无锡诞生全球最薄半导体GaN晶体,厚度突破1厘米!

日期:2021-12-16 阅读:474
核心提示:12 月 15 日,吴越半导体 GaN 晶体出片仪式在无锡高新区举行。据无锡高新区消息,仪式上,吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突
 12 月 15 日,吴越半导体 GaN 晶体出片仪式在无锡高新区举行。
 
据无锡高新区消息,仪式上,吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突破 1 厘米的氮化镓晶体,并与君联资本、新投集团签署 A 轮融资战略框架协议。
 
 
 
图片来源:无锡高新区在线
 
无锡吴越半导体有限公司成立于 2019 年,是无锡先导集成电路装备材料产业园首个落户的项目,公司专注于氮化镓自支撑衬底的开发、生产和销售。
 
2020 年 2 月,吴越半导体、先导集团与高新区管委会签订合作协议,在无锡高新区实施 2-6 英寸氮化镓自支撑单晶衬底产业化项目,项目总投资37亿,主要进行2-6英寸氮化镓自支撑单晶衬底及GaN-On-GaN功率芯片、射频芯片的研发和生产。项目建成投产后,可填补无锡市在第三代化合物半导体氮化镓原材料领域的空白。
 
全部建成投产后,能够打通从材料到芯片到器件的整个产业链,创造年30亿元的销售额。

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