9月13-14日，“2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会（CASICON 2021）”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办，并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。
会上，东南大学教授刘斯扬做了题为“SiC功率MOSFET器件可靠性研究进展”的主题报告，由于SiC/SiO2界面势垒低、界面缺陷密度大及SiC欧姆接触稳定性差等问题，使得SiC-MOSFET在高环境温度、高工作电压、大驱动电流及快速开关等极限条件下应用时，可靠性问题严峻。报告针对SiC-MOSFET器件在电热应力下的可靠性损伤机理、表征方法、寿命模型及新结构等近期研究进展进行阐述和交流。
嘉宾简介
刘斯扬，长期致力于功率半导体器件基础理论及关键技术的研究。获江苏省科学技术一等奖、教育部技术发明一等奖，入选 “国家装备预研青年人才”，“江苏省333高层次人才培养工程—中青年学术带头人”。发表IEEE TPE、EDL、TED等期刊论文74篇 (其中第1作者28篇)，授权美国专利3项，中国发明专利37项。主持国家自然科学基金、国家重点研发计划等项目12项。
