5月21日，科创板细分行业集体业绩说明会之先进轨道交通行业专场于上证路演中心召开。会上株洲中车时代电气股份有限公司就重点项目进展、新的经营计划等内容和投资者展开交流。
株洲中车董事长、执行董事李东林向投资者表示，株洲三期于2024年11月份启动建设，2025年5月，主体厂房封顶，预计2025年下半年启动设备搬入，2025年底有望实现产线拉通，该项目为8英寸SiC晶圆。
据介绍，株洲中车拥有一条6英寸SiC芯片产线，当前已具备年产2.5万片6英寸SiC芯片产能。
当前株洲中车SiC第三代精细平面栅产品已定型，技术水平行业主流；第四代沟槽栅设计定型，达行业先进水平，并且对第五代SiC技术完成布局。
目前SiC重点产品包括3300V高压平面栅SiC MOSFET、1200V精细平面栅SiC MOSFET，1200V SBD等，1200V沟槽栅 SiC MOSFET性能指标基本对标国际龙头企业。2022年底，新能源车用全SiCC-Car平台孵化的全新一代产品C-Power 220s正式发布，目前正在整车厂送样验证阶段。
李东林还介绍道，公司SiC MOSFET覆盖650V-6500V电压等级，适合高频/大功率密度系统要求，可广泛应用于新能源汽车、UPS、风力发电、光伏逆变器、铁路运输、工业、智能电网等领域。公司SiC产品（SBD）在光伏领域批量供货，SiC TO器件在充电桩、OBC、电源检测等领域批量供货。2025年公司SiC MOSFET产品有望突破新能源车主驱批量出货。
来源：证券时报网
