期间，由苏州能讯高能半导体有限公司、罗德与施瓦茨、广州南砂晶圆半导体技术有限公司共同协办支持的”射频电子器件与应用论坛“上，中国科学院半导体研究所副研究员张连做了题为“亚毫米波段GaN基HEMT与选区外延技术研究”的主题报告。
报告指出，最大振荡频率300 GHz以上GaN基HEMT常以超薄(In)AlN势垒层抑制短沟道效应，并常采用源漏极选区外延重掺杂n+-GaN来减小寄生电阻。本论文面向高性能亚毫米波段GaN基HEMT，研究了MOCVD选区外延生长条件和气流模型，揭示了生长厚度、电子迁移率以及有效掺杂浓度之间的关系。InAlN/GaN HEMT的源漏极选区生长n+-GaN材料同时实现了电子浓度5.2×1019 cm-3，电子迁移率138 cm2/V·s，处于国际报道的最好水平之一。InAlN/GaN HEMT金半接触电阻率低至0.04 Ω·mm，GaN与2DEG接触电阻率为0.09 Ω·mm，导通电阻Ron为0.75 Ω·mm。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
