瞻芯电子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量产交付应用,赢得市场认可

日期:2025-07-14 阅读:215
核心提示:近期,中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商瞻芯电子开发的首批第3代1200VSiC35mΩMOSFET产品,凭借优秀的性能

 近期,中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商——瞻芯电子开发的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET产品,凭借优秀的性能与品质赢得多家重要客户订单,已量产交付近200万颗,为应用系统提供高效、可靠的解决方案。

关于1200V 35mΩ SiC MOSFET产品

 瞻芯电子1200V 35mΩ SiC MOSFET是基于最新的第3代SiC MOSFET工艺平台开发的重要产品系列,具有下列4种型号,均按汽车级可靠性标准(AEC-Q101)设计和测试认证,具有低损耗、高可靠、高频开关等特点,其驱动电压推荐18V,且兼容15V。特别值得一提的是,该系列产品导通电阻(Ron)具有较低的温升系数,能在高温条件下,仍然保持较低的导通电阻,确保应用系统高效运行。其中首批量产的2款产品分别为TO247-4插件封装(IV3Q12035T4Z)和TO263-7贴片封装(IV3Q12035D7Z),通过了严格的AEC-Q101认证,更进一步配合多家知名光伏、充电桩客户完成了系统级测试和验证,进入批量交付阶段。 

 

为满足不同应用场景的需求,该系列产品开发了4种封装型号,不仅具有成熟的TO247-4和TO263-7封装,而且还有更低寄生参数的TO247-4Slim封装,以及支持顶部散热的TC3Pak封装。上述4种封装均有开尔文源极引脚,可解耦驱动和功率回路,降低开关损耗 。

 

 

 典型应用场景

充电桩、车载空调压缩机、车载电子空悬、光伏MPPT和逆变器、开关电源

(来源:瞻芯电子)

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