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年产100万只!这个
SiC
模块产线落户广东省
瞻芯电子与浙江大学联合发表10kV
SiC
MOSFET研发成果,助力高压应用技术革新
从8英寸量产到12英寸突破!合盛硅业全链条攻克
SiC
核心技术再攀高峰!
株洲中车8英寸
SiC
产线年底通线
年底通线!株洲中车8英寸
SiC
产线披露最新进展
天岳先进:上海临港工厂二期8吋
SiC
衬底扩产计划正在推进中
效率损耗双领跑!大族半导体
SiC
晶锭激光剥片技术单片15min单耗470μm!
标准 |华峰测控牵头的3项
SiC
MOSFET UIS/单管短路/模块短路测试方法形成征求意见稿
CSPSD 2025前瞻|复旦大学刘盼:1200V IGBT与
SiC
MOSFET的短路性能对比研究
CSPSD 2025前瞻|扬杰科技施俊:
SiC
功率器件的技术发展和应用、挑战和未来趋势
CSPSD 2025前瞻|国联万众王川宝:
SiC
电力电子芯片技术与
SiC
基GaN射频芯片技术进展
CSPSD 2025前瞻|南京第三代半导体技术创新中心有限公司李士颜:新一代
SiC
功率MOSFET产品研制进展
扬杰科技10亿元
SiC
车规级功率半导体模块封装项目开工
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学宋庆文:高性能
SiC
功率器件关键技术研究进展
英飞凌推出
SiC
沟槽型超结(TSJ)技术
英飞凌推出新型Cool
SiC
™ JFET技术,实现更加智能、快速的固态配电
CSPSD 2025前瞻|昕感科技李道会:面向车规应用的功率之”芯”
SiC
及封装技术挑战
连科半导体8吋/12吋
SiC
电阻炉及工艺成套技术取得突破
标准 |华峰测控牵头的3项
SiC
MOSFET UIS/单管短路/模块短路测试方法形成征求意见稿
重磅发布 | 2项
SiC
单晶生长用等静压石墨标准正式发布
清纯半导体推出第3代
SiC
MOSFET产品平台
纳微半导体推出全新
SiC
PAK™功率模块
标准 |
SiC
MOSFET 有功对拖/杂感/AC-温湿度循环试验方法立项
标准 |
SiC
MOSFET晶圆级老化及筛选试验方法立项
标准 |
SiC
MOSFET模块局部放电试验方法立项
意法半导体:未来3年聚焦12英寸Si/8英寸
SiC
的研发和建设
天岳先进
SiC
单晶项目即将投产
士兰微基于第Ⅳ代
SiC
芯片的功率模块预计将于2025年上量
黑龙江汇芯半导体申请集成有
SiC
功率器件短路保护的智能功率模块专利,短路保护精度和效率更高
中南大学何军、钟绵增,浙江大学李京波:通过调控电场分布实现高均匀性的耐高压晶圆级4H-
SiC
紫外光电探测器
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