超芯星新一代8mΩ·cm低阻碳化硅衬底，拥有零TSD缺陷和极低的BPD密度（53个/cm2）的卓越晶质，将为下游客户带来四大核心变革：
导通损耗大幅降低，系统效率显著提升；
运行温度显著下降，可靠性增强，功率密度再突破；
开关性能明显优化，响应更快、损耗更低；
整体成本更具竞争力，为产品升级预留更大空间；
（来源：超芯星）
