SiC产线
 评论 ⋅  2024-09-11 15:32
罗姆与联合汽车电子签署SiC功率元器件长期供货协议
 评论 ⋅  2024-09-11 14:17
捷报！合盛8英寸导电型4H-SiC衬底项目全线贯通
 评论 ⋅  2024-09-10 22:47
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