【CASICON 2021】北京大学杨学林:Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展

日期:2021-09-16     来源:半导体产业网    
核心提示:报告提出采用Ga空位工程,在Si(111)衬底上实现高质量的GaN厚膜。研究了C杂质与位错相互作用,获得高迁移率GaN薄膜材料。揭示了AlN/Si界面寄生电导的产生机理并提出抑制方法。
9月13-14日,“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会(CASICON 2021)”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办,并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。
 杨学林
会上,北京大学物理学院高级工程师杨学林带来了“Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展”的主题视频报告,报告提出采用Ga空位工程,在Si(111)衬底上实现高质量的GaN厚膜。研究了C杂质与位错相互作用,获得高迁移率GaN薄膜材料。揭示了AlN/Si界面寄生电导的产生机理并提出抑制方法。
 
 
嘉宾简介
杨学林,近年来在Si衬底上GaN基材料的MOCVD外延生长、C杂质的掺杂调控、缺陷影响电子器件可靠性的机理研究等方面取得了多项进展。在知名期刊上共发表SCI论文70多篇,申请/授权国家发明专利10多件。
 
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