上海瞻芯电子杨义:SiC MOSFET多管并联均流驱动技术探讨

日期:2021-12-16 来源:半导体产业网阅读:262
核心提示:近日,第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛(IFWSSSLCHINA 2021)在深圳会展中心举行。本届论坛由第三
近日,第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)联合主办,北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
杨义
期间,由北京一径科技有限公司、广东芯聚能半导体有限公司、广东晶科电子股份有限公司、上海瞻芯电子科技有限公司协办支持的“车用半导体创新合作峰会“如期举行。会上,上海瞻芯电子科技有限公司应用工程师杨义带来了题为”SiC MOSFET多管并联均流驱动技术探讨“的主题报告,报告结合多管并联测试条件,详细分享了SiC单管并联开通过程均流影响因子分析、IVCR1412 SiC专用驱动和传统并联驱动方案均流对比分析、功率器件并联功率回路杂散电感影响与结温对均流的影响等内容。




 
报告指出,SiC功率器件的Vth、Rds(on)、Cgs、Cgd 和栅极电阻不一致都会对并联产生负面影响,使用传统驱动方式时,尽量挑选一致器件并联使用。使用IVCR1412驱动SiC并联,能容忍更大的Vth偏差,∆Vth=0.6V未出现不均流情况。
使用传统驱动SiC并联,驱动回路和功率回路电感的差异对均流影响较大,在功率器件参数一致情况下,可能出现电流不均流严重的情况。使用IVCR1412能减弱功率回路对驱动回路耦合,减弱漏感失配导致不均流恶化的情况。在SiC器件多管并联应用中,应尽量做到器件一致、结构对称、杂散优化。
 
(内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)
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