南京电子器件研究所张凯:大功率GaN微波毫米波二极管及其创新应用

日期:2021-12-14 来源:半导体产业网阅读:255
核心提示:近日,第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛(IFWSSSLCHINA 2021)在深圳会展中心举行。本届论坛由第三
近日,第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)联合主办,北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
张凯
期间,由苏州能讯高能半导体有限公司、罗德与施瓦茨、广州南砂晶圆半导体技术有限公司协办支持的“射频电子器件与应用论坛“上,南京电子器件研究所高级工程师张凯带来了题为“大功率GaN微波毫米波二极管及其创新应用”的线上主题报告,第三代半导体GaN具有高击穿、高速工作、耐高温等特性,报告首次报道系列大功率GaN微波毫米波肖特基二极管(初代产品),目前国内外尚无类似产品。同时,展示了采用GaN二极管研制的微波整流、限幅器、太赫兹倍频器等典型电路。相对于传统Si二极管,该系列GaN二极管具有显著的大功率、高速工作等特征,工作频率可涵盖1~300GHz,有望促进无线输能、射频开关、高功率限幅及太赫兹固态源等各类应用的发展。
 
张凯博士,2015年加入南京电子器件研究所微波毫米波单片集成与模块电路重点实验室,高级工程师,荣获中国电科十大青年拔尖人才等。他专注于探索创造新颖的、先进的GaN器件,包括高频大功率射频HEMT器件、太赫兹器件以及各类二极管及相应电路等。
 
 
(内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)
 
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