【CASICON 2021】厦门大学梅洋:氮化镓基VCSEL技术进展

日期:2021-09-16 来源:半导体产业网阅读:391
核心提示:报告着重介绍了在蓝光、绿光、以及紫外VCSEL中取得的最新研究进展、谐振腔内光场及损耗的调控、以及改善器件散热性能的有效方法。
9月13-14日,“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会(CASICON 2021)”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办,并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。
 
GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)由于在微显示、固态照明、高密度光存储、高分辨率打印以及生物传感等方面有着广泛的应用前景,吸引了众多研究者的注意。相比于边发射激光器,VCSEL具有阈值低、发散角小、调制速率高、以及输出光束呈圆对称等优点,且可制备成高密度二维器件阵列。在近20年中,GaN基VCSEL相关研究取得快速进展, 已成为下一代半导体激光器的研究热点,多家大型企业如日亚、索尼、松下、斯坦雷电器等都已开始相关布局。目前,发光波长覆盖从紫光至绿光波段的GaN基VCSEL均已实现电注入激射,蓝光波段器件性能已接近实用化水平。在紫外方面,UVC-UVA波段的GaN基VCSEL也已实现光泵浦激射。
梅洋
厦门大学电子科学与技术学院助理教授梅洋分享了题为“氮化镓基VCSEL技术进展”的主题视频报告,报告指出,GaN基VCSEL目前关键技术难点主要在于高反射率布拉格反射镜(DBR)的外延生长、器件内部横向光场调控、高效电流注入、以及器件散热等。报告着重介绍了在蓝光、绿光、以及紫外VCSEL中取得的最新研究进展、谐振腔内光场及损耗的调控、以及改善器件散热性能的有效方法。
 
打赏
联系客服 投诉反馈  顶部