三安光电副总陈东坡：碳化硅器件在长续航新能源车型中渗透率或将达100%
 评论 ⋅  2021-12-22 16:36
西电张进成教授团队最新成果：基于p-SnO帽层栅的高阈值增强型AlGaN/GaN HEMTs
 评论 ⋅  2021-12-22 16:28
划重点！上海高端装备产业发展“十四五”规划出炉，产值将突破7000亿元
 评论 ⋅  2021-12-21 19:31
山西烁科晶体马康夫：化合物半导体材料发展展望
 评论 ⋅  2021-12-21 09:59
又一家碳化硅功率器件厂商完成C轮亿元级融资
 评论 ⋅  2021-12-20 21:05
厦门大学校长张荣教授：宽禁带半导体全面支撑光电子技术的可持续发展
厦门大学校长张荣教授宽禁带半导体光电子技术
 评论 ⋅  2021-12-20 16:19
GB20943国家强制能效标准升级已全面启动
 评论 ⋅  2021-12-20 15:26
晶方科技拟加强对第三代半导体氮化镓器件公司VisIC的投资
晶方科技以色列第三代半导体VisIC投资
 评论 ⋅  2021-12-20 15:23
联盟积极对接院校机构 共建产教融合基地
 评论 ⋅  2021-12-20 09:56
华瑞微完成B轮、B+轮3亿元融资
 评论 ⋅  2021-12-17 19:00
无锡诞生全球最薄半导体GaN晶体，厚度突破1厘米！
 评论 ⋅  2021-12-16 22:19
芯聚能总裁周晓阳：碳化硅应用于新能源汽车电机电控系统的挑战与优化思路
 评论 ⋅  2021-12-16 22:03
广东芯聚能周晓阳：SiC应用于新能源汽车电驱电控系统的挑战与优化思路
 评论 ⋅  2021-12-16 17:52
华东光电集成器件研究所展明浩：MEMS传感器发展现状及在自动驾驶中的应用
 评论 ⋅  2021-12-16 17:49
上海瞻芯电子杨义：SiC MOSFET多管并联均流驱动技术探讨
 评论 ⋅  2021-12-16 17:46
北京一径科技邵嘉平：MEMS LiDAR将主导未来车载激光雷达商业化落地
 评论 ⋅  2021-12-16 17:44
浙江老鹰半导体莫庆伟：VCSEL技术发展及其在智能感测与汽车雷达中的应用
 评论 ⋅  2021-12-16 17:40
广东晶科电子何贵平：车规LED技术进阶及新产品形态
 评论 ⋅  2021-12-16 17:38
上海电驱动电控研究院院长陈雷：功率半导体在新能源汽车电机控制器中的应用
 评论 ⋅  2021-12-16 17:33
应用进行时 车用半导体创新合作峰会成功召开
 评论 ⋅  2021-12-16 16:55
中科院半导体研究所张连：亚毫米波段GaN基HEMT与选区外延技术研究
 评论 ⋅  2021-12-14 14:47
南京电子器件研究所张凯：大功率GaN微波毫米波二极管及其创新应用
 评论 ⋅  2021-12-14 14:46
西安电子科技大学刘志宏：面向移动SoC应用的氮化镓射频器件研究进展
 评论 ⋅  2021-12-14 14:44
中电科第十三研究所梁士雄：基于氮化镓肖特基二极管的高性能太赫兹倍频器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:43
中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心曾建平：宽频段高效率单片集成GaN基SBD倍频电路研究
 评论 ⋅  2021-12-14 14:42
日本德岛大学教授敖金平：转换效率超过91%的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:40
韩国Wavice Inc首席技术官Sangmin LEE：i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:39
中国科技大学Alsaman A. amgad：HEMT器件通道内2DEG电荷的空间非均匀性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:34
IFWS2021：射频电子器件与应用论坛成功举行
 评论 ⋅  2021-12-14 14:29
美国Analog设备张薇葭：基于直接键合工艺液冷散热技术的紧凑型氮化镓功率模块设计及其热学模型研究
 评论 ⋅  2021-12-13 18:14
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