首页 > 新闻资讯 > 搜索
年产100万只！这个SiC模块产线落户广东省
 评论 ⋅  2025-06-11 14:22
瞻芯电子与浙江大学联合发表10kV SiC MOSFET研发成果，助力高压应用技术革新
 评论 ⋅  2025-06-06 16:24
从8英寸量产到12英寸突破！合盛硅业全链条攻克SiC核心技术再攀高峰！
 评论 ⋅  2025-06-03 09:53
株洲中车8英寸SiC产线年底通线
 评论 ⋅  2025-05-28 10:00
年底通线！株洲中车8英寸SiC产线披露最新进展
 评论 ⋅  2025-05-26 14:22
天岳先进：上海临港工厂二期8吋SiC衬底扩产计划正在推进中
 评论 ⋅  2025-05-22 07:25
效率损耗双领跑！大族半导体SiC晶锭激光剥片技术单片15min单耗470μm！
 评论 ⋅  2025-05-20 15:33
标准 |华峰测控牵头的3项SiC MOSFET UIS/单管短路/模块短路测试方法形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-05-20 13:54
CSPSD 2025前瞻|复旦大学刘盼：1200V IGBT与SiC MOSFET的短路性能对比研究
 评论 ⋅  2025-05-15 15:03
CSPSD 2025前瞻|扬杰科技施俊：SiC功率器件的技术发展和应用、挑战和未来趋势
 评论 ⋅  2025-05-13 13:49
CSPSD 2025前瞻|国联万众王川宝：SiC电力电子芯片技术与SiC基GaN射频芯片技术进展
 评论 ⋅  2025-05-13 10:35
CSPSD 2025前瞻|南京第三代半导体技术创新中心有限公司李士颜:新一代SiC功率MOSFET产品研制进展
 评论 ⋅  2025-05-12 11:11
扬杰科技10亿元SiC车规级功率半导体模块封装项目开工
 评论 ⋅  2025-05-12 11:03
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学宋庆文：高性能SiC功率器件关键技术研究进展
 评论 ⋅  2025-05-09 10:15
英飞凌推出SiC沟槽型超结（TSJ）技术
 评论 ⋅  2025-05-09 10:03
英飞凌推出新型CoolSiC™ JFET技术，实现更加智能、快速的固态配电
 评论 ⋅  2025-05-07 17:12
CSPSD 2025前瞻|昕感科技李道会：面向车规应用的功率之”芯”SiC及封装技术挑战
 评论 ⋅  2025-05-07 11:07
连科半导体8吋/12吋SiC电阻炉及工艺成套技术取得突破
 评论 ⋅  2025-04-29 20:10
标准 |华峰测控牵头的3项SiC MOSFET UIS/单管短路/模块短路测试方法形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-04-29 17:20
重磅发布 | 2项SiC单晶生长用等静压石墨标准正式发布
 评论 ⋅  2025-04-24 08:53
清纯半导体推出第3代SiC MOSFET产品平台
 评论 ⋅  2025-04-22 12:10
纳微半导体推出全新SiCPAK™功率模块
 评论 ⋅  2025-04-21 15:47
标准 | SiC MOSFET 有功对拖/杂感/AC-温湿度循环试验方法立项
 评论 ⋅  2025-04-18 15:52
标准 | SiC MOSFET晶圆级老化及筛选试验方法立项
 评论 ⋅  2025-04-18 15:50
标准 | SiC MOSFET模块局部放电试验方法立项
 评论 ⋅  2025-04-18 15:30
意法半导体：未来3年聚焦12英寸Si/8英寸SiC的研发和建设
 评论 ⋅  2025-04-14 19:08
天岳先进SiC单晶项目即将投产
 评论 ⋅  2025-04-08 18:54
士兰微基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块预计将于2025年上量
 评论 ⋅  2025-04-08 16:27
黑龙江汇芯半导体申请集成有SiC功率器件短路保护的智能功率模块专利，短路保护精度和效率更高
 评论 ⋅  2025-04-08 15:43
中南大学何军、钟绵增，浙江大学李京波：通过调控电场分布实现高均匀性的耐高压晶圆级4H-SiC紫外光电探测器
 评论 ⋅  2025-04-08 15:28
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部